磁控溅射的分类都有哪些？

磁控溅射靶座接电源的负极，沉积室接正极或在靶材周边接阳极。靶材的后面安装永磁体，多采用钕铁硼，中心部分永磁体的排布方向。

直流(DC)磁控溅射：1. 可以使用简单的电路驱动，成本低廉。2. 产生的溅射物粒子速度较低，容易形成致密的膜层。3. 膜层的成分不易控制，且易产生多孔结构。中频(MF)磁控溅射：1. 溅射速度较高，有利于提高沉积速度。2. 溅射稳定性和膜层均匀性较好。3. 适用于大面积、高质量的膜层制备。射频(RF)磁控溅射：1. 高频电源可以提供更稳定的能量输入。2. 能精确控制膜层的组成和结构特征。3. 可以通过调节功率、频率等参数来实现对膜层厚度和沉积速度的控制。

一般磁控溅射方法制备绝缘材料的薄膜有两种方法：pvd（物理气象沉积）、cvd（化学气象沉积）。物理气象沉积，用陶瓷靶（绝缘靶）溅射，缺点是溅射速率慢，溅射功率高，靶材容易破裂。化学气象沉积，用活泼金属靶（al），在溅射过程中充入适量。

磁控溅射包括很多种类.各有不同工作原理和应用对象.但有一共同点:利用磁场与电场交互作用,使电子在靶表面附近成螺旋状运行,从而增大电子撞击氩气产生离子的概率.所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材.靶源分平衡和非平衡式,平衡式靶源镀膜均匀,非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强.平衡靶源多用于半导体光学膜,非平衡多用于磨损装饰膜.磁控阴极按照磁场位形分布不同,大致可分为平衡态和非平衡磁控阴极.平衡态磁控阴极内外磁钢的磁通量大致相等,两极磁力线闭合于靶面,很好地将电子/等离子体约束在靶面附近,增加碰撞几率,提高了离化效率,因而在较低的工作气压和电压下就能起辉并维持辉光放电,靶材利用率相对较高,但由于电子沿磁力线运动主要闭合于靶面,基片区域所受离子轰击较小.非平衡磁控溅射技术概念,即让磁控阴极外磁极磁通大于内磁极,两极磁力线在靶面不完全闭合,部分磁力线可沿靶的边缘延伸到基片区域,从而部分电子可以沿着磁力线扩展到基片,增加基片区域的等离子体密度和气体电离率.不管平衡非平衡,若磁铁静止,其磁场特性决定一般靶材利用率小于30%.为增大靶材利用率,可采用旋转磁场.但旋转磁场需要旋转机构,同时溅射速率要减小.旋转磁场多用于大型或贵重靶.如半导体膜溅射.对于小型设备和一般工业设备,多用磁场静止靶源.用磁控靶源溅射金属和合金很容易,点火和溅射很方便.这是因为靶(阴极),等离子体,和被溅零件/真空腔体可形成回路.但若溅射绝缘体如陶瓷则回路断了.于是人们采用高频电源,回路中加入很强的电容.这样在绝缘回路中靶材成了一个电容.但高频磁控溅射电源昂贵,溅射速率很小,同时接地技术很复杂,因而难大规模采用.为解决此问题,发明了磁控反应溅射.就是用金属靶,加入氩气和反应气体如氮气或氧气.当金属靶材撞向零件时由于能量转化,与反应气体化合生成氮化物或氧化物.磁控反应溅射绝缘体看似容易,而实际操作困难.主要问题是反应不光发生在零件表面,也发生在阳极,真空腔体表面,以及靶源表面.从而引起灭火,靶源和工件表面起弧等.孪生靶源技术,很好的解决了这个问题,其原理是一对靶源互相为阴阳极,从而消除阳极表面氧化或氮化.冷却是一切源(磁控,多弧,离子)所必需,因为能量很大一部分转为热量,若无冷却或冷却不足,这种热量将使靶源温度达一千度以上从而溶化整个靶源.

正常，调节下输出功率吧。从小渐渐加高

答：1、整流桥如果是模块结构的，问题主要在交流输入测，可能电源零线虚接或悬浮等，测电压=220V，正常，一带负载，电压就非常低，所以这样的电源经过整流桥，就一定会出现有电压，无电流的情况。一般来说（模块式）整流桥是不会有问题的；2、二极管的整流桥，不但要检查低压而且还应该认真检查管子极性，逐项排查问题会解决的。

这跟你的加热器的加热功率有关系，而且和你的真空室的保温效果有关系。一般装饰镀镀膜机的加热器功率只能加热到350度，工具镀镀膜机的加热器功率能加热到600度。所以不是有加热器就能加热到你想要的温度的，要看你的加热器管的功率。一般装饰镀设备的真空室体积较大，所以想加热到很高温度是很难的。工具镀设备一般真空室较小，而且有特殊的设计，所以能加热到很高的温度，但是目前一般也都在600度以下。

1 直流和射频是对加在靶上的电源所说的。本质区别自然就在直流是持续不间断加在上面，射频是具有一定的频率（13.56MHz）间隔加在靶上的。详细解释只能去看书，还不让粘贴，没人会找本书来给你慢慢敲在这里2 这个说法不对。直流磁控溅射只能用导电的靶材（靶材表面在空气中或者溅射过程中不会形成绝缘层的靶材），并不局限于金属。譬如，对于铝靶，它的表面极易形成不导电的氧化膜层，造成靶表面电荷积累（靶中毒），严重时直流溅射无法进行。这时候，就需要射频电源，简单的说，用射频电源的时候，有一小部分时间是在冲抵靶上积累的电荷，不会发生靶中毒。去找本书，《薄膜科学与技术》，里面解释的还行。或者半导体设备的书里面也会有涉及

如果你的开机电流有这么高的话，是因为他电源压力太高了。

主要的溅射方法可以根据其特征分为以下四种：（1）直流溅射；（2）射频溅射；（3）磁控溅射；（4）反应溅射。另外，利用各种离子束源也可以实现薄膜的溅射沉积。磁控溅射是在二极直流溅射的基础上，在靶表面附近增加一个磁场。电子由于受电场和磁场的作用，做螺旋运动，大大提高了电子的寿命，增加了电离产额，从而放电区的电离度提高，即离子和电子的密度增加。放电区的有效电阻变小，电压下降。另外放电区集中在靶表面，放电区中的离子密度高，所以入射到靶表面的离子密度大大提高，因而溅射产额大大增加。磁场如果能够自闭和称为平衡磁控溅射，不能自闭和称为非平衡磁控溅射。溅射电源通常有下列几种，直流电源，射频电源，直流脉冲电源和中频电源。溅射电源频率区间为5 ~ 30MHz的称为射频溅射。

电压电流直接相乘。另外，一般直流磁控溅射的电源散热量比较大，真正的使用效率只有40%，算是比较好的。国内最好的还是要属珠海的。用电总功率是指的接入电源之前的电压乘电流，外接功率表就好。实际功率为靶材的电压乘电流。并非显示数据。需要实际测量。

交流的贵啊，直流的便宜

如果靶材是磁性材料，磁力线被靶材屏蔽，磁力线难以穿透靶材在靶材表面上方形成磁场，磁控的作用将大大降低。因此，溅射磁性材料时，一方面要求磁控靶的磁场要强一些，另一方面靶材也要制备的薄一些，以便磁力线能穿过靶材，在靶面上方产生磁控作用。磁控溅射设备一般根据所采用的电源的不同又可分为直流溅射和射频溅射两种。直流磁控溅射的特点是在阳极基片和阴极靶之间加一个直流电压，阳离子在电场的作用下轰击靶材，它的溅射速率一般都比较大。但是直流溅射一般只能用于金属靶材，因为如果是绝缘体靶材，则由于阳粒子在靶表面积累，造成所谓的“靶中毒”，溅射率越来越低。

直流使用直流电源，射频使用交流电源。直流磁控溅射一般用于溅射导电（如金属）目标，射频通常用于溅射非导电（如陶瓷）目标。直流磁控溅射只能使用导电靶材，不限于金属。例如，对于铝靶，其表面容易形成不导电的氧化膜层，导致靶表面电荷积累（靶中毒），严重时不能进行直流溅射。此时，需要射频功率。

1.靶材短路后靶材成了负载，瞬间就会产生巨大的热量。由于纯铝的熔点很低，只有660摄氏度，不但在外力的作用下靶材变形，局部还会达到熔点，形成溶洞；2。即便靶材不短路，如果冷却系统出现问题铝靶材也容易变形；3.磁控溅射镀膜电源保护性功能差，超载后不能及时自动停止工作。

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拿个手持辐射测量仪，一切问题都知道！谁知道你这个辐射的强度和性质是多少啊。。。。

BHC6M-2型三相可控硅调压器调功器是运用数字电路触发可控硅实现调压和调功。调压采用移相控制方式，调功有定周期调功和变周期调功两种方式。该控制板带锁相环同步电路、自动判别相位、缺相保护、上电缓起动、缓关断、散热器超温检测、恒流输出、电流限制、过流保护、串行工作状态指示等功能。该控制板的触发有两种方式：直接触发可控硅模块、触发移相型固态继电器。BHC6M-2控制板的特点：十位A/D，输出线性化程度高，输出起控点低。BHC6M-2系列三相电力调整器（说明书中简称BHC6M-2整机）由BHC6M-2触发板、BHC6M-2专用散热器、风机、外壳等组成。核心部分使用BHC6M-2控制板与德国西门康可控硅模块；散热系统采用高效散热器、低噪音风机。整机带有控制板所有的功能。整机电流容量从40A到800A有7个等级。该电力调整器与带0-5V、4-20mA的智能PID调节器或PLC配套使用；主要用与工业电炉的加热节能控制、大型风机水泵软启动运行控制、。负载类型可以是三相阻性负载、三相感性负载及三相变压器负载；三相负载可以是中心接地负载、中心不接地负载、内三角形负载及外三角形负载。如：盐浴炉、工频感应炉、淬火炉温控；热处理炉温控；玻璃生产过程温控；金刚石压机加热；大功率充磁/退磁设备；半导体工业舟蒸发源；航空电源调压；真空磁控溅射电源；中央空调电加热器温控；纺织机械；水晶石生产；粉末冶金机械；隧道电窑集散温控系统；彩色显像管生产设备；冶金机械设备；交直流电机拖动；石油化工机械；电压、电流、功率、灯光等无级平滑调节，恒压恒流恒功率控制等领域。

嗯是滴

1）有高的沉积速率。中频溅射时靶功率密度是直流时的三倍情况下可以得到十倍的沉积速率；2）膜内缺陷低。由于消除了打火现象膜内缺陷比直流溅射时低几个数量级；3）膜内应力低，与基体结合力强。由于中频溅射时到达基体的原子能量高于直流溅射，因此沉积时基体温升高，形成的膜较致密；4）连接简单。中频溅射时电源与靶的连接比射频（13.56MHz)溅射容易，后者需要复杂的阻抗匹配。脉冲磁控溅射是采用脉冲电源或者直流电源与脉冲生成装置配合，输出脉冲电流驱动磁控溅射沉积。一般使用矩形波电压，既容易获得又有利于研究溅射放电等离子体的变化过程。工作模式与中频溅射。民用玻璃膜技术中的真空磁控溅射技术,主要是用于玻璃膜中的金属层,能够达到高清晰,并且是从原子级别进行重新排列和组合,而真正的金属膜是没有彩色的,有的就算金属原色,像银色灰色等等,金属膜能够使得节能方面节约30%左右，所以，不管是建筑膜还是汽车膜方面，请大家可以好好了解一下，了解一下真空磁控溅射技术！大师玻璃膜等是这种技术，而国内的厂商只有西南物理研究科学院掌握了这一技术。

在射频磁控溅射过程中，由于电子的迁移速度远大于离子的迁移速度，使得正半周期积累到靶上的电子数量远大于负半周期积累到靶材上的离子数量，使得射频磁控溅射过程中建立负的靶材自偏压。基底偏压指的是在实验过程中为了增强膜基结合力，用外电源给工件架或者基底加一个负偏压来吸引正离子。板级自偏压没有听说过。所谓自偏压，就是置身于等离子中的，由于表面接受到的离子和电子数量不同而形成的电势差。因此，基底也有负偏压，但是非常小，一般情况下忽略。望采纳！

真空金属溅镀。估计在百度里从事过这方面工作的真的极少真空是0.5？哪个数量级的？1、真空度2、真空室是否洁净3、靶材质量问题4、电压是多少？通常加大的不是电流值，而是功率！5、冷却水温度过低，导致真空室产生结露，导致放电，无法正常溅镀。一般冷却水应该是15度6、真空漏气7、真空金属溅镀的介质是什么？是否氩气？是否已经接入了合适的介质或介质容器是否还有？导入介质的流量是否合适？

磁控溅射是目前应用最广泛的一种溅射沉积方法。它是在二极直流溅射的基础上，在靶表面附近增加一个磁场。电子由于受电场和磁场的作用，做螺旋运动，大大提高了电子的寿命，增加了电离产额，从而放电区的电离度提高，即离子和电子的密度增加。放电区的有效电阻变小，电压下降。另外放电区集中在靶表面，放电区中的离子密度高，所以入射到靶表面的离子密度大大提高，因而溅射产额大大增加。也就是磁场控制溅射方式。

磁控溅射（Magnetron Sputtering）是一种常用的真空镀膜技术，广泛应用于制备薄膜材料。磁控溅射的利用效率通常是指靶材利用率和薄膜沉积速率等方面的表现。1. 靶材利用率：磁控溅射过程中靶材的利用效率受到磁场设计和溅射过程参数的影响。由于磁场的作用，Ar离子在靶材表面产生密集的等离子体，使得靶材的表面被均匀轰击。这可以提高靶材的利用效率，一般可达到20%-30%。优化磁场设计和溅射参数可以进一步提高靶材利用率，部分情况下甚至可达到40%-60%。2. 薄膜沉积速率：磁控溅射的薄膜沉积速率与靶材性质、溅射功率、气压和基材与靶材之间的距离等因素有关。磁控溅射通常具有较高的沉积速率，相对于其他溅射技术（如电子束溅射或直流溅射），磁控溅射的沉积速率要快得多。这使得磁控溅射在大规模生产和高通量薄膜制备领域具有优势。尽管磁控溅射具有较高的利用效率，但仍有改进空间。通过优化磁场设计、提高靶材质量和调整溅射过程参数，可以进一步提高磁控溅射的利用效率。同时，研究新型溅射技术（如高功率脉冲磁控溅射、双磁控溅射等）也有助于提高磁控溅射的整体性能。

就是对于用磁控溅射(射频电源)的方式真空镀ITO透明导电膜时沉积速率的研究.

射频磁控溅射（RF sputtering）中的靶材自偏压是通过射频功率和放电气体（例如氩气）之间的相互作用形成的。在射频磁控溅射过程中，外加射频电源会提供高频电场，在溅射腔室内形成交变电场。当放电气体（如氩气）被注入溅射腔室中并被电离时，电离的气体离子会受到交变电场的作用，产生正负周期性的加速和减速运动。

磁控溅射（Magnetron Sputtering）是一种广泛应用于薄膜材料制备的真空镀膜技术。在这个过程中，靶材是至关重要的组成部分。以下是有关磁控溅射所需靶材的一些基本信息：1. 类型：靶材可以由多种类型的材料制成，包括金属、氧化物、硅酸盐、氮化物、硼化物等。选择合适的靶材类型取决于所需薄膜的性质和应用领域。2. 形状：靶材的常见形状有圆形、矩形、椭圆形以及其它定制形状。其中，圆形和矩形靶材较为常见。靶材的形状应与溅射镀膜设备的设计相匹配，以便于实现高效且均匀的溅射过程。3. 溅射对靶材的性能要求：a) 成分纯度：影响薄膜的质量和性能。一般情况下，靶材的纯度应尽可能高，通常要求99.9%或更高。b) 密度：密度越高，溅射速率越快，薄膜结构和性能越好。密度低的靶材可能导致气体捕捉和无法实现理想的膜密度。c) 表面处理：靶材表面应平整、光滑且无明显缺陷，以保证薄膜的质量和均匀性。d) 机械性能：靶材需要足够的硬度和抗弯曲能力，以避免在加工和运输过程中损坏。e) 温度稳定性：靶材需具备良好的热稳定性，在高温下可以保持其形状和性能。因此，在选择磁控溅射靶材时，应根据所需薄膜的用途、性能要求以及镀膜设备的参数来决定。同时，确保所选靶材具备良好的纯度、密度、表面处理品质以及机械和热稳定性。

辉光放电时，电极之间有明显的放电辉光产生，典型的放电区域划分如图所示。从阴极至阳极的整个放电区域可以划分为阿斯顿暗区、阴极辉光区、克鲁克斯阴极暗区、负辉光区、法拉第暗区、正辉光区、阳极暗区和阳极辉光区八个发光强度不同的区域。在阴极附近有一明亮的发光层，它是由向阴极运动的正离子与阳极发射出的二次电子发生复合所产生的，称为阴极辉光。阴极暗区是二次电子和离子的主要加速区，这个区域的电压降占了整个放电电压的绝大部分。因此可以近似认为，仅仅在阴极暗区所对应的阴极鞘层中才有电位梯度存在，其形成的电压降约等于靶电压。靶电流和电源电流不一样，作为电源，需要有输入和输出，输入指的是电网给进的电量，输入电源的总能量，此时的电流是总能量与电网电压的算法；而输出指的是电源通过整流、改性后（或恒压、或恒流、或恒功率）输出的电流，此时的电流即为电源显示电流。输出的电量根据电源的性质不同，需要消耗不同的输入总电量。直流脉冲电源的转换率只有不到50%，中频电源可以达到90%以上，还有其他射频电源等，但是基本不用在磁控溅射上。题中所说的，电源显示的电流、靶电流基本一致。磁控溅射电流不知道您说的是哪一块。有具体显示单位么？

不好意思，对这块不专业。

基体上是否有加SUB？

磁控溅射膜是指使用磁控溅射设备制取的膜层，根据所用靶材的不同，膜层成分也就不同，溅射时一般充入氩气，在低真空时氩原子被电离，电离出来的氩离子带正电荷，在电场的作用下轰击作为阴极的靶材，靶材表面上的原子在高能氩离子轰击下脱离靶材表面，在被镀膜的基体上沉积下来，氩气在这个过程中起到轰击的媒体。如在溅射过程中只充入氩气，溅射的靶材是纯金属，膜层也基本上是金属。实际工作中在充入氩气的同时还会根据需要充入其他气体，较多情况的是氧气，所成的膜实际上是一种成分复杂的混合膜，习惯上仍然称之为金属膜。金属膜不全是用磁控溅射制取，其它方式也能获取，只是那些方式制取的膜习惯上冠以那些方式的名称，如化学沉积膜、电镀膜等。

氧气，氮气主要是反应溅射用的，氩气主要是起到保护作用，望采纳~

有没有灰尘或者水渍

磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点：利用磁场与电场交互作用，使电子在靶表面附近成螺旋状运行，从而增大电子撞击氩气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源镀膜均匀，非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多用于半导体光学膜，非平衡多用于磨损装饰膜。磁控阴极按照磁场位形分布不同，大致可分为平衡态和非平衡磁控阴极。平衡态磁控阴极内外磁钢的磁通量大致相等，两极磁力线闭合于靶面，很好地将电子/等离子体约束在靶面附近，增加碰撞几率，提高了离化效率，因而在较低的工作气压和电压下就能起辉并维持辉光放电，靶材利用率相对较高，但由于电子沿磁力线运动主要闭合于靶面，基片区域所受离子轰击较小.非平衡磁控溅射技术概念，即让磁控阴极外磁极磁通大于内磁极，两极磁力线在靶面不完全闭合，部分磁力线可沿靶的边缘延伸到基片区域，从而部分电子可以沿着磁力线扩展到基片，增加基片区域的等离子体密度和气体电离率.不管平衡非平衡，若磁铁静止，其磁场特性决定一般靶材利用率小于30%。为增大靶材利用率，可采用旋转磁场。但旋转磁场需要旋转机构，同时溅射速率要减小。旋转磁场多用于大型或贵重靶。如半导体膜溅射。对于小型设备和一般工业设备，多用磁场静止靶源。用磁控靶源溅射金属和合金很容易，点火和溅射很方便。这是因为靶（阴极），等离子体，和被溅零件/真空腔体可形成回路。但若溅射绝缘体如陶瓷则回路断了。于是人们采用高频电源，回路中加入很强的电容。这样在绝缘回路中靶材成了一个电容。但高频磁控溅射电源昂贵，溅射速率很小，同时接地技术很复杂，因而难大规模采用。为解决此问题，发明了磁控反应溅射。就是用金属靶，加入氩气和反应气体如氮气或氧气。当金属靶材撞向零件时由于能量转化，与反应气体化合生成氮化物或氧化物。磁控反应溅射绝缘体看似容易,而实际操作困难。主要问题是反应不光发生在零件表面，也发生在阳极，真空腔体表面，以及靶源表面。从而引起灭火，靶源和工件表面起弧等。德国莱宝发明的孪生靶源技术，很好的解决了这个问题。其原理是一对靶源互相为阴阳极，从而消除阳极表面氧化或氮化。冷却是一切源（磁控，多弧，离子）所必需，因为能量很大一部分转为热量，若无冷却或冷却不足，这种热量将使靶源温度达一千度以上从而溶化整个靶源。

溅射过程是通过使用离子源（通常是惰性气体，如氩）来轰击一个目标材料，从而使目标材料的原子被“溅射”出来，并沉积在基板上形成薄膜的过程。根据所使用的能源类型，溅射过程可分为直流溅射（DC Sputtering）、直流磁控溅射（DC Magnetron Sputtering）和射频磁控溅射（RF Magnetron Sputtering）等。**直流溅射**：直流溅射使用恒定的电压源，使得离子源被加速并撞击目标材料。这是一种基本的溅射过程，适用于导电目标材料，如金属。**直流磁控溅射**：直流磁控溅射在直流溅射的基础上增加了一个磁场。这个磁场使得在目标材料表面产生的二次电子被限制在一个小区域内，从而增加了电子与气体分子的碰撞概率，提高了离子化的效率。这种方法提高了溅射的效率和薄膜的质量。同样，它主要适用于导电目标材料。**射频磁控溅射**：射频磁控溅射使用交变的电压源（通常是射频电源）来驱动溅射过程。这种方法的主要优点是它可以用于不导电的目标材料，如绝缘体或半导体。同时，它也具有磁控溅射的所有优点，如高效率和优良的薄膜质量。总的来说，这三种溅射过程的主要区别在于所使用的能源类型和是否使用磁场，以及它们各自对目标材料的导电性的要求。

主要的溅射方法可以根据其特征分为以下四种：（1）直流溅射；（2）射频溅射；（3）磁控溅射；（4）反应溅射。另外，利用各种离子束源也可以实现薄膜的溅射沉积。现在的直流溅射（也叫二级溅射）较少用到，原因是溅射气压较高，电压较高，溅射速率小，膜层不稳定等缺点。直流溅射发展后期，人们在其表面加上一定磁场，磁场束缚住自由电子后，以上缺点均有所改善，也是现阶段广泛应用的一种溅射方法。而后又有中频溅射，提高了阴极发电速率，不易造成放电、靶材中毒等现象。而射频溅射是很高频率下对靶材的溅射，不易放电、靶材可任选金属或者陶瓷等材料。沉积的膜层致密，附着力良好。如果寻找本质区别是：直流溅射是气体放电的前期，而射频是后期，我们最常见的射频是电焊机。溅射过程所用设备的区别就是电源的区别。

氩气是用来激发靶材上的材料从靶材逃逸出来.氧气用来氧化镀膜材料的.气体的颜色在真空中无法用肉眼量化,镀膜出来的颜色受氧气影响比较大,因为氧化程度决定了镀膜材料的颜色.

厚膜电阻器又称为玻璃釉电阻器，其导电膜层由玻璃相（硼、铅、铝硅酸盐玻璃，硼酸盐玻璃等）、导电相（如Ru2O）、有机粘合剂（如有机树脂）按照一定比例调制而成的浆料烧结而成。该类电阻器膜层厚度一般为10~50μm。相比于薄膜电阻，厚膜电阻：阻值范围更宽（0.005Ω~1TΩ）精度（一般从0.5%到5%）与温漂更差（一般从50ppm/℃到400ppm/℃）制造工艺更为简易，成本更低功率耐受更强，适合做功率电阻

真我10s手机参数配置如下：手机：真我10s系统：realme UI 3.0真我10s是realme于2022年12月16日发布的手机，于2022年12月20日正式开售。真我10s搭载了6.6英寸全面屏，配有流光蓝、石晶黑两种颜色。高度约为164.4毫米，宽度约为75.1毫米，厚度约为8.1毫米，重量约为191克。真我10s搭载联发科天玑810 5G八核处理器，预装基于Android 12的realme UI 3.0操作系统。前置800万像素镜头，后置5000万像素AI双摄，内置5000毫安时不可拆卸式电池，支持33瓦有线闪充。机身设计真我10s在外观设计上与真我10系列有着同样的设计风格，背部具有闪砂CD纹理。其采用了磁控溅射镀膜工艺，通过气体放点在电磁场的作用下和氩原子碰撞，氩离子轰击靶材形成镀膜。并且采用了PC加PMMA复合材料，轻薄的外观加上直角边框设计。背部采用双环镜头设计，采用侧边指纹解锁，电源键与指纹键解锁二合一。真我10s采用6.6英寸LCD水滴屏，2408×1080分辨率，支持90Hz刷新率。外观上，拥有蓝色和黑色两种配色，最快半个小时即可充至50%。真我10s还支持侧边指纹识别和1115扬声器，支持200%超大音量。以上内容参考：百度百科—真我10s

阳光控制膜一般3－4层，单银low－e一般6层，双银9层。镀膜玻璃现在一般采用真空磁控溅射镀膜，所用材料中，功能层为Ag，保护层多用氧化硅。镀膜层的颜色多种多样，不过更多的是紫红色，因为Ag层反射红外线。

随着市场多元化的不断需求，对于很多企业来说需要根据其产品的工序购置不同的机器设备，拿真空镀膜行业来说，如果一台机器就能完成从镀膜前处理到镀膜后处理，中间不需要人工干预不需要转换工序，那么无疑是企业的香饽饽，在单设备上实现一体化多功能成为了镀膜设备行业企业的共同需求。真空镀膜设备普遍应用于工业生产，无论是小产品还是大产品、金属制品还是塑胶制品、亦或者陶瓷、芯片、电路板、玻璃等产品，基本上所有需要进行表面处理镀膜的都需要用到。在镀膜方式上，比较普遍的是采用蒸发镀或者磁控溅射镀或者离子镀，在控制技术上，更多的应用先进的计算机技术和微电子技术，使得真空镀膜设备更具高效性和智能自动化。真空镀膜行业自改革开放的20多年来有了巨大的发展和长足的进步，这不仅反映在产值、产量上的大幅度增长，而且在品种、规格还有综合技术水平上都取得了可观的成绩，彰显了这样一个事实：高新技术的发展及应用促进和带动了真空设备行业的发展和技术升级。在近十几年来，我国的真空镀膜设备因企业的大量需求而迅速发展，各种类型各种镀膜工艺的真空镀膜设备在不断的增加，其功能也越来越完善。就国内而言，过去两年更多关注真空镀膜行业人群主要集中在华东、华南两个大区。广东、浙江、江苏三省真空镀膜关注量遥遥领先其他省份。国内5000多家真空镀膜企业，广东、浙江两省总计有2500多家，占比高达50%。两省对于引领国内真空镀膜行业的发展起着举足轻重的作用。目前真空镀膜机应用于光学，眼镜，塑料薄膜、金属、灯具、陶瓷、玻璃、廉价塑料，陶瓷，以及各种塑料玩具、塑料日用装饰品、人造首饰、圣诞装饰品、家用电器装饰、电器仪表的表面金属化镀膜，真空镀膜机运用非常广泛。我们接触到的客户常常存在这样的困惑，在产品镀制膜层需求量大了之后，知道自己的产品需要镀什么材质，也知道在材料上要镀一层膜，但国内外镀膜机制造商实在太多，镀膜机对于整个产品的加工有重大的影响，需要采购，然而自己却不知道要采购什么真空镀膜机好，更是不知道如何下手采购一台适合自己公司的真空镀膜机。那么，如何选择一个适合自己的品牌镀膜机呢?专家给出的参考建议如下：1、根据要镀膜工件的材质，根据镀出来的是什么样的效果来选购真空镀膜机的种类。例如，如果主要从事精品加工，那么我们就要买真空镀铝制镜机；如果从事塑料镀膜，例如做汽车灯罩行业的，那么我们就要选择圆型立式真空镀膜机。2、要考虑真空镀膜机的能达到的各项工艺参数，如镀膜颜色、粗糙度、附着力等。3、要考虑设备的用电条件，要根据配置考虑电耗多大，否则电力方面的问题解决不了，设备买回去也是不能用的。4、要考虑真空镀膜的产能和品质来选择适合的真空镀膜机，选择小了产量跟不上，选择大了一方面价格会高，另一方面产能过剩造成资源浪费。而且设备太大并不是适合生存所有的的产品。5、场地问题，要根据要求买多大规格的真空镀膜机来考虑需要多大面积的地方安装设备了。6、真空镀膜机厂家的技术是否支持？是否有维修服务？在选购时最好让真空镀膜机厂家推荐已经购买镀膜机的厂子，去问问关于这个镀膜机生产厂家的镀膜机质量如何，服务怎么样？7、中高端的设备特点，设备稳定性一定要好，选用的配件一定要可靠，镀膜机本身是一个复杂的系统，包括真空，自动化，机械等多个系统，任何一个部件的不可靠，都会造成系统的不稳定，会给生产带来不便，所以，一台稳定的设备，要保证选用的每一个部件都是可靠的，很多人在购买镀膜机时，很自然的会比较，一台100万的镀膜机和一台200万的镀膜机在基本配置上可能不会有非常大的区别，可是正是对一些微小的细节的掌握，才成就了一台性能稳定的镀膜机，最简单的一句话：一分钱一分货。8、看看同行业的知名的公司都在选用哪个公司的镀膜机，这无疑是风险最小的一种选择方式，除了知名的公司，也包括一些质量非常稳定，声誉很好的中小型公司，通过朋友，了解一下他们都在用哪个公司的设备，如果你要和这些公司竞争，选择一台至少不能比他差的镀膜机，这是基本，然后聘用有经验的镀膜师傅，这样你的产品就会很快的打开销路。9、抽真空系统，目前基本是两种，一种是扩散泵系统，一种是分子泵系统，分子泵系统属于清洁抽气系统，没有扩散泵的返油现象，抽速也相对比较稳定，而且比较省电，电费的支出是镀膜企业生产运营成本中很大的一环。对于泵系统的定期维护是很重要的，特别是润滑油的定期更换，注意油品牌号的选择，选择错误很容易损坏真空泵。10、真空检测系统，目前基本都是用复合真空计，热偶规+电离规的组合，这个组合在遇到充入大量含有C元素的气体的工艺，电离规很容易毒化，造成电离规损坏，如果镀制含有大量C元素的气体的工艺，可以考虑，配置电容薄膜规。11、真空电源，国产电源和进口电源的差距还是比较明显，当然价格也比较优惠，一台国产的20KW中频电源在8万左右，一台进口的中频电源在20万，进口电源的性能和可靠性，稳定性会更好，国产电源由于产地就在国内，可能在服务上要好于进口电源。12、控制系统，现在很多的真空镀膜机都采用全自动控制，但是在自动控制中的区别还是很大的，大多数还是在半自动的状态，真正能够实现全自动控制的，一键式操作的镀膜设备还不多，而且在自动控制中是否给操作中足够的安全互锁，功能模块也是区别很大的。13、是否需要配置低温捕集器PolyCold,低温捕集器可以说是一种锦上添花的设备，它能够大大提高抽气的速度，将真空室内的可凝性气体吸附在冷盘管上，净化真空室内的气氛，使膜层质量更好，在炎热潮湿的夏季，低温捕集器的使用无疑在很大程度上，提高了生产效率。对客户而言，需要的不是价格最低的产品，而是在品牌和价格之间做权衡，选择能够满足需求又符合预算的品牌。当客户因特定需求面临众多供应商的抉择时，越来越多的客户倾向选择一个有影响力或者在行业内深耕多年的品牌。广东振华科技股份有限公司由1992年成立的肇庆市振华真空机械有限公司转制而来，总公司位于中国三大真空工业基地之一–广东省肇庆市，拥有超过半个世纪多的真空技术沉淀。

LOW-E玻璃玻璃是重要的建筑材料，随着对建筑物装饰性要求的不断提高，玻璃在建筑行业中的使用量也不断增大。然而，当今人们在选择建筑物的玻璃门窗时，除了考虑其美学和外观特征外，更注重其热量控制、制冷成本和内部阳光投射舒适平衡等问题。这就使得镀膜玻璃家族中的新贵——Low-E玻璃脱颖而出，成为人们关注的焦点。Low-E玻璃又称低辐射玻璃，是在玻璃表面镀上多层金属或其他化合物组成的膜系产品。其镀膜层具有对可见光高透过及对中远红外线高反射的特性，使其与普通玻璃及传统的建筑用镀膜玻璃相比，具有以下明显优势：优异的热性能外门窗玻璃的热损失是建筑物能耗的主要部分，占建筑物能耗的50%以上。有关研究资料表明，玻璃内表面的传热以辐射为主，占58%，这意味着要从改变玻璃的性能来减少热能的损失，最有效的方法是抑制其内表面的辐射。普通浮法玻璃的辐射率高达0.84，当镀上一层以银为基础的低辐射薄膜后，其辐射率可降至0.1以下。因此，用Low-E玻璃制造建筑物门窗，可大大降低因辐射而造成的室内热能向室外的传递，达到理想的节能效果。室内热量损失的降低所带来的另一个显著效益是环保。寒冷季节，因建筑物采暖所造成的CO2、SO2等有害气体的排放是重要的污染源。如果使用Low-E玻璃，由于热损失的降低，可大幅减少因采暖所消耗的燃料，从而减少有害气体的排放。良好的光学性能Low-E玻璃对太阳光中可见光有高的透射比，可达80%以上，而反射比则很低，这使其与传统的镀膜玻璃相比，光学性能大为改观。从室外观看，外观更透明、清晰，即保证了建筑物良好的采光，又避免了以往大面积玻璃幕墙、中空玻璃门窗光反射所造成的光污染现象，营造出更为柔和、舒适的光环境。Low-E玻璃的上述特性使得其在发达国家获得了日益广泛的应用。我国是一个能源相对匮乏的国度，能源的人均占有量很低，而建筑能耗已经占全国总能耗的27.5%左右。因此，大力开发Low-E玻璃的生产技术并推广其应用领域，必将带来显著的社会效益和经济效益。Low-E玻璃的应用与发展在美国及欧洲，低辐射(Low-E)(译称娄义)镀膜玻璃由于其优越的性能，得到了极大的关注。特别是德国的Wschvo法规，使Low-E玻璃有迅猛的发展。欧洲的制造商是在60年代末开始实验室研究"Low-E"的。1978年，美国的英特佩(interqane)成功地将"Low-E"玻璃应用到建筑物上。"Low-E"的优越性是无可质疑的 。从1990年开始，"Low-E"的用量在美国以年5％的速度递增 。将来，"Low-E"是否成为窗玻璃的主导地位还不得知，但是业主和门窗公司都非常重视节能型的门窗。而且，今年的建筑物绝大多数是用它的节能效果来评定优劣的。目前的两种Low-E玻璃生产方法在线高温热解沉积法：在线高温热解沉积法"Low-E"玻璃在美国有多家公司的产品。如PPG公司的 Surgate200，福特公司的Sunglas H．R"P"。这些产品是在浮法玻璃冷却工艺过程中完成的。液体金属或金属粉沫直接喷射到热玻璃表面上，随着玻璃的冷却，金属膜层成为玻璃的一部分 。固此，该膜层坚硬耐用。这种方法生产的"Low-E"玻璃具有许多优点：它可以热弯，钢化，不必在中空状态下使用，可以长期储存。它的缺点是热学性能比较差 。除非膜层非常厚，否则其"u"值只是溅射法"Low-E"镀膜玻璃的一半。如果想通过增加膜厚来改善其热学性能，那么其透明性就非常差。离线真空溅射法离线法生产Low-E玻璃，是目前国际上普遍采用真空磁控溅射镀膜技术。用溅射法可以生产"Low-E"玻璃的厂家及产品有北美的英特佩公司的"LnplusNetetralR"，PPG公司的Sungatel00，福特公司的SunglasHRS等 。和高温热解沉积法不同，溅射法是离线的。且据玻璃传输位置的不同有水平及垂直之分。溅射法工艺生产"Low-E"玻璃，需一层纯银薄膜作为功能膜。纯银膜在二层金属氧化物膜之间。金属氧化物膜对纯银膜提供保护，且作为膜层之间的中间层增加颜色的纯度及光透射度。垂直式生产工艺中，玻璃垂直放置在架子上，送入10-1帕数量级的真空环境中，通入适量的工艺气体（惰性气体Ar或反应气体O2、N2），并保持真空度稳定。将靶材Ag、Si等嵌入阴极，并在与阴极垂直的水平方向置入磁场从而构成磁控靶。以磁控靶为阴极，加上直流或交流电源，在高电压的作用下，工艺气体发生电离，形成等离子体。其中，电子在电场和磁场的共同作用下，进行高速螺旋运动，碰撞气体分子，产生更多的正离子和电子；正离子在电场的作用下，达到一定的能量后撞击阴极靶材，被溅射出的靶材沉积在玻璃基片上形成薄膜。为了形成均匀一致的膜层，阴极靶靠近玻璃表面来回移动。为了取得多层膜，必须使用多个阴极，每一个阴极均是在玻璃表面来回移动，形成一定的膜厚。水平法在很大程度上是和垂直法相似的。主要区别在玻璃的放置，玻璃由水平排列的轮子传输，通过阴极，玻璃通过一系列销定阀门之后，真空度也随之变化。当玻璃到达主要溅射室时，镀膜压力达到，金属阴极靶固定，玻璃移动。在玻璃通过阴极过程中，膜层形成。目前，国产和绝大部分进口磁控溅射镀膜生产线的目标产品均是以镀制单质膜和金属膜为主的阳光控制膜玻璃。这类产品工艺相对简单，对设备的要求较低。因此，这些生产线不能满足镀制LOW-E玻璃的要求。溅射法生产"Low－E"玻璃，具有如下特点：由于有多种金属靶材选择，及多种金属靶材组合，因此，溅射法生产"Low-E"玻璃可有多种配置。在颜色及纯度方面，溅射镀也优于热喷镀，而且，由于是离线法，在新产品开发方面也较灵活 。最主要的优点还在于溅射生产的"Low-E"中空玻璃其"u"值优于热解法产品的"u"值，但是它的缺点是氧化银膜层非常脆弱，所以它不可能象普通玻璃一样使用。它必须要做成中空玻璃，且在未做成中空产品以前，也不适宜长途运输。Low-E玻璃的特点及功能太阳辐射能量的97％集中在波长为0.3-2.5um范围内，这部分能量来自室外；100℃以下物体的辐射能量集中在2.5um以上的长波段，这部分能量主要来自室内。若以室窗为界的话， 冬季或在高纬度地区我们希望室外的辐射能量进来，而室内的辐射能量不要外泄。若以辐射的波长为界的话，室内、室外辐射能的分界点就在2.5um这个波长处。因此，选择具有一定功能的室窗就成为关键。3mm厚的普通透明玻璃对太阳辐射能具有87％的透过率，白天来自室外的辐射能量可大部分透过；但夜晚或阴雨天气，来自室内物体热辐射能量的89％被其吸收，使玻璃温度升高，然后再通过向室内、外辐射和对流交换散发其热量，故无法有效地阻挡室内热量泄向室外。Low-E中空玻璃对0.3-2.5um的太阳能辐射具有60％以上的透过率，白天来自室外辐射能量可大部分透过，但夜晚和阴雨天气，来自室内物体的热辐射约有50％以上被其反射回室内，仅有少于15％的热辐射被其吸收后通过再辐射和对流交换散失，故可有效地阻止室内的热量泄向室外。Low-E玻璃的这一特性，使其具有控制热能单向流向室内的作用。太阳光短波透过窗玻璃后，照射到室内的物品上。这些物品被加热后，将以长波的形式再次辐射。这些长波被"Low-E"窗玻璃阻挡，返回到室内。事实上通过窗玻璃再次辐射被减少到85％，极大地改善了窗玻璃绝热性能。窗玻璃的绝热性能一般是用"u"值来表示的，而"u"值和玻璃的辐射率有直接的关系。"u"值的定义为：ASHRAE标准条件下，由于玻璃热传导和室内外的温差，所形成的空气到空气的传热量。其英制单位为：英热量单位每小时每平方英尺每华氏温度，公制单位为：瓦每平方米每摄氏温度、"u"值越低，通过玻璃的传热量也越低，窗玻璃的绝热性能越好。辐射率是某物体的单位面积辐射的热量同单位面积黑体在相同温度，相同条件下辐射热量之比。辐射率定义是某物体吸收或反射热量的能力。理论上完全黑体对所有波长具有100％的吸收。即反射率为零。因此，黑体辐射率为1.0。通常，浮法白玻璃的辐射率为0.84。而大多数在线热聚合"Low-E"镀膜玻璃的辐射率在0.35到0.5 之间。磁控真空溅射"Low-E"镀膜玻璃的辐射率在0.08到0.15之间。值得注意的是低的辐射率直接对应着低的"u"值。玻璃的辐射率越接近于零，其绝热性能就越好。一个"节能采光系统"的优越性必须体现在尽可能高的太阳总能量的透过，而同时具有最低的"u"值。通过同时考虑能量的获得和热的损失，建立了能量平衡方程式，Ueg=UF-RFg。最好的能量平衡特性的采光系统是真空磁控溅射"Low-E"镀膜中空玻璃。尽管单层玻璃其太阳能的透射为最大，但它的"u"值及"Ueg"值却最差。因此，不能满足好的能量平衡的需求。单纯高的太阳能透射，能有效地保持这些能量，就不能认为它是节能材料。"Low-E" 镀膜中空玻璃是一种较好的节能采光材料。它具有较高的太阳能透射，非常低的"u"值，并且，由于镀膜的效果，"Low-E"玻璃反射的热量回到室内，使得窗玻璃附近的温度较高，人在窗玻璃附近也不会感到太大的不适。而应用"Low-E"窗玻璃的建筑其室内温度相对较高，因此在冬季可以保持相对高的室内温度，而不结霜，这样在室内的人也会倍感舒适。"Low-E"玻璃也能够阻挡大量的紫外线透射，防止室内的物品退色。

第一：靶面金属化合物的形成。由金属靶面通过反应溅射工艺形成化合物的过程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反应气体粒子与靶面原子相碰撞产生化学反应生成化合物原子，通常是放热反应，反应生成热必须有传导出去的途径，否则，该化学反应无法继续进行。在真空条件下气体之间不可能进行热传导，所以，化学反应必须在一个固体表面进行。反应溅射生成物在靶表面、基片表面、和其他结构表面进行。在基片表面生成化合物是我们的目的，在其他结构表面生成化合物是资源的浪费，在靶表面生成化合物一开始是提供化合物原子的源泉，到后来成为不断提供更多化合物原子的障碍。第二：靶中毒的影响因素影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶中毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率，化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度，化合物覆盖面积增加，如果不能及时调整反应气体流量，化合物覆盖面积增加的速率得不到抑制，溅射沟道将进一步被化合物覆盖，当溅射靶被化合物全部覆盖的时候，靶完全中毒。第三：靶中毒现象(1)正离子堆积：靶中毒时，靶面形成一层绝缘膜，正离子到达阴极靶面时由于绝缘层的阻挡，不能直接进入阴极靶面，而是堆积在靶面上，容易产生冷场致弧光放电---打弧，使阴极溅射无法进行下去。（2）阳极消失：靶中毒时，接地的真空室壁上也沉积了绝缘膜，到达阳极的电子无法进入阳极，形成阳极消失现象。第四：靶中毒的物理解释（1）一般情况下，金属化合物的二次电子发射系数比金属的高，靶中毒后，靶材表面都是金属化合物，在受到离子轰击之后，释放的二次电子数量增加，提高了空间的导通能力，降低了等离子体阻抗，导致溅射电压降低。从而降低了溅射速率。一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间，当发生靶中毒时，溅射电压会显著降低。（2）金属靶材与化合物靶材本来溅射速率就不一样，一般情况下金属的溅射系数要比化合物的溅射系数高，所以靶中毒后溅射速率低。（3）反应溅射气体的溅射效率本来就比惰性气体的溅射效率低，所以反应气体比例增加后，综合溅射速率降低。第五：靶中毒的解决办法（1）采用中频电源或射频电源。（2）采用闭环控制反应气体的通入量。（3）采用孪生靶（4）控制镀膜模式的变换：在镀膜前，采集靶中毒的迟滞效应曲线，使进气流量控制在产生靶中毒的前沿，确保工艺过程始终处于沉积速率陡降前的模式。

氩气是工作气体，它属于惰性气体不与其它气体产生反应，氧气和氮气是反应气体，

使用直流电源，电子方向始终统一，会导致单一种类电荷堆积过高与控制源中和。也就是说用来提供动力的正负极被中和了。然后磁控溅射将不再继续。所以采用脉冲电源。真空镀膜简介真空镀膜一种由物理方法产生薄膜材料的技术。在真空室内材料的原子从加热源离析出来打到被镀物体的表面上。此项技术最先用于生产光学镜片，如航海望远镜镜片等。后延伸到其他功能薄膜，唱片镀铝、装饰镀膜和材料表面改性等。如手表外壳镀仿金色，机械刀具镀膜，改变加工红硬性。在真空中制备膜层，包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。虽然化学汽相沉积也采用减压、低压或等离子体等真空手段，但一般真空镀膜是指用物理的方法沉积薄膜。真空镀膜有三种形式，即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。真空镀膜技术初现于20世纪30年代，四五十年代开始出现工业应用，工业化大规模生产开始于20世纪80年代，在电子、宇航、包装、装潢、烫金印刷等工业中取得广泛的应用。真空镀膜是指在真空环境下，将某种金属或金属化合物以气相的形式沉积到材料表面（通常是非金属材料），属于物理气相沉积工艺。因为镀层常为金属薄膜，故也称真空金属化。广义的真空镀膜还包括在金属或非金属材料表面真空蒸镀聚合物等非金属功能性薄膜。在所有被镀材料中，以塑料最为常见，其次，为纸张镀膜。相对于金属、陶瓷、木材等材料，塑料具有来源充足、性能易于调控、加工方便等优势，因此种类繁多的塑料或其他高分子材料作为工程装饰性结构材料，大量应用于汽车、家电、日用包装、工艺装饰等工业领域。但塑料材料大多存在表面硬度不高、外观不够华丽、耐磨性低等缺陷，如在塑料表面蒸镀一层极薄的金属薄膜，即可赋予塑料程亮的金属外观，合适的金属源还可大大增加材料表面耐磨性能，大大拓宽了塑料的装饰性和应用范围。真空镀膜的功能是多方面的，这也决定了其应用场合非常丰富。总体来说，真空镀膜的主要功能包括赋予被镀件表面高度金属光泽和镜面效果，在薄膜材料上使膜层具有出色的阻隔性能，提供优异的电磁屏蔽和导电效果。

1、接地，内接稳压基准电路2、开关管基极3、开关管集电极4、开关管发射极5、误差比较电压信号输入，兼待机控制集成电路分为厚膜电路、薄膜电路和半导体集成电路。厚膜电路与薄膜电路的区别有两点：其一是膜厚的区别，厚膜电路的膜厚一般大于10μm，薄膜的膜厚小于10μm，大多处于小于1μm。其二是制造工艺的区别，厚膜电路一般采用丝网印刷工艺，最先进的材料基板使用陶瓷作为基板，（较多的使用氧化铝陶瓷），薄膜电路采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法。扩展资料：注意事项：在实际使用中，如果电路中流过电阻的电流为100mA，阻值为100Ω，那么在电阻上的功率消耗为1W，选择常用的贴片电阻，如封装为0805或1206等是不合适在这个电路中使用，会因电阻额定功率小而出现烧毁的问题。因此选择电阻的额定功率要满足在1W以上，也就是电路设计选择电阻的功率余量一般在2倍以上，否则电阻上消耗的功率会使电阻过热而失效。处理好以上两点就可以很好的实现SMT厚膜电阻使用安全，在电路设计的时候也可以避免失败次数，可以在相关测试环境的减少因SMT厚膜电阻的损坏而造成整个电路的烧毁。参考资料来源：百度百科-厚膜电阻

1、偏压太小2、Ar的溅射气压不合适，应在E-3mbar

靶材一闪一闪应该是打火现象。电流加不上去，有很多情况。建议你提高气压，适当降低衬底温度和负偏压试试，应该能得到改善。如果电源、靶材等都没问题，有可能是磁场退化了或高温下磁场减弱了。你们的电流10A很高啦！一般都是几毫安每平方厘米。

两者应用环境很不一样。磁控溅射是真空环境中镀膜，牢固性，致密性和均匀性都是很完美的。磁控溅射还可以镀光学膜。电镀之能镀金属吧。一个是化学过程，一个是物理过程。磁控溅射：磁控溅射（英语：magnetron sputtering）是在溅射的基础上，运用靶板材料自身的电场与磁场的相互电磁交互作用，在靶板附近添加磁场，使得二次电子电离出更多的氩离子，增加溅射效率。磁控溅射分为平衡式与不平衡式。这种技术应用于材料镀膜。其中高功率脉冲磁控溅射（high-power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) 或 high-power pulsed magnetron sputtering (HPPMS)）近来使用较为普遍。

磁控溅射是一种物理气相沉积（PVD）技术，主要用于薄膜材料的沉积。这种技术的关键特点是在溅射过程中使用磁场来控制和增强溅射过程。磁控溅射的基本原理：1. **建立等离子体**：在真空室内，向内部添加一种惰性气体，如氩气。然后通过电源（通常是直流电源，但也可能是射频电源）在阴极（通常是目标材料）和阳极（通常是真空室壁）之间建立电场。这个电场会使得氩气离子化，形成等离子体。2. **溅射过程**：等离子体中的氩离子受到电场的驱动，以高速撞击靶材。这种撞击会从靶材表面溅射出原子或者分子。3. **磁控制**：在靶材的表面设置一个磁场。磁场的存在可以使得溅射过程更加高效。这是因为磁场会使等离子体中的电子的运动路径变得复杂，因此电子与氩气原子的碰撞机率增加，从而更有效地产生氩离子。此外，磁场还能够将氩离子限制在靶材附近，从而提高氩离子撞击靶材的机率。4. **薄膜沉积**：从靶材表面溅射出来的原子或分子会在基板表面沉积，形成薄膜。通过控制磁场的强度和方向、电源的电压和电流、真空室内的压强以及基板的温度等条件，可以调控薄膜的厚度、成分和结构。