内存条上面参数详解

内存条是电脑中重要的配件之一，一些朋友在装内存条的时候细心的发现，内存条上有个DDR的字样，于是就有了一个疑问，内存条的ddr是什么意思呢？ddr全称DoubleDataRate，即双倍数据速率。接下来小编就给大家讲讲内存条中ddr的含义。具体如下：1、DDR的意思是双倍速率同步动态随机存储器，是内存的其中一种。2、DDR内存则是一个时钟周期内传输两次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。3、DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍。4、DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。5、DDR是双数据速率的SDRAM内存，已经成为今天存储器技术的选择。DDR技术不断发展，不断提高速度和容量，同时降低成本，减小功率和存储设备的物理尺寸。以上就是内存条中ddr的含义，还有不了解的朋友可以通过上面的文章了解ddr的含义，希望对您有帮助。

DDR的意思是双倍速率同步动态随机存储器，是内存的其中一种。DDR内存则是一个时钟周期内传输两次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍。扩展资料DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步。DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。参考资料来源：百度百科-ddr

内存条ddr是什么意思内存条DDR（DoubleDataRate）是一种计算机内存的类型，它可以提供比传统内存更高的数据传输速率和更快的响应时间。DDR内存可以一次传输两个数据点（即双倍数据率），相对于传统的SDRAM内存，DDR内存可以在相同的时钟速率下传输两倍的数据量。DDR内存有多种不同的标准，如DDR1、DDR2、DDR3、DDR4和DDR5等，每个标准都具有不同的传输速率和时序。这些标准中的每个标准都有自己的规格和特点，可用于不同类型的计算机和应用程序。在计算机系统中，内存条DDR通常插在主板上的内存插槽中，提供给处理器和其他组件使用。通过安装更快速的DDR内存，可以提高计算机的整体性能和响应速度，特别是在处理大型数据集、运行多个应用程序和进行高负载任务时。

DDR，即双倍速率同步动态随机存储器，是内存的其中一种。与SDRAM相比，DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL（延时锁定回路提供一个数据滤波信号）技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。扩展资料：在最初的个人电脑上是没有内存条的，内存是直接以DIP芯片的形式安装在主板的DRAM插座上面，需要安装8到9颗这样的芯片，容量只有64KB到256KB，要扩展相当困难，但这对于当时的处理器以及程序来说这已经足够了，直到80286的出现硬件与软件都在渴求更大的内存，只靠主板上的内存已经不能满足需求了，于是内存条就诞生了。同时DIP芯片形式的内存与内存条共存了一段比较长的时间，在不少286的主板上可以同时看到DIP与30pin SIMM内存插槽，它们是可以一齐工作的。参考资料来源：百度百科——DDR

内存DDR什么DDR是双倍数据率（DoubleDataRate）的缩写，是一种内存类型。DDR内存是计算机系统中最常见的内存类型之一，用于存储和读取数据，以便让计算机程序能够运行。DDR内存的主要特点是其数据传输速度很快。DDR内存在每个时钟周期内可以传输两个数据位，相较于SDR（SingleDataRate）内存来说，DDR内存的数据传输速度可以达到两倍。这就是DDR内存名称中“双倍数据率”的由来。DDR内存有多种版本，包括DDR1、DDR2、DDR3、DDR4和DDR5。这些版本之间的主要区别在于其传输速度和电压要求。随着版本的不断更新，DDR内存的传输速度越来越快，电压要求越来越低。DDR内存的大小通常以GB为单位，可以根据计算机的需要进行选择。在选择DDR内存时，需要根据计算机主板支持的DDR版本、内存容量和频率等因素进行选择。选择适合自己计算机的DDR内存可以提高计算机的性能和稳定性。

ddr内存是什么DDR内存（DoubleDataRate内存）是一种常用的计算机内存类型。它与传统的SDR（SingleDataRate）内存相比，能够在同一时钟周期内传输两次数据，因此具有更高的数据传输率。DDR内存通常用于个人电脑和服务器，并且持续演进，如DDR2，DDR3，DDR4等。

分类: 电脑/网络 >> 硬件 解析: 微机系统中另一个决定性能和速度的主要部件就是内存储器。CPU执行的程序和所需的数 据都存放在内存中，所以内存容量越大，带宽越高越快，系统性能就越好。内存芯片通常采用SDRAM（即：同步动态随机存取存储器）。常见的DDR内存是双速SDRAM的缩写（Double Data Rate SDRAM），是SDRAM的一种。它支持数据在每个时钟周期的两个边 沿（上升沿和下降沿）进行数据 传 输，从 而 使内存芯片的数据传输率提高了一倍。 内存储器的主要特点是开机时存储的数据才存在，关机或断电数据就丢失。内存的主要指标有： 1) 内存带宽:指内存与CPU之间的最大数据传送率，单位为字节/秒。 2) 存取时间，表示读取数据所延迟的时间。绝大多数SDRAM芯片的存取时间为6,7,8或10ns（越小越好）。3) 系 统 时钟循环周期，表示 SDRAM 能运行的 最大频率（如：一片系统时钟频率为10ns的SDRAM的芯片，可以运行在100MHz的频率下）。 4) 内存条引脚线数，台式机 使用 的 内存条引脚线数一般是168线，便携笔记本上的DDR内存为199线。 不同 性 能的内存在价格上有较大的差异。目前市场上销量较大的内存条有HY（现代）、KINGHORSE、KingMax、Kingston（金士顿）、GEIL（金邦）、SAMSUNG（三星）等。HY内存的特点是产量大、性价比高，比较适合普通用户，分PC133和PC100两种工作频率，容量 为 128M或64M；KingMax内存采用了TinyBGA封装形式，超频性能优良，工作频率分PC150和PC133两种，容量为256M、128M或64M。对普通用户，可选择现代内存；如果要求较高，则可考虑KINGHORSE、KingMax等品牌的内存。

查看电脑内存条是ddr几的方法如下：1、如果是单个的内存条，没有装在电脑里面，根据内存条标签注明的型号来判断：3200、4300、5300、6400字样的，都是DDR2代内存，低于此范围的是一代；高于此范围一般是三代。2、如果内存条上没有标签，或者标签上的字迹难以辨认，数一下内存条金手指就可以判断是几代内存：台式机内存条：92乘2是DDR1内存；120乘2是DDR2内存。内存条（RandomAccessMemory，缩写：RAM）又称随机存取存储器，是与CPU直接交换数据的内部存储器，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。内存条工作时可以随时从任何一个指定的地址写入（存入）或读出（取出）信息。它与ROM的最大区别是数据的易失性，即一旦断电所存储的数据将随之丢失。起初，电脑所使用的内存是一块块的IC，我们必须把它们焊接到主机板上才能正常使用，一旦某一块内存IC坏了，必须焊下来才能更换，这实在是太费劲了。后来，电脑设计人员发明了模块化的条装内存，每一条上集成了多块内存IC，相应地，在主板上设计了内存插槽，这样，内存条就可随意拆卸了，从此，内存的维修和扩充都变得非常方便。

ddr4内存是什么意思DDR4内存是一种计算机内存类型，它代表双倍数据率第四代内存（DoubleDataRateFourthGenerationSynchronousDynamicRandom-AccessMemory）。DDR4内存是计算机系统中常见的随机访问存储器（RAM），用于存储临时数据和指令以供中央处理器（CPU）使用。相比之前的DDR3内存，DDR4内存有更高的带宽和更低的电压，这使得它更快、更节能。DDR4内存通常用于高性能的桌面电脑、游戏电脑、服务器和其他需要高带宽内存的应用场景。它也是现代计算机的标配之一。

　　关于DDR内存的意思，计算机专业术语名词解释 　　DDR(Dual date rate) SDRAM 称为"双倍速率SDRAM"，在133MHz的前端总线频率下，带宽可达2.128GB/S。它的工作原理是其能在控制时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输(而SDRAM只在控制时钟的下降沿进行数据传输)，因此在一次控制信号过程中，DDR SDRAM能进行两次的数据交换，这也就是它为什么又如此高的带宽。

　　1、查看说明书：如果是品牌电脑，一般会附带电脑说明书或详细的硬件配置清单，可由此确定其内存型号。 　　2、查看内存实物：关机断电，打开机箱，实地查看插入主板内存插槽中的内存（可将内存拆下观察，如下图所示），并两相对照，以确定其型号。内存外观区分图：主要比较针脚数量和金手指上的缺口位置，或者查看内存标签上的参数。 　　3、DDR1：一个缺口、单面92针脚、双面184针脚、左52右40、内存颗粒长方形。 　　4、DDR2：一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左64右56、内存颗粒正方形、电压1.8V。 　　5、DDR3：一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左72右48、内存颗粒正方形、电压1.5V。 　　6、软件检测内存：可通过专用工具如360驱动大师、鲁大师、驱动精灵等等检测硬件，以确定内存型号。

分类: 电脑/网络 >> 硬件 解析: 严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。 与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。 从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。支持内存类型是指主板所支持的具体内存类型。不同的主板所支持的内存类型是不相同的。内存类型主要有FPM，EDO，SDRAM，RDRAM已经DDR DRAM等。 FPM内存 EDO内存 SDRAM内存 RDRAM内存 DDR SDRAM内存 DDR2内存 ECC并不是内存类型，ECC（Error Correction Coding或Error Checking and Correcting）是一种具有自动纠错功能的内存，英特尔的82430HX芯片组就开始支持它，使用该芯片组的主板都可以安装使用ECC内存，但由于ECC内存成本比较高，所以主要应用在要求系统运算可靠性比较高的商业电脑中，例如服务器/工作站等等。由于实际上存储器出错的情况不会经常发生，而且普通的主板也并不支持ECC内存，所以一般的家用与办公电脑也不必采用ECC内存。 一般情况下，一块主板只支持一种内存类型，但也有例外。有些主板具有两种内存插槽，可以使用两种内存，例如以前有些主板能使用EDO和SDRAM，现在有些主板能使用SDRAM和DDR SDRAM。

ddr5和ddr4两者都是很不错的内存，但是对于两者的区别还是有很多的用户不清楚，这也就直接的导致了很多人不知道该怎么去选择，想就来一起看看ddr5和ddr4的区别吧。 ddr5和ddr4的区别： 一、带宽速度： 1、ddr4的带宽为25.6GB/s， 2、ddr5的带宽为32GB/s。 二、芯片密度： 1、ddr4单片芯片密度为：4GB，单个的内存最大容量可以达到128GB。 2、ddr5单片芯片密度为：16GB，这是可以达到单条更高容量的。 三、工作频率： 1、ddr4最低工作频率标准为：160MHz，最高工作频率为：3200MHz。 2、ddr5工作频率高达到了：4800MHz以上，最高频率达到：6400MHz。 四、功耗： 1、ddr4内存单个功耗为：1.2V。 2、ddr5内存功耗却有所降低为：1.1V。 相关文章：上市时间介绍 | 价格为什么贵

看你的从参数就行啊，写着DDR就是1代，写着DDR2就是2代，以此类推，在一种方法，看多少MHZ，400以内是DDR，800以内是DDR2，1333是DDR3

DDR是一种继SDRAM后产生的内存技术，DDR，英文原意为“DoubleDataRate”，顾名思义，就是双数据传输模式。之所以称其为“双”，也就意味着有“单”，我们日常所使用的SDRAM都是“单数据传输模式”，这种内存的特性是在一个内存时钟周期中，在一个方波上升沿时进行一次操作(读或写)，而DDR则引用了一种新的设计，其在一个内存时钟周期中，在方波上升沿时进行一次操作，在方波的下降沿时也做一次操作，之所以在一个时钟周期中，DDR则可以完成SDRAM两个周期才能完成的任务，所以理论上同速率的DDR内存与SDR内存相比，性能要超出一倍，可以简单理解为 100MHZ DDR=200MHZ SDR。DDR内存采用184线结构，DDR内存不向后兼容SDRAM，要求专为DDR设计的主板与系统。 它区别于SD内存，比SD内存快一倍。 现在又出了新的内存DDR2。

就相当于1代2代那样

内存的三大项参数包括：1、容量。内存的容量当然是越大越好，但它要受到主板支持最大容量的限制。单条DDR内存的容量有128MB、256MB、512MB、1GB和2GB等几种。主板上通常都至少提供两个内存插槽，若安有多条内存，则电脑内存的总容量是所有内存容量之和。2、tCK时钟周期。tCK时钟周期代表内存所能运行的最大频率，一般用存取一次数据所需的时间（单位为ns，纳秒）作为性能指标，时间越短，速度越快。一般内存芯片型号的后面印有－60、－10和－7等字样，表示存取速度为60ns、10ns和7ns。SDRAM内存速度最高可达7ns，DDR内存更是达到了5ns。3、CAS延迟。简称CL，指内存存取数据所需的延迟时间，也就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。扩展资料：内存类型有DDR、DDR2、DDR3、DDR4，目前主流是DDR3和DDR4的类型，不同的类型频率不同，电压不同，针脚数不同，接口位置也不同。在选购内存条的时候需要确认主板上面的是支持DDR哪一代，因为它们的接口完全不一样。内存的ECC校验与传统的奇偶校验类似，不同的是ECC能纠正绝大多数检测到的错误，奇偶校验则不行，这样系统就能在不中断和不破坏数据的情况下继续进行，为服务器和工作站的稳定运行提供了有利条件。

DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步动态随机存取存储器） 作为SDRAM的换代产品，它具有两大特点：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，采用了DLL（Delay Locked Loop：延时锁定回路）提供一个数据滤波信号。这是目前内存市场上的主流模式。 顾名思义，DDR就是双数据传输模式。之所以称其为“双”，也就意味着有“单”，我们日常所使用的SDRAM都是“单数据传输模式”，这种内存的特性是在一个内存时钟周期中，在一个方波上升沿时进行一次操作(读或写)，而DDR则引用了一种新的设计，其在一个内存时钟周期中，在方波上升沿时进行一次操作，在方波的下降沿时也做一次操作，之所以在一个时钟周期中，DDR则可以完成SDRAM两个周期才能完成的任务，所以理论上同速率的DDR内存与SDR内存相比，性能要超出一倍，可以简单理解为 100MHZ DDR=200MHZ SDR。 这个是存储器带宽，它是衡量数据传输的速里的，内存是由几个子标决定的， 1。存取容量 2。存取时间 3。存取周期 4。就是ddr了 DDR(Double Data Rage双数据率) 也就是 SDRAMSDRAM II，是SDRAM的更新换代产品，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度，并具有比SDRAM多一倍的传输速率和内存带宽，如64bit内存接口200MHz DDR SDRAM比PC100 SDRAM的内存带宽高一倍，266 MHz DDR SDRAM的内存带宽更是达到了2.12 GB/s。DDR SDRAM比800MHz RDRAM的内存带宽还要高，采用2.5v工作电压，价格也便宜非常多。过去，DDR SDRAM只是应用在显示卡上，现在由于DDR SDRAM标准已定制好，所以正有许多主板芯片组支持使用它。不过，第一款支持DDR SDRAM的芯片组并不是Intel推出的。而是由Micron推出的，其名称为Samurai DDR芯片，其性能的优秀性无论是在商业，还是游戏运行方面都赶得上Intel i840芯片组。但后者提供双RDRAM通道，可高达3.2 GB/s的内存带宽，比Samurai DDR 266 MHz DDR SDRAM提供的2.12G/秒的内存带宽高出33%，整体性能也要好一些，这其是因为RDRAM的潜伏等待时间要比SDRAM长，所以PC133 SDRAM（参阅下面的内容）和DDR SDRAM使得RDRAM在低端和高端系统上的优势全无，而DDR SDRAM更是成为了市场的主流。如，现代电子出品的64MB DDR SDRAM在128 MB内存总线，4Mx16颗，工作频率为333MHz，提供了5.3 GB/s的数据带宽，市场前景不用说了，一定会是不错的。

DDR是内存种类后面的数字是内存的主频要插在合适的主板上才能发挥最大的功效

DDR(Double Data Rate)：双数据速率；DIMM(Dual In-line Memory Module)：双面引脚内存；就象我们越来越熟悉Rambus和PC133一样，一个新的名词DDR出现在我们面前。我们经常被问到："什么是DDR？"简单的回答就是"双数据速率同步DRAM。它以两倍的速度传输数据。"那么，它意味着什么呢？DDR的历史在1997年，我们在JEDEC存储器会议上第一次看到了配备DDR内存的PC。那时，DDR内存只由Samsung制造和推广。主板上的芯片组是DDR可选的VIA M3。其数据传输速率是150Mhz。不幸的是，此主板只工作了两个小时。虽然第一块带有DDR内存的主板工作的并不很好，但是它给了半导体界足够的信心去继续发展DDR的商业产品。DDR存储器协会和任务组的目的就是继续优化DDR存储器结构。同时，Rambus内存也在此时出现来参与竞争。什么是DDR？DDR非常类似常规的同步DRAM，不象Rambus是基于数据包概念工作的。普通的同步DRAM（我们称之为SDR）是从标准DRAM演化而来的。标准DRAM接收两个字的地址命令。它以复用方式节省输入管脚。第一个地址字由行地址选通信号（RAS）存贮在DRAM芯片中。随后是列地址选通信号（CAS）以存贮第二个地址字。紧接着Ras和Cas选通，所存储的数据就可以被读取了。SDRAM将时钟加入到标准DRAM的之中。它的Ras 、Cas和数据有效都发生在每个时钟周期的上升沿。由于时针周期，数据的位置和其它的信号都可以被预测。因此，数据读取指针就可以被非常精确的定位。因为数据的有效窗口很容易被预知，所以内存也被分为四个存储体以便内部单元预充电和预读取。同时，它还可以用突发模式进行连续地址读取而不必重复Ras选通信号。只需用连续的Cas选通信号就可以把同一行中的数据顺序读出。除了数据在时钟的上升沿和下降沿都可以读取以外，DDR内存的工作模式与SDR很相似。因此，单一时钟频率可以使数据传输的速率两倍于时钟频率。新一代的DDR内存将工作在200 Mhz和266 Mhz的数据速率。DDR DRAM的设计第一代的DDR内存（通常称为DDR 1）有很多新特性。它的标准是4个内部存储体以减少时延（随机存取访问的建立时间）。 它的双数据传输结构是2倍的预读取设计，可以在每个时钟周期内传输2 个数据字。 DQS指针在读周期由DDR发送，而在写周期由控制器发送，它应用于对齐数据。输入输出数据均参照DQS信号。 DDR DRAM以差动时钟信号工作，以使噪音干扰最小。 突发（连续数据输出）模式可以被编程为2、4或8个突发长度。 芯片中包括一个DLL（数据琐向环）以帮助锁定和调整内部时钟。 I/O接口工作在2.5V的SSTL-2 Class Ⅱ及Vref参考电压。 一些早期的DDR产品工作在3.3V的VDD电压，当低电压技术成熟时，它最终将改变成2.5V，以达到节能的目的。机械封装标准的DDR SDRAM使用66pin 400mil TSOP封装，类似于标准SDRAM封装。管脚间距为0.65mm。这使得它可以适用于常规的PCB装配板，而无需特殊的组装设备。64Mbit芯片、128 Mbit芯片、256 Mbit芯片和512 Mbit堆积式芯片是管脚兼容设计，这样可方便地应用统一的DIMM PCB。DDR模块和选项标准的DDR内存条是184 pin DIMM。它很象标准的168 pin SDRAM DIMM，只是用了一个凹槽而不是SDR上的2个凹槽。组件的长度也是5.25英寸以节省宝贵的主板空间。标准化协会定义了两种不同配置的DDR内存条。第一种是无缓冲DDR DIMM，它成本低，可应用在PC和Internet设备上。第二种是缓冲DDR DIMM，它将板上PLL与缓存结合在一起，应用于较高存储密度的服务器应用。DDR的设计中还包括了可用于内存条上FET开关的可选控制信号。这种设计用于高存储密度工作站中存储器输出的噪声隔离。工业标准也规定了贮存在EEPROM芯片中的特定的SPD。将来会出现支持特殊市场的200针SODIMM模块和232针模块，无论怎样，基本特点和功能是相同的。DDR的价格谈到价格，DDR在开始阶段会比SDR高10%~15%，然而，由于几乎相同的晶片(DIE)尺寸和结构，很快就会实现价格齐平。我们会发现存储器厂商会将 DDR和SDR设计 在相同的晶片上 。那时，价格差异将非常小。至于DDR模块，由于无需特殊的组装与测试设备，184针非缓冲模块的出厂价和销售价都会相对较低，额外售价会对缓冲模块和特殊配置模块收取。结语由于DDR是具有突出性能和低价格的演进产品，计算机行业会很快采用它。从今夏至2003年，它都会在业界盛行，直至下一代存储器出现。

正常，因为是双通道，所以只相当于标称的一半。

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摘要：内存条ddr是什么意思？ddr是一个内存名称，意思即双倍速率同步动态随机存储器，是内存的其中一种。内存条上有分不同代数，具体内存条DDR代数有DDR2、DDR3、DDR4，内存条的价格一直都是起伏不定的，一般和代数有比较大的关系，一般来说，代数越高，内存条的性能也就越强，所以价格上也相对更贵。内存条ddr是什么意思DDR内存则是一个时钟周期内传输两次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍。DDR是双数据速率的SDRAM内存，已经成为今天存储器技术的选择。DDR技术不断发展，不断提高速度和容量，同时降低成本，减小功率和存储设备的物理尺寸。内存条DDR代数有哪些内存条一般分为DDR2、DDR3、DDR4。其中ddr2是第二代，ddr3第三代，ddr4第四代，ddr第一代。可以根据防呆槽的位置区分。还通过型号查看，如果标签上没有标注ddr，那么早到标签上的型号，在网上输入这个型号，那么此时就会得到搜索的结果，例如这里的搜索到的是dd2，第二代内存条。

是内存的频率

1、查看说明书：如果是品牌电脑，一般会附带电脑说明书或详细的硬件配置清单，可由此确定其内存型号。 2、查看内存实物：关机断电，打开机箱，实地查看插入主板内存插槽中的内存（可将内存拆下观察，如下图所示），并两相对照，以确定其型号。内存外观区分图：主要比较针脚数量和金手指上的缺口位置，或者查看内存标签上的参数。 3、DDR1：一个缺口、单面92针脚、双面184针脚、左52右40、内存颗粒长方形。 4、DDR2：一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左64右56、内存颗粒正方形、电压1.8V。 5、DDR3：一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左72右48、内存颗粒正方形、电压1.5V。 6、软件检测内存：可通过专用工具如360驱动大师、鲁大师、驱动精灵等等检测硬件，以确定内存型号。

没有CDR的内存．哪个是SD．区别一楼的说的很清楚了。

如果使用软件辨别的话,相对简单快捷而且准确.用Everest Ultimate就可以了. 当然看内存上的标签也是可以的,但是JS可以做假嘛 一代: DDR133（PC1600）、DDR266（PC2100）、DDR333（PC2700）、DDR400（PC3200） 二代：DDR2 533（PC4200）、DDR2 667（PC5300）、 DDR2 800（PC6400） （）内的是另外一种表示方法。 价格: 一代基本已停产,如果购买建议买二手的,市场上新的很多是假的.防不胜防,建议不要买金士顿的.威刚的可以.512MB的在150左右. 二代就很便宜了,1G的话在160左右.

速度在不断飙升!AMD的AM2接口 K8架构处理器引入最高DDR2 800的支持，而Intel也会在7月23日发布万众期待的Conroe处理器并进行史上规模最大的“恐怖袭击”；桌面PC市场有望在2006年全面进入DDR2 800极速时代。 RD600支持1500Mhz的前端总线超频，可惜在Computex 2006台北电脑展上面，RD600似乎“临时放弃”了DDR3内存的支持，转为支持DDR2 1066的支持，DDR3内存未能在2006年Q2进入市场。 DDR3相比起DDR2有更高的工作电压， 从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。在Computex大展我们看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组。一、DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：DDR31．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。 2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。 3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。二、DDR3与DDR2几个主要的不同之处 ： 1.突发长度（Burst Length，BL） 由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。 2.寻址时序（Timing） 就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。 3.DDR3新增的重置（Reset）功能 重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。 在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。 4.DDR3新增ZQ校准功能 ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。 5.参考电压分成两个 在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。 6.点对点连接（Point-to-Point，P2P） 这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。 面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。这资料太多，慢慢看吧

楼上的从复制这么多东东

电视搭载DDR4内存主要有两个标准，分别为LPDDR4和GDDR5。LPDDR4是手机和平板电脑的标准内存，其特点是低功耗、高频率，适合移动设备使用；GDDR5则是用于高性能电脑和游戏主机的显存，其带宽更宽，能够更好的承载高负荷的图像处理。

一、DDR3内存条和DDR4内存条不一样的方面：1、规格不同：DDR3内存条：起始频率有800MHz，最高频率可达2133MHz。DDR4内存条：起始频率有2133MHz，最高频率可达3000MHz。3、内存容量不同：DDR3内存条：最大单条可达64GB的容量。DDR4内存条：最大单条容量为128GB。4、功耗不同：DDR3内存条：工作电压为1.5V，耗电较多，而且内存条容易发热降频，影响性能。DDR4内存条：工作电压多为1.2V甚至更低，更少的用电量和更小的发热，提升了内存条的稳定性。二、DDR3L的意思：这里的DDR3后面的字母“L”，代表的是Low Voltage的缩写。DDR3L全称是DDR3 Low Voltage，就是DDR3低电压版，其工作电压相比普通标准版的DDR3内存更低一些，功耗更低，但性能也略微更低一些。DDR3L低电压内存条一般主要用在笔记本、服务器等设备上，普通台式电脑很少使用这种低电压内存条。扩展资料：选择DDR3和DDR4内存条需要注意的事项：1、选择内存条前，首先查看电脑主板是否支持DDR3或DDR4内存条，有没有相应的DDR3和DDR4内存条插槽。2、内存容量和频率的选择，目前DDR4内存的容量有4G、8G的，DDR4内存的频率有2133MHZ、2400MHZ、2666MHZ、2800MHZ等。根据电脑所支持的配置进行选择。3、DDR3和DDR4互不兼容，无法一同使用。

DDR是DoubleDataRate的缩写，双倍数据速度的意思。目前的SDRAM都是在总线时钟频率上升沿进行一次数据传输，而DDRSDRAM则在系统总线时钟频率上升沿和下降沿各进行一次数据传输，从而达到双倍数据传输率的效果。

不可以插 DDR3

三代内存

PC3-12800是DDR3-1600内存的另外一种标志标注内存型号的方式。本质上来说C3-12800和DDR3-1600内存是同一种内存。内存条PC3 12800是DDR3内存的一个标准bai。PC3-12800内存条核心频率为200MHz，I/O频率为800MHz，等效频率为1600MHz。扩展资料DDR3-1600是一种计算机内bai存规格。由于DDR2内存的各种不足，制约了其进一步的广泛应用，DDR3内存的出现，正是为了解决DDR2内存出现的问题，具体有：更高的外部数据传输率；更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构；在保证性能的同时将能耗进一步降低。为了满足这些要求，DDR3内存在DDR2内存的基础上所做的主要改进包括：8bit预取设计，DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。采用点对点的拓朴架构，减轻地址/命令与控制总线的负担。参考资料：百度百科-DDR3

DDR=Double Data Rate双倍速内存严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍。

双向三通道 主频率

DDR 200/266/333/400的工作频率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是200/266/333/400MHz；DDR2 400/533/667/800的工作频率分别是100/133/166/200MHz，而等效频率分别是400/533/667/800MHz。

找到主板型号 然后百度。。嘿嘿

运行频率，外频是133的。

DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。 DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。 OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。 ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。 Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

一、DDR4与DDR3内存差异一：处理器每次内存升级换代时，必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计，DDR4内存频率原生支持2133MHz，这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核，另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高，并且不会同时支持DDR3和DDR4内存，所以增加了DDR4普及的门槛。二、DDR4与DDR3内存差异二：外型大家注意上图，宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了，并没有沿着直线设计，这究竟是为什么呢？一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。接口位置同时也发生了改变，金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。三、DDR4与DDR3内存差异三：参数DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。

SD的内存下面有两个凹槽.DDR和DDR2只有一个DDR SDRAM内存 SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随机存储器）的简称，是前几年普遍使用的内存形式。SDRAM采用3.3v工作电压，带宽64位，SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与 EDO内存相比速度能提高50％。SDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储体或阵列访问数据时，另一个就已为读写数据做好了准备，通过这两个存储阵列的紧密切换，读取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不仅可用作主存，在显示卡上的显存方面也有广泛应用。SDRAM曾经是长时间使用的主流内存，从430TX芯片组到845芯片组都支持SDRAM。但随着DDR SDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市场。 DDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory（双数据率同步动态随机存储器）的简称，是由VIA等公司为了与RDRAM相抗衡而提出的内存标准。DDR SDRAM是SDRAM的更新换代产品，采用2.5v工作电压，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度，并具有比SDRAM多一倍的传输速率和内存带宽，例如DDR 266与PC 133 SDRAM相比，工作频率同样是133MHz，但内存带宽达到了2.12 GB/s，比PC 133 SDRAM高一倍。目前主流的芯片组都支持DDR SDRAM，是目前最常用的内存类型。 DDR2的定义： DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。 此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。 DDR2与DDR的区别： 在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。 1、延迟问题： 从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。 这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。 2、封装和发热量： DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。 DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。 DDR2采用的新技术： 除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。 OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。 ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。 Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。 总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。

ddr3和ddr4插槽不一样。ddr3内存插口和DDR4是不一样的，两者由干兼容的主板不同，因此DDR4和DDR3内存是不能通用的，更不用提DDR3+DDR4双通道了。另外DDR4内存需要新一代主板支持，因此老电脑用户，升级电脑不要去买DDR4内存，买了也用不了。DDR4内存DDR4内存是新一代的内存规格，2011年1月4日，三星电子完成史上第一条DDR4内存。DDR4相比DDR3最大的区别有三点：16bit预取机制（DDR3为8bit），同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍；更可靠的传输规范，数据可靠性进一步提升；工作电压降为1.2V，更节能。三星电子2011年1月4日宣布，已经完成了历史上第一款DDR4DRAM规格内存条的开发，并采用30nm级工艺制造了首批样品。DDR4内存的标准规范仍未最终定夺。三星这条样品属于UDIMM类型，容量为2GB，运行电压只有1.2V，工作频率为2133MHz，而且凭借新的电路架构最高可以达到3200MHz。相比之下，DDR3内存的标准频率最高仅为1600MHz，运行电压一般为1.5V，节能版也有1.35V。仅此一点，DDR4内存就可以节能最多40%。

内存条现在是ddr5了。根据相关信息查询显示，截止2023-03-20，目前内存条的最新一代是DDR5内存，它于2021年发布。之前的几代内存包括DDR4、DDR3、DDR2和DDR1等。其中，DDR4内存是目前使用最广泛的内存类型之一，而DDR3和DDR2内存则正在逐步被淘汰。

分类: 电脑/网络 >> 硬件 问题描述: DDR2 DDR3到底是怎么回事呢！性能的却很高吗？现在最好的内存是海盗船吗？还有性价比最高的内存是什么品牌啊 解析: DDR是一种继SDRAM后产生的内存技术，DDR，英文原意为“DoubleDataRate”，顾名思义，就是双数据传输模式。之所以称其为“双”，也就意味着有“单”，我们日常所使用的SDRAM都是“单数据传输模式”，这种内存的特性是在一个内存时钟周期中，在一个方波上升沿时进行一次操作(读或写)，而DDR则引用了一种新的设计，其在一个内存时钟周期中，在方波上升沿时进行一次操作，在方波的下降沿时也做一次操作，之所以在一个时钟周期中，DDR则可以完成SDRAM两个周期才能完成的任务，所以理论上同速率的DDR内存与SDR内存相比，性能要超出一倍，可以简单理解为100MHZ DDR=200MHZ SDR。 DDR内存不向后兼容SDRAM DDR内存采用184线结构，DDR内存不向后兼容SDRAM，要求专为DDR设计的主板与系统。 DDR-II内存将是现有DDR-I内存的换代产品，它们的工作时钟预计将为400MHz或更高（包括现代在内的多家内存商表示不会推出DDR-II 400的内存产品）。从JEDEC组织者阐述的DDR-II标准来看，针对PC等市场的DDR-II内存将拥有400-、533、667MHz等不同的时钟频率。 高端的DDR-II内存将拥有800-、1000MHz两种频率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚的FBGA封装形式。最初的DDR-II内存将采用0.13微米的生产工艺，内存颗粒的电压为1.8V，容量密度为512MB。 DDR-II将采用和DDR-I内存一样的指令，但是新技术将使DDR-II内存拥有4到8路脉冲的宽度。DDR-II将融入CAS、OCD、ODT等新性能指标和中断指令。DDR-II标准还提供了4位、8位512MB内存1KB的寻址设置，以及16位512MB内存2KB的寻址设置。 DDR-II内存标准还包括了4位预取数（pre-fetch of 4 bits）性能，DDR-I技术的预取数位只有2位。 DDR3的市场导入时间预计为2006年下半，最高数据传输速度标准较达到1600Mbps。不过，就具体的设计来看，DDR3与DDR2的基础架构并没有本质的不同。从某种角度讲，DDR3是为了解决DDR2发展所面临的限制而催生的产物。 由于DDR2的数据传输频率发展到800MHz时，其内核工作频率已经达到200MHz，因此再向上提升较为困难，这就需要采用新的技术来保证速度的可持续发展性。另一方面，也是由于速度提高的缘故，内存的地址/命令与控制总线需要有全新的拓朴结构，而且业界也要求内存要具有更低的能耗，所以，DDR3要满足的需求就是： 更高的外部数据传输率 更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构 在保证性能的同时将能耗进一步降低 为了满足上述要求，DDR3在DDR2的基础上采用了以下新型设计： 8bit预取设计，DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz 采用点对点的拓朴架构，减轻地址/命令与控制总线的负担 采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。 下面我们通过DDR3与DDR2的对比，来更好的了解这一未来的DDR SDRAM家族的最新成员。 DDR3与DDR2的不同之处 1、逻辑Bank数量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。 2、封装（Packages） DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。 3、突发长度（BL，Burst Length） 由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。 3、寻址时序（Timing） 就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。 4、新增功能——重置（Reset） 重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR3身上实现。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。 5、新增功能——ZQ校准 ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（ODCE，On-Die Calibration Engine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。 6、参考电压分成两个 对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF，在DDR3系统中将分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的VREFCA，另一个是为数据总线服务的VREFDQ，它将有效的提高系统数据总线的信噪等级。 7、根据温度自动自刷新（SRT，Self-Refresh Temperature） 为了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新，DDR3也不例外。不过，为了最大的节省电力，DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计（ASR，Automatic Self-Refresh）。当开始ASR之后，将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。不过DDR3的ASR是可选设计，并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT，Self-Refresh Temperature）。通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃），另一个是扩展温度范围，比如最高到95℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作。 8、局部自刷新（RASR，Partial Array Self-Refresh） 这是DDR3的一个可选项，通过这一功能，DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（Mobile DRAM）的设计很相似。 9、点对点连接（P2P，Point-to-Point） 这是为了提高系统性能而进行了重要改动，也是与DDR2系统的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器将只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能一个插槽。因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P，Point-to-Point）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（P22P，Point-to-o-Point）的关系（双物理Bank的模组），从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。不过目前有关DDR3内存模组的标准制定工作刚开始，引脚设计还没有最终确定。 除了以上9点之外，DDR3还在功耗管理，多用途寄存器方面有新的设计，但由于仍入于讨论阶段，且并不是太重要的功能，在此就不详细介绍了。下面我们来总结一下DDR3与DDR2之间的对比： DDR2与DDR3规格对比，业界认为DDR3-800将被限定于高端应用市场，这有点像当今DDR2-400的待遇，预计DDR3在台式机上将以1066MHz的速度起步 从整体的规格上看，DDR3在设计思路上与DDR2的差别并不大，提高传输速率的方法仍然是提高预取位数。但是，就像DDR2和DDR的对比一样，在相同的时钟频率下，DDR2与DDR3的数据带宽是一样的，只不过DDR3的速度提升潜力更大。所以初期我们不用对DDR3抱以多大的期望，就像当初我们对待DDR2一样。当然，在能耗控制方面，DDR3显然要出色得多，因此将可能率先受到移动设备的欢迎，就像最先欢迎DDR2内存的不是台式机，而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也将经历一个慢热的过程

DDR2能到达的速度是800MHZ DDR3可以达到1600MHZ

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双数据传输模式

笔记本电脑内存ddr4和lpddr3主要在功耗、读写性能、延迟方面存在区别。1、笔记本电脑内存ddr4和lpddr3功耗的区别：笔记本电脑内存ddr4功耗较高笔记本电脑内存lpddr3功耗较低，lpddr是以低功耗和小体积著称的。2、笔记本电脑内存ddr4和lpddr3读写性能的区别：双通道时，lpddr3 2133MHz在读、写、复制三方面的性能表现要好于单通道ddr4 2666MHz。双通道时，lpddr3 2133MHz在读、写、复制三方面的性能表现追平双通道ddr4 2400MHz。双通道时，lpddr3 2133MHz在读、写、复制三方面的性能表现弱于双通道ddr4 2666MHz。3、笔记本电脑内存ddr4和lpddr3延迟的区别：延迟方面lpddr3比ddr4差一些。双通道时，lpddr3 2133MHz延迟为103.2ns。单通道时，ddr4 2666MHz延迟为89.5ns。双通道时，ddr4 2400MHz延迟为72.5ns。双通道时，ddr4 2666MHz延迟为57ns。参考资料来源：百度百科-LPDDR参考资料来源：中关村在线-LPDDR3并不一定弱 实测对比单双通道DDR4