电脑内存条型号？

现代内存条并不全是杂牌，市面上有很多知名品牌的内存条，例如Kingston、Corsair、Crucial等等。这些品牌有着良好的口碑和不错的性能表现。而且，即使是一些没有那么知名的品牌，只要它们采用的是领先的芯片品牌，也能够达到较好的性能和稳定性。另外，现代内存条依靠严格的生产标准和质量控制，杂牌现象大大减少。当然，在市场上仍然存在着一些劣质的山寨内存条，消费者需要提高警惕，选购正规品牌的产品，以保障计算机的性能和稳定性。

分类: 电脑/网络 >> 硬件 问题描述: 我电脑是03年装的,CPU是赛扬2.0的,内存是256M的,现在用感觉有点吃力,我想加多条内存条升级.用CPUZ检测内存显示的信息为:最大带宽PC2100(133MHZ);制造商为三星;颗粒编号为M3 68L3223CTL-CB0.但从内存条上面标注的信息为:hynix 328A HY5DU56822BT-H KOREA KF02106.为现代的内存,我这条内存是假的吗?怎样验证? 不胜感激!!! 解析: 假内存多是用劣质货冒充名牌产品。由于合格的内存芯片生产先将硅晶片切割成小的晶片，并进行简单的EDS测试，完成芯片的大部分功能测试，这是前工序；接着对晶片做I／O（输入／输出）设置和保护，这是后工序；最后对整个芯片做全面的检测，这是检验工序。由于检验工序耗时最长，费用也较高。一些大厂商只做前工序后即将初级产品卖给别的半导体厂家做后工序，做完后半导体厂家并不进行检验工序，也不打任何标识就出售给一些内存条生产商。一些不法内存条生产商购得内存芯片在手工作坊里制造内存条，并标上某些著名的商标出售。假内存的PCB板质量差，做工粗糙。 一、假内存可能有以下特征 1.芯片封装是否破损。 2.电路板造工粗糙，有毛刺和裂痕。 3.用开机方法测试假冒或坏SPD，在BIOS中把“SDRAM Control By”设成“BY SPD”。 4.在BIOS中把内存的ECC校验打开，开机测试ECC奇偶样验内存的真假。 5.用药水清洗芯片变白，字迹粗糙。 6. 打磨芯片有刮痕且方向一致，真内存的标识字符通常较暗。 二、假内存的种类 1.以次充好：JS将一些坏掉可利用的内存条经过屏蔽，其中一部分内存颗粒还可以正常工作，于是经过改造又拿到市场出售。 2.超频：通常以低品质内存冒充高品质内存，比如将PC100的内存强制在133MHZ下工作，它是整机中一的个不稳定隐患。 3.混淆视听：JS以内存芯片颗粒的编号欺骗消费者。 4.打磨：不法JS将一些杂牌的内存颗粒经过打磨，擦除掉上面的内存颗粒信息，在刷上高档名牌内存颗粒的标志进行兜售。 5.洋垃圾废物再利用：JS将国外送来的洋垃圾内存中，将仅存的好颗粒都拿下来，重新印刷PCB组装生产新的内存。 三、分辩内存A条和B条 内存的A条B条，指HY的内存。A条指正货，正货的HY有两种，一种是HY原厂条，芯片、底板都是HY原厂的，另一种是HY的兼容条，它芯片是HY 的，底板不是HY原厂的。所谓的B条就是指打磨条，打磨条是将不是HY的芯片打上HY的牌子而销售的假内存条，B条有的是在没有刻品牌内存芯片（白板条）用激光打上HY的牌子，有的是一些无名小厂把自己的内存芯片打上HY的牌子，再做成的假现代内存条来卖。 分辩HY的真假,主要是看芯片右下角的编号,真正的HY编号是采用阴阳雕刻.一般都不太明显,字体比较细,要把芯片斜对光线才可以看清.而打磨的芯片编号一般很清楚,字体较大,十分明显.也可用天那水刷一下芯片,真的HY的内存一刷后,字体就很快显示出来了,B条一般要很久. 四、真假Hynix内存芯片 真Hynix内存芯片真芯片左下角有一个圆形凹槽，右下角也有一排稍暗的印字，这些特征假芯片都没有。在外观上真内存条上贴的是原厂标签，而假的是普通贴纸；真的Hynix内存芯片在整条电路上的排列是无间隙排列，假的则有明显间隔；真的Hynix内存芯片从背面可以看到圆形凹槽，假的Hynix内存芯片背面则是三个呈直线排列的圆形标记。 五、真假金邦金条内存 真金邦金条用的BLP封装，用六层PCB板。假货字迹较模糊，特别是那个金字，电路板质量差，芯片上的编号和品名好像有打磨过的痕迹.字是印上去的,缺少激光蚀刻那种质感。那块SPD颗粒上也是字迹模糊，电路板的颜色较暗。 六、真假KingMax内存 KingMax内存采用的是先进的TinyBGA封装技术，从表面上应该是看不到芯片引脚的，假的KingMax内存采用的是传统TSOP封装，所以可以清楚的看到从芯片中延伸出的引脚，而且KingMax以前所出的TSOP封装内存并未在芯片上打上KingMax标识，所以在购买时一定要认清内存芯片是否采用的是TinyBGA封装。

分类: 电脑/网络 >> 硬件 问题描述: 电脑为联想品牌机,以前有根内存为128MB P133 SDRAM现代单面.因升级需要,后买了根256MB P133 SDRAM现代单面内存,两根内存都插到主板上只显示256MB,用单根256MB插到主板只显示128MB,请问有什么办法解决?(256MB的芯片数据为:HY57V56820HT-H) 解析: 和你的主板有关系 我也有一根这样的条子 在有些主板上是256 在有些主板上是128 分界线好象是815pe以上吧 不是很确定 但的确是主板不支持 解决的方法只有刷bios或者换主板

韩国现代

hynix是苹果原装。苹果以允许Xerox向自己投资作为条件，换取苹果的工程师进入PARC研究所工作3天的权利。而许多PARC的研究员如拉里泰斯勒在同事们的反对声中加入苹果电脑工作。Hynix的特点Hynix海力士公司是一家专门制作和销售电子芯片的公司，是韩国的一家公司，于1996年创立，经过二十年的努力和发展，已经成为了一家知名的电子芯片厂家。海力士公司旗下的产品不仅制作精美，而且质量可靠，受到许多消费者的喜爱，更是受到了全球许多用户的称赞。海力士内存就是韩国现代内存Hynix ,目前也属于全球前五大内存厂商，产品在品质，可靠性等方面在三星，MTELPIDA之下，但还是很不错的。Hynix海力士芯片生产商源于韩国品牌英文缩写HY海力士为原来的现代内存，2001年更名为海力士。

双通道DDR技术、四倍带宽内存技术。双通道DDR技术为一种内存的控制技术，它和双通道RDRAM技术非常相类似，是在现有的DDR内存技术上，通过扩展内存子系统位宽使得内存子系统的带宽在频率不变的情况提高了一倍：即通过两个64bit内存控制器来获得128bit内存总线所达到的带宽。用四倍带宽内存技术的英文全称是Quad Band Memory，简称QBM，QBM并不是什么全新的内存架构，也不是什么全新的内存产品，与双通道DDR技术一样也是一种内存控制技术。QBM采用一种位填塞机制，不需要更高时脉频率的内存组件，在不增加内存基准频率的条件下，QBM可以利用现有的DDR内存和其它组件，实现了能获得两倍数据率的配置。扩展资料SDRAM、DDR和DDRⅡ的总线位宽为64位，RDRAM的位宽为16位。而这两者在结构上有很大区别：SDRAM、DDR和DDRⅡ的64位总线必须由多枚芯片共同实现，计算方法如下：内存模组位宽=内存芯片位宽×单面芯片数量（假定为单面单物理BANK）。如果内存芯片的位宽为8位，那么模组中必须、也只能有8颗芯片，多一枚、少一枚都是不允许的；如果芯片的位宽为4位，模组就必须有16颗芯片才行，显然，为实现更高的模组容量，采用高位宽的芯片是一个好办法。而对RDRAM来说就不是如此，它的内存总线为串联架构，总线位宽就等于内存芯片的位宽。参考资料来源：百度百科-带宽参考资料来源：百度百科-内存带宽

现代是内存芯片的大厂，但它本身是不生产内存，现代基本在中国没有原厂的内存卖，现在所谓的现代散装内存90％都是一些地下小作坊用现代内存芯片生产的杂牌内存，它们连名字都没有，所以统称叫做现代散装的，它们的质量可想而知了，剩下的10％就是品牌机用来OEM的，这部分的质量还可以，但很难找到。不信可以用CPU－Z看看这些现代散装内存的DSP，它们是没有编号、生产日期、生产厂商的三无产品就是杂牌的。最近有一些盒装的现代内存卖但是大部分也是假的。虽然被称作是现代内存的内存质量这么差但是现代内存的芯片的内存、显卡或者硬盘的质量一点也不差，例如用HYD43的金士顿内存就是内存中的极品。补充一点，内存的质量主要是体现在超频性能上，有的人用的CPU是很好超频的那种，主板也不差，但是就是不能超得它高，这就是由于内存质量的问题，因为CPU在外频提高的时候内存的频率也跟着提高，通常内存的极限频率会比CPU的要低得多，所以超频时内存是非常重要的。对于不超频的来说杂牌内存和质量好的内存在性能上用起来是完全一样的，但在延时方面名牌的内存要稍微短一些，但这要在测试软件中才能体现到。虽然性能差不多，但也是不鼓励大家买杂牌的内存，因为杂牌的故障率比较高，有时候莫名其妙的系统崩溃很多都是由于内存引起的，所以还是建议大家用质量比较好的名牌内存。

搞不懂

以GM开头的可能是现代比较老的内存颗粒，72V是SDRAM的意思，66后面的8是指内存单颗为8MB，8*18=128MB，所以内存条是128MB每条的。T7J是频率的表示，应该是PC133的SD内存。T10是PC100的。前面那条只有64MB可能是内存条有部分颗粒损坏了造成的也可能是安装的时候接触不良，容量识别错误。“现代”内存的标号:1:HYUNDAI KOREA代表HY生产的颗粒喽 2：内存芯片类型：5D ：DDR SDRAMS 3：工艺与工作电压V ：CMOS，3.3V U : CMOS, 2.5V 4：芯片容量和刷新速率： 64 :64m, 4kref 66 :64m, 2kref 28 :128m,4kref 56 :256m,8kref 12 :512m,8kref 5: 芯片结构（数据宽度）4：X4（数据宽度4bit 下同) 8 :x8 16 :x16 32 :x32 6：BANK数量： 1 :2BANKS 2 :4BANKS 7：I/O界面： 1 :SSTL_3 2 :SSTL_2 8：芯片内核版本： 空白:第一代 A :第二代 B :第三代 C :第四代 9：能量等级： 空白 :普通 L :低能耗 10：封装形式： T :TSOP Q :TQFP L :CSP(LF-CSP) F :FBGA 11：工作速度： 33 :300NHZ 4 :250MHZ 43 :233MHZ 45 :222MHZ 5 :200MHZ 55 :183MHZ K :DDR266A H :DDR266B L :DDR200

　　现代条子商标为 “ hynix ”，也称为“海力士”品牌，如下图示。2GB为容量，1Rx8指8个芯片颗粒，PC3-10600S指DDR3规格的带宽，即1333MHz。-9-11为内存的时序参数，B2产品规格。下一行为厂商的内部编码。　　

不建议购买现代的，现代虽然兼容行很好，但毕竟已经是街知乡闻了，仿造现代得小厂也很多，不是内行得认不出是真是假！DDR应该也不会怎么降价了，老了嘛！想买就要及早买了，到时不生产得时候还会更贵呢！

现代内存编号揭秘 现代内存颗粒的编号是由四段字母或数字组成，如下图一所示，下面，小编就给大家分别解释，主要对内存规格进行说明。现代内存编号示意图 A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。 C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同，分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。 D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二所示。D部分编号12个小部分分解示意图采用现代颗粒的内存颗粒特写 第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成，“5D”表示为DDR内存，“57”表示为SDRAM内存。 第3部分代表工作电压，由一个字母组成。其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V； U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V来分别代表不同的工作电压。 第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。对于DDR内存，分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为：64代表64MB容量，4K刷新；66代表64MB容量，2K刷新； 28代表128MB容量，4K刷新；56代表256MB容量，8K刷新；57代表256MB容量，4K刷新；12代表512MB容量，8K刷新；1G代表1GB容量，8K刷新。 第5部分代表该内存颗粒的位宽，由1个或2个数字组成。分为4种情况，分别用“4、8、16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32bit。 第6部分表示的是Bank数，由1个数字组成。有三种情况，分别是“1”代表2 bank，“2”代表4 bank，“4”代表8 bank。 第7部分代表接口类型，由一个数字组成。分为三种情况，分别是“1”代表SSTL_3，“2”代表SSTL_2；“3”代表SSTL_18。 第8部分代表该颗粒的版本，由一个字母组成，这部分的字母在26个字母中的位置越*后，说明该内存颗粒的版本越新，目前为止HY内存共有5个版本，表现在编号上，空白表示第一版，“A”表示第二版，依次类推，到第5版则有“D”来代表。购买内存的时候版本越说明新电器性能越好。 第9部分代表的是功耗，如果该部分是空白，则说明该颗粒的功耗为普通，如果该部分出现了“L”字母，则代表该内存颗粒为低功耗。 第10部分代表内存的封装类型，由一个或两个字母组成。由“T”代表TOSP封装，“Q”代表LOFP封装，“F”代表FBGA封装，“FC”代表FBGA（UTC：8 x 13mm）封装。 第11部分代表堆叠封装，由一个或两个字母组成。空白代表普通；S代表Hynix；K代表M&T；J代表其它；M代表MCP（Hynix）；MU代表MCP（UTC）。 第12部分代表封装材料，由一个字母组成。空白表示普通，“P”代表铅，“H”代表卤素，“R”代表铅和卤素。 总的说来，其实只要记住第2、3、6和C部分等几处数字的实际含义，就能很轻松对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是C部分数字，它将很明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。总的来说购买采用现代颗粒的DDR400内存条，最好购买编号是“HYXXXXXXXDX”，对于DDR400内存来说编号的尾数最好是“D43”，因为“D”代表的是最新版的现代DDR内存颗粒，在超频方面其表现非常出色的表现。而“D43”所代表的是216MHz的工作频率，将其运用在DDR400内存中，实际上是将“D43”降频为“D4”使用，具有很强的超频能力。对于目前内存市场的发展和其优惠价格来说，512MB/DDR400和DDR2/533内存是现在最值得购买的内存，无论是其价格还是在用料上都是非常优惠和出色的，最后提醒大家的是购买内存时要注意售后服务.

因为现代全是水货就换了个马甲(海力士)

芯片用的是现代的芯片，海力士是负责组装生成品。现代海力士内存条真假鉴别方法：1、内存上面最明显的就是上面的颗粒，正品的内存颗粒上面光滑平整，文字印制的比较清晰。而仿品颗粒上面我们可以看见有很多细小的摩擦痕迹，表面也不是很平整，还有文字上的错误。正品下面的文字是“KOR”，但是假货下面的文字居然写成了“KOREA”，我想可能是在校对的时候没有用心，或者是在别的产品上复制过来写到这上面了。总之拼写上存在着误差。2、接下来我们看内存芯片的侧面，首先我们看见的区别就是，正品内存芯片下方的电容组一个不少的在那里“站岗”。但是假货的电容组呢，可以不用说组了，就那么孤单的一个，其他的都被省略了。另外正品侧面引脚的间距比较大，但是仿品的引脚间距就比较密集，暴露了是假货的真面目。3、在内存芯片上面通过仔细观察，就是我画圈的位置。正品的下角有一个定位坑点，是用来固定颗粒用的，表面上看还比较清楚呢。而假现代内存芯片上，坑点没有了，不知道是本来就没有，还是由于表面涂了一层漆，把坑填满了的缘故，我也弄不清楚。大家在购买的时候，如果芯片上的坑点没有或者是不清楚，那么就要慎重考虑是否购买了。4、正品在做工方面是比较讲究的，所以没有放过一个细节。正品金手指由于用材和做工都比较好，所以表面看起来整洁，没有任何划痕。而仿品的做工比较粗糙，表面已经开始出现氧化的现象，磨损的比较严重。另外我们看正品的金手指外侧是凸出一小块的。但是仿品这边直接全是平行的，这又说明了在做工方面没有用心。

现代内存编号一般如下：XXXXXXXXXXX-YY我们就要看YY是什么了：C4：速度为DDR2 533 4-4-4S6则为DDR2 800 6-6-6S5则为DDR2 800 5-5-5Y6为DDR2 677 6-6-6Y5为DDR2 677 5-5-5Y4为DDR2 677 4-4-4C5为DDR2 533 5-5-5C3为DDR2 533 3-3-3DDR内存则为XXXXXXXXXX-YYYYYY部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同，分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。

现代内存的含义：HY5DV641622AT-36HY XX X XX XX XX X X X X X XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 121、HY代表是现代的产品2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_28、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A

内存颗粒大小，外频。电压

告诉你吧 512的420RMB 左右 就是好的 以牌子认东西 虽然对但是价格也不错喔 ￥#·￥·￥#·

海力士是以前的叫法2012年sk集团并购了海力士然后改名为sk海力士Hynix 海力士芯片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士。2012年更名SK hynix。海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。2012年2月，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。

颗粒的型号是HYMP564S64CP6-Y5(笔记本内存?)

内存采用了Hynix编号为HY5DU56822BT-J内存模组，运行频率333MHz

有很多颗粒，各自有不同的编号方法，都想搞清楚比较困难。请针对你的内存颗粒品牌去百度搜索一下。

这条是 海力士的内存条。具体大小可以找台电脑试试，下载个鲁大师看。

现代内存现在以作内存颗粒为主的,就像原料批发总厂似的所以便宜啊.性价比比较高啦希望采纳

原厂是韩国

记忆科技的内存条不错。性能差距不大，海力士就是十多年前的现代，2000年那会，流行现代内存，后来似乎不做零售市场，专搞OEM内存或显存了。记忆科技的知名度比海力士还差很多，其生产的内存多见于联想，清华同方的品牌机使用。桃宝上能买到的记忆内存，多是品牌机拆机的二手旧内存。内存条是CPU可通过总线寻址，并进行读写操作的电脑部件。内存条在个人电脑历史上曾经是主内存的扩展。随着电脑软、硬件技术不断更新的要求，内存条已成为读写内存的整体。我们通常所说电脑内存（RAM）的大小，即是指内存条的总容量。内存条是电脑必不可少的组成部分，CPU可通过数据总线对内存寻址。历史上的电脑主板上有主内存，内存条是主内存的扩展。以后的电脑主板上没有主内存，CPU完全依赖内存条。所有外存上的内容必须通过内存才能发挥作用。

编号为HY5DU56822BT-D43　　这串编号是由14组数字组成的，这14组数字代表着14组不同的重要参数，分别如下：·“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。·“5D”是内存芯片类型为DDR，57则为SD类型。·“U”代表处理工艺及电压为2.5V。(V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)·“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。(64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新)·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)· 能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度)　　因此，通过编号“HY5DU56822BT-D43”的内存颗粒我们可以了解到，这是一款DDR SDRAM内存，容量为256MB，采用TSOP封装，速度为DDR400。　　由上面各个编号可以看出，其中最重要的是第13个编号，它明确的告诉我们这款内存实际的最高工作频率是怎样。例如你的内存的颗粒第13位编号是“J”，而又运行在DDR400的频率下，那么这款内存很可能是被超频使用，超频使用的内存不仅稳定性能大打折扣，而且其寿命也会受到影响。看编号识别现代内存

DDR 266 容量256M 8颗粒x32M 采用HY芯片

一颗128M16是单片256M，256M16是单片512M，我们自己贴片机顶盒PCBA最常用这两种料，前面的贴两颗凑成512MB容量，后面贴两颗凑成1GB

根据楼上的图，差别就在DIE GENERATION上面，这个直译过来就是第几代模具,A第二代B第三代，个人感觉应该是基地材料或是涂层的差别吧，总体上应该差别不大

HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14 整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下：1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11．封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））12．封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）13．速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）14．工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））

Samsung内存 具体含义解释： 例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容 量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存 条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数 据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判 定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 ·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank) ·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18) ·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代) ·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。 ·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA) ·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。 ·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。 ·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200) ·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度) 现代内存的含义： HY5DV641622AT-36 HYXXXXXXXXXXXXXXXX 123456789101112 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)； 3、处理工艺及工作电压：(空白=5V；V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V) 4、芯片容量密度和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64：64M 4K刷新；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；128= 128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；256=256Mbits、16KRef；257=256Mbits、8KRef ；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系 7、I/O界面：1:SSTL_3、 2:SSTL_2 8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新 9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片 10、内存芯片封装形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-Ⅱ，TD=13mmTSOP-Ⅱ，TG=16mmTSOP-Ⅱ 11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、L:DDR200、H:DDR266B、 K:DDR266A 现代的mBGA封装的颗粒 Infineon（英飞凌） Infineon 是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为 256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存 颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。 HYB39S128400即128MB/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如： HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即 256MB/8bits。 Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。 -7.5——表示该内存的工作频率是133MHz； -8——表示该内存的工作频率是100MHz。 例如： 1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。 1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×8片/8=128MB（兆字节）。 KINGMAX、kti KINGMAX内存的说明 Kingmax 内存都是采用TinyBGA封装（Tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全 是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。 容量备注： KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间×4位数据宽度；KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间×8位数据宽度； KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间×4位数据宽度； KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间×8位数据宽度； KSV864T4XXX——128Mbits，8M地址空间×16位数据宽度。 Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率： -7A——PC133/CL=2； -7——PC133/CL=3；-8A——PC100/CL=2；-8——PC100/CL=3。 例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造，其容量计算为：64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。 Micron（美光） 以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。 含义： MT——Micron的厂商名称。 48——内存的类型。48代表SDRAM；46代表DDR。 LC——供电电压。LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V。 16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。 A2——内存内核版本号。 TG——封装方式，TG即TSOP封装。 -75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。 实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）。Winbond（华邦） 含义说明： WXXXXXXXX 12345 1、W代表内存颗粒是由Winbond生产 2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM 3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H； 4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装 5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ Mosel（台湾茂矽） 台 湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示 单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns NANYA（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR 南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第 4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns。 AP、Whichip、Mr.STONE、Lei、GOLD M.tec（勤茂）、TwinMOS（勤茂） V-DATA（香港威刚）、A-DATA（台湾威刚）、VT 内存颗粒编号为VDD8608A8A-6B H0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256M容量，0327代表它的生产日期为2003年第27周 A－DATA 这是A－DATA的DDR500

这是颗粒的型号.你这个是HY颗粒的内存.而后面是代码.

目前市面上海力士的内存比较好，现代内存都是比较老的，比不上最新的海力士内存。-----海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士. 　　海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会社成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。 -----现代内存是海力士内存的前身，本来就是一家，谈品牌好与不好没有什么意义。只是现代内存2001年就变更为海力士了，所以市面上现存的现代内存都是很老的产品，性能方面当然不如现在的海力士内存。

这是SD内存，如果是单面8颗就是64M的，比DDR还早一代。应该是PC100内存。现代内存条 “现代”内存条应该是现时市场最受欢迎的内存，其优点是价格低廉、兼容性强。但是，目前流行的现代内存条大多数并不是现代（HYUNDAI）公司原产的，多数是使用它的内存颗粒。从它的内存颗粒看可分为7J、7K、75和T-P、T-H（见图10）。其中内存颗粒上标示的数据分为3行。下面以图11，详细说明。 第1行 第1行是内存颗粒的生产厂家和产地，“HYUNDAI”表示现代公司，“KOREA”为韩国; 第2行 ①→此处为内存颗粒的生产厂家，“GM”表示LGS公司，“HY”表示现代公司。注:原先的7J、7K和75的现代内存颗粒是由LGS公司生产的，后来LGS和现代公司合并，从此对外都称为现代内存（HYUNDAI）; ②→此处表示内存的类型，“72”、“57”均表示该内存为SDRAM。“5D”为DDR SDRAM; ③→此处为内存的额定工作电压，“V”表示3.3V电压; ④→此处为内存的内存颗粒的容量和刷新，其中16为32Mbit、4K刷新;“28”为128Mbit、4K刷新;“64”为64Mbit、8K刷新;“66”为64Mbit、4K刷新;“56”为256Mbit，8K刷新; ⑤→此处为内存的数据带宽，它表示内存颗粒的数据位宽。“4”为4bit，“8”为8bit，“16”为16bit，“32”为32bit; ⑥→此处为内存的芯片组成，“1”为1Bank，“2”为2Bank，“4”为4Bank; ⑦→此处为内存I／O接口，“0”=LVTTL，“1”=SSTL-3; ⑧→此处为内存的内核代号; ⑨→此处表示内存的功耗，空白时为普通功耗，“L”为低功耗，此处为空白; ⑩→此处表示内存的封装形式，“T”=TSOP，“Q”=TQFP，“I”=BLP，“L”=CSP;→这里表示的就是内存的工作速度，其中“75”为7.5ns（133MHz）、“7K”为10ns（PC100、CL为2、3）、“7J”为10ns（PC100、CL3）、“10K”为10ns（PC66）;在某些使用现代颗粒的显存中，6为6ns（166MHz）、65为6.5ns（153MHz）、7为7ns（143MHz）、75为7.5ns（133MHz）、8为8ns（125MHz）;需要注意的是，现在市场上出现的现代内存，T-H内存颗粒是原来75的替代型，速度为PC133;而T-P内存颗粒则是原来7J、7K的替换型，速度为PC100。 第3行 表示该内存的生产日期，如“0024”就是2000年的第24周生产的。 现代内存的特点主要是价格便宜，兼容性好。但是其速度不高，一般7J、7K的现代内存条只能在100MHz CL3下工作，而75和T-H的现代内存条相对要好些，它能在133MHz CL3下工作，但在CL为2时仍无法正常工作。

目前市面上海力士的内存比较好，现代内存都是比较老的，比不上最新的海力士内存。-----海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士. 　　海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会社成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。 -----现代内存是海力士内存的前身，本来就是一家，谈品牌好与不好没有什么意义。只是现代内存2001年就变更为海力士了，所以市面上现存的现代内存都是很老的产品，性能方面当然不如现在的海力士内存。

目前市面上海力士的内存比较好，现代内存都是比较老的，比不上最新的海力士内存。-----海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士. 　　海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会社成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。 -----现代内存是海力士内存的前身，本来就是一家，谈品牌好与不好没有什么意义。只是现代内存2001年就变更为海力士了，所以市面上现存的现代内存都是很老的产品，性能方面当然不如现在的海力士内存。

　　内存条是计算机重要也是必要部件之一，买到假的劣质的内存条直接影响整个电脑工作，那么怎么辨别真假呢?有哪些技巧?下面是我收集整理的现代内存真假如何鉴别，希望对大家有帮助~~ 　　现代内存真假鉴别的方法 　　内存侧面 　　接下来我们看内存芯片的侧面，首先我们看见的区别就是，正品内存芯片下方的电容组一个不少的在那里“站岗”。但是假货的电容组呢，可以不用说组了，就那么孤单的一个，其他的都被省略了。另外正品侧面引脚的间距比较大，但是仿品的引脚间距就比较密集，暴露了是假货的真面目。 　　细节辨别 　　在内存芯片上面通过仔细观察，就是我画圈的位置。正品的下角有一个定位坑点，是用来固定颗粒用的，表面上看还比较清楚呢。而假现代内存芯片上，坑点没有了，不知道是本来就没有，还是由于表面涂了一层漆，把坑填满了的缘故，我也弄不清楚。大家在购买的时候，如果芯片上的坑点没有或者是不清楚，那么就要慎重考虑是否购买了。 　　看颗粒信息 　　内存上面最明显的就是上面的颗粒，正品的内存颗粒上面光滑平整，文字印制的比较清晰。而仿品颗粒上面我们可以看见有很多细小的摩擦痕迹，表面也不是很平整，还有文字上的错误。正品下面的文字是“KOR”，但是假货下面的文字居然写成了“KOREA”，我想可能是在校对的时候没有用心，或者是在别的产品上复制过来写到这上面了。总之拼写上存在着误差。 　　4金手指的差别 　　正品在做工方面是比较讲究的，所以没有放过一个细节。正品金手指由于用材和做工都比较好，所以表面看起来整洁，没有任何划痕。而仿品的做工比较粗糙，表面已经开始出现氧化的现象，磨损的比较严重。另外我们看正品的金手指外侧是凸出一小块的。但是仿品这边直接全是平行的，这又说明了在做工方面没有用心。 　　5耐用性方面 　　购买电子产品的时候，我们除了看品牌之外，最主要的还是看耐用性，因为在使用的时候谁都不愿意不定期的更换。正品现代内存质量是没的说，耐用性非常好。但是假货的呢，由于成本廉价，做工也不是很精细，所以经常出现问题，必须要重新更换才可以。不仅浪费时间，心情也会随着变得比较糟糕。

HY5DU56822BT-D43这串编号意义： ·“HY”是现代内存。 ·“5D”是内存芯片类型为DDR。 ·“U”代表处理工艺及电压为2.5V。·“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M8K刷新。·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。·“2”指内存的bank(储蓄位)。·“2”代表接口类型为SSTL_2。·“B”是内核代号为第3代。·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。 ·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。 ·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。 ·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。 ·“D43”表示内存的速度为DDR400。

认识内存颗粒编号含义　　认识内存的性能参数一般方法是读取SPD芯片中的信息，但由于SPD信息需要在开机状态下查看，而且有一些不法商家也会刷写SPD芯片中的信息来欺骗消费者。因此，认识内存更好的办法是识别内存颗粒的编号，当然不能是被打磨过的。通过查看颗粒编号的含义，可以更好地识别内存是否为正品。下面我们以市面上最常见的HY内存颗粒为例简单介绍内存颗粒编号的含义。上图HY内存颗粒的编号为HY5DU56822BT-D43　　这串编号是由14组数字组成的，这14组数字代表着14组不同的重要参数，分别如下：61“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。61“5D”是内存芯片类型为DDR，57则为SD类型。61“U”代表处理工艺及电压为2.5V。(V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)61“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。(64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新)61“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)61“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)61“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)61“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)61能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。61封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)61封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。61封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。61“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)61工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度)　　因此，通过编号“HY5DU56822BT-D43”的内存颗粒我们可以了解到，这是一款DDR SDRAM内存，容量为256MB，采用TSOP封装，速度为DDR400。　　由上面各个编号可以看出，其中最重要的是第13个编号，它明确的告诉我们这款内存实际的最高工作频率是怎样。例如你的内存的颗粒第13位编号是“J”，而又运行在DDR400的频率下，那么这款内存很可能是被超频使用，超频使用的内存不仅稳定性能大打折扣，而且其寿命也会受到影响。

bc501 nvme sk hynix是海力士品牌的硬盘。Hynix 海力士芯片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商。2012年更名SK hynix。海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2012年2月，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。2004年及2005年中国市场占有率处于第一位。扩展资料三星 SSD 850EVO系列为客户端个人硬盘，采用三星研发生产的S4LN045X01-8030（MEX）主控制器，属于ARM架构的三核处理器，增强的RAPID模式。三星850EVO系列采用基于三星独家的3D-NAND技术 3bit闪存。三星850EVO 120G、250G及500G均采用了最新MGX主控（1TB版本仍旧是MEX主控）。新一代MGX主控特别针对低容量版本进行随机读写性能的优化，且功耗表现更出色，性能方面，持续读写最高都是540MB/s、520MB/s，随机读写最高94000-98000IOPS、88000-90000 IOPS，堪称性能读写的佼佼者。它的竞争对手，包括浦科特M6S、英睿达MX100、闪迪Ultra等都拥有不俗的竞争力。参考资料来源：百度百科-海力士参考资料来源：海力士官网-品牌参考资料来源：百度百科-三星SSD 850EVO

PC3就是DDR3，12800表示速度是1600的

其实是相同的，只是叫法不一样现代是以前的叫法，这是由于Hynix以前隶属韩国现代公司的关系；2005年，完全与现代集团剥离开来的Hynix内存登陆国内市场，正式命名为Hynix海力士内存。所以现在应该要叫海力士，不叫现代了很高兴为你解答，满意请采纳，谢谢！

HY兼容条?

DDR2 667!

如果有电脑的话： 右键单击“我的电脑”，选择“属性”，在“属性”界面上，有一个“常规”选项，下面就会有些内存的大小。如果没有电脑的话： 看芯片上的字母 第6位和第7位 比如12 那就说明条子是512的 如果是28说名是 128的！

上面的图片不是很清楚,从标签看是Hynix海力士笔记本内存,以前隶属韩国现代公司korea表示该内存条是韩国封装,china表示该内存条是中国封装,后面的数字表示不同的封装厂海力士好像在无锡有加生产厂商,但市场上采用Hynix内存芯片的兼容条更多教你简单鉴别原厂条和兼容条的办法:1、从内存标签的颜色、字体等印刷质量可以简单的区分,一些做工低劣的假“海力士”内存,内存标签一般颜色暗淡,印刷内容拥挤,较模糊。正品内存标签颜色鲜艳,字体清晰。2、看PCB板。正品Hynix海力士内存采用独特的六层PCB专用设计,在PCB板的正面左上方有“Hynix”或者“Leadram” 字样。假冒的海力士内存部分使用4层PCB板,基板厚度明显比正品内存要薄,同时内存基板上的信号线比较多较多,显得凌乱,PCB板的正面左上方一般没有“Hynix”或者“Leadram” 字样。求采纳

金士顿和Kingmax,现代分别是三个内存的品牌.至于区别是这样的:金士顿和KINGMAX在内存方面享有很高的口碑.内存品质不错.它们的内存颗粒因为生产的批次不同,而采用的颗粒也不同,有可能是三星,现代等等,出厂前会经过严格检验,而且质保时间长,买着比较放心,兼容性也不错.目前由于这两大厂商对市场打假力度较大,而且有各种仿伪手段,造假的成本也很高,所以假货不是很多.现代内存价格便宜,如果能够买到原装的,质量也是不错的,但由于打假力度小,而且散装条很多,造假利润丰厚,所以导致市场上的现代内存假货居多,所以给人以质量低劣的印象.所以买内存应该去正规的经销商那里去买,别贪图十几块钱的小便宜买到假货.

金士顿，宇瞻，芝奇，海盗船，威刚都不错

什么品牌的内存条啊．各个品牌的都不一样的