再也不做站长了 -
如果Rsample过大，将导致：
1. 采样功率过高，对Rsample温度稳定要求高，因而成本呈指数提高。
解释：如果Rsample=1 Ohm，Vsample=1V，Psample=100mW，对于精密应用而言，电阻耗散100mW通常是难以接受的采样功率。
2. RL上的电压动态范围减小，减小RL电阻上限。
但对运放和Vin调理电路的要求相应降低。
如果Rsample过小，将导致运放的种种误差显现：
1. VOS的漂移与Vin可比，造成输出电流误差。
解释：Rsample=0.1 Ohm，Vsample=10mV，如果使用LM324，VOSmax=3mV，潜在直流误差30%；VOS/dTmax=30uV/C，10C温度变化引起潜在误差3%。
2. 电路增益过高，运放噪声放大，RL上电压基本不变，造成RL上的电压噪声增大，导致RL上电流噪声增大。
3. 对运放要求提高，因而成本呈线性提高。
4. 对处理Vin的调理电路要求提高，因而提高成本。
但对Rsample的要求相应降低。
如何选择采样电阻
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电流源需要采样电流进行反馈，虽然也有其他方法采样，但最稳定也是最准确的方法仍然是电阻采样。
普及知识：用于采样的电阻功率至少大于采样功率20倍以上，才不致由于发热造成明显的漂移。
继续上次，100mA_级的电流是很常用的电流值，但对于电阻采样而言通常也是比较尴尬的电流值。
A_级的电流通常不要求太高准确度，使用分流器采样为主，只要功率足够即可。
mA/10mA_级的电流相对简单，由于不产生显著的采样功率，因此通常的精密金属膜电阻都可满足要求。
100mA_级的电流不大不小，用分流器没有这么大的阻值，用精密金属膜电阻没有这么大功率。
解决方法：
1. 降低采样电压，使用小阻值
2. 降低采样功率，同功率下，阻值尽量大
看似矛盾，其实很简单，并联多个精密金属膜电阻。
实例：
100mA，采样电阻4只12 Ohm 0.1% 1/4W 25ppmmax金属膜电阻并联，等效电阻3 Ohm，采样电压300mV，采样总功率30mW，每只电阻功率7.5mW。
采用这种方法需要在PCB上多下功夫，一定牢记铜也有电阻，而且铜本身可做温度传感器。
通常0.1%的精度不是必要的，但温度漂移一定要小。然而实际电阻产品的精度和漂移基本是对应的，买电阻时除了功率外一定着重询问。
此外，电阻出厂前经过老化最好，无老化的电阻通常便宜一些，但通电后几天内性能多少会有些变化。
本次成本：
12 Ohm 0.1% 1/4W 25ppmmax金属膜电阻 4只 单价0.50元，合计2.00元。
论坛上搬过来的 别人讲的很清楚哦
康康map -
单端正激反敫均在开关管s下地串只底RS电阻做峰峰值1V采样、此电阻值越低、功率做的越大。也有采用电流取样线圈20一100比1原边卷数越小、功率越大，进入Ic条件也多为1V峰峰电压。半桥、全桥设一级或二级保护调节、在B变压器次级冷端串一只毫欧级电阻做为最大功率输出采样电阻、采样电压经衰减送入比较器控制脉宽与保护、这类电路为一级设置。在原边和副边均采用Rs电阻和电流取样线圈为两重控制与保护、采用双重办法的开关电源功率做的比较大、300W以上用此办法较多。各种芯片比较口的控制电压略有不同、但基本原理相同、看比较器比例电阻比例数、与送入值进行比较控制。二次保护时间略延迟数毫秒。