内存时序

这个没什么好说的了，主要是你超外频和内存分频不匹配，时序建议默认。AMD X4 955的超频教程真是太多了，就不帮你复制了，造成你的显卡性能很大可能就是内存乱挑导致的，建议内存默认，只超频处理器就很好了。

华硕主板超内存时序自动变：华硕主板内存时序设置 bios内存时序设置 ddr3内存超频时序设置

华硕410主板内存更改时序步骤如下：1、在BIOS中打开手动设置。2、在BIOS设置中找到DRAMTimingSelectable。3、BIOS设置中可能出现的其他描述有，AutomaticConfiguration，Auto，TimingSelectable，TimingConfiguringBySPD等，将其值设为Menual（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable）。4、内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS。5、预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（RowAddressStrobe）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。

内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式，分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数，也就是tRAS和CMD(Command缩写)，是其中较复杂的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识有一些错误，因为部分内存厂商直接用它们来代表内存性能。因为不同频率的内存的价格相差并不是很大，除了那些发烧级产品。从长远的目光来考虑，我们建议大家尽量购买高频率的内存产品。这样或许你将来升级CPU时可以节省一笔内存费用，高频率的内存都是向下兼容的。例如如果购买了PC3200400MHz的内存，标明的CAS延迟是2.5。如果你实际使用时把频率降到333MHz，通常情况下CAS延迟可以达到2。一般而言,想要保持内存在一个高参数,如果不行可以采取降低频率的方法。但对处理器超频时，都会要求较高的总线速度，此时的瓶颈就在内存系统上，一般只有靠牺牲高参数来保持内存频率和CPU的外频同步。这样可以得到更大的内存带宽，在处理大量数据时就能明显的从中获益，例如数据库操作，Photoshop等。

内存时序的调节步骤如下：在BIOS中打开手动设置。在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。BIOS设置中可能出现的其他描述有，Automatic Configuration，Auto，Timing Selectable，Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable）。内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS。预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。内存时序，一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。

CPU 上没有内存时序 一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。 在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍： 一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表： Command Per Clock(CPC) 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。 CAS Latency Control(tCL) 可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。 内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。 这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。 该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。 RAS# to CAS# Delay(tRCD) 可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。 该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。 如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。 Min RAS# Active Timing(tRAS) 可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。 该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS# Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－10之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。 如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。 如果使用DFI的主板，则tRAS值建议使用00，或者5-10之间的值。 Row Precharge Timing(tRP) 可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。 该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。 tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。 如果使用DFI的主板，则tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。 Row Cycle Time(tRC) 可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。 Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。 其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。 在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。 Row Refresh Cycle Time(tRFC) 可选的设置：Auto，9-24，步幅值1。 Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。 如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是内存超频建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。 Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD) 可选的设置：Auto， 0-7，每级以1的步幅递增。 Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行单元到行单元的延时"。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。 延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。 如果使用DFI的主板，则tRRD值为00是最佳性能参数，4超频内存时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。 Write Recovery Time(tWR) 可选的设置：Auto，2，3。 Write Recovery Time (tWD)，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。 如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2；如果使用DDR333或DDR400，则将tWD值设为3。如果使用DFI的主板，则tWR值建议为2。 Write to Read Delay(tWTR) 可选的设置：Auto，1，2。 Write to Read Delay (tWTR)，表示“读到写延时”。三星公司称其为“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。 tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加tWTR值，可以让内容模块运行于比其默认速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR值设为1；如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的值设为1，如果系统不稳定，则改为2。 Refresh Period(tREF) 可选的设置：Auto， 0032-4708，其步进值非固定。 Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指内存模块的刷新周期。 先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期(单位：微秒，即：一百万分之一秒)。?号在这里表示该刷新周期尚无对应的准确数据。 1552= 100mhz(?.??s) 2064= 133mhz(?.??s) 2592= 166mhz(?.??s) 3120= 200mhz(?.??s) --------------------- 3632= 100mhz(?.??s) 4128= 133mhz(?.??s) 4672= 166mhz(?.??s) 0064= 200mhz(?.??s) --------------------- 0776= 100mhz(?.??s) 1032= 133mhz(?.??s) 1296= 166mhz(?.??s) 1560= 200mhz(?.??s) --------------------- 1816= 100mhz(?.??s) 2064= 133mhz(?.??s) 2336= 166mhz(?.??s) 0032= 200mhz(?.??s) --------------------- 0388= 100mhz(15.6us) 0516= 133mhz(15.6us) 0648= 166mhz(15.6us) 0780= 200mhz(15.6us) --------------------- 0908= 100mhz(7.8us) 1032= 133mhz(7.8us) 1168= 166mhz(7.8us) 0016= 200mhz(7.8us) --------------------- 1536= 100mhz(3.9us) 2048= 133mhz(3.9us) 2560= 166mhz(3.9us) 3072= 200mhz(3.9us) --------------------- 3684= 100mhz(1.95us) 4196= 133mhz(1.95us) 4708= 166mhz(1.95us) 0128= 200mhz(1.95us) 如果采用Auto选项，主板BIOS将会查询内存上的一个很小的、名为“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存储了内存条的各种相关工作参数等信息，系统会自动根据SPD中的数据中最保守的设置来确定内存的运行参数。如过要追求最优的性能，则需手动设置刷新周期的参数。一般说来，15.6us适用于基于128兆位内存芯片的内存（即单颗容量为16MB的内存），而7.8us适用于基于256兆位内存芯片的内存（即单颗容量为32MB的内存）。注意，如果tREF刷新周期设置不当，将会导致内存单元丢失其数据。 另外根据其他的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是bit。阵列中的每个bit都能被随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15.6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过同步的RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15.6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15.6?s x2048行=32ms。 如果使用DFI的主板，tREF和tRAS一样，不是一个精确的数值。通常15.6us和3.9us都能稳定运行，1.95us会降低内存带宽。很多玩家发现，如果内存质量优良，当tREF刷新周期设置为3120=200mhz(?.??s)时，会得到最佳的性能／稳定性比。 Write CAS# Latency(tWCL) 可选的设置：Auto，1-8 Write CAS Latency (tWCL)，表示“写指令到行地址控制器延时”。SDRAM内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面。tWCL表示写入的延迟，除了DDRII，一般可以设为1T，这个参数和大家熟悉的tCL（CAS-Latency）是相对的，tCL表示读的延迟。 DRAM Bank Interleave 可选的设置：Enable， Disable DRAM Bank Interleave，表示“DRAM Bank交错”。这个设置用来控制是否启用内存交错式(interleave)模式。Interleave模式允许内存bank改变刷新和访问周期。一个bank在刷新的同时另一个bank可能正在访问。最近的实验表明，由于所有的内存bank的刷新周期都是交叉排列的，这样会产生一种流水线效应。 虽然interleave模式只有在不同bank提出连续的的寻址请求时才会起作用，如果处于同一bank，数据处理时和不开启interleave一样。CPU必须等待第一个数据处理结束和内存bank的刷新，这样才能发送另一个地址。目前所有的内存都支持interleave模式，在可能的情况下我们建议打开此项功能。 对于DFI主板来说，任何情况下该设置都应该是Enable，可以增大内存的带宽。Disable对将减少内存的带宽，但使系统更加稳定。 DQS Skew Control 可选的设置：Auto，Increase Skew，Decrease Skew DQS Skew Control，表示“DQS时间差控制”。稳定的电压可以使内存达到更高的频率，电压浮动会引起较大的时间差（skew），加强控制力可以减少skew，但相应的DQS（数据控制信号）上升和下降的边缘会出现电压过高或过低。一个额外的问题是高频信号会引起追踪延迟。DDR内存的解决方法是通过简单数据选通脉冲来增加时钟推进。 DDRII引进了更先进的技术：双向的微分I/O缓存器来组成DQS。微分表示用一个简单脉冲信号和一个参考点来测量信号，而并非信号之间相互比较。理论上提升和下降信号应该是完全对成的，但事实并非如此。时钟和数据的失谐就产生了DQ-DQS skew。 如下图所示。 对于DFI主板来说，建议设置为Increase Skew可以提升性能，而Decrease Skew在牺牲一定性能的情况下，可以增加稳定性。 DQS Skew Value 可选的设置：Auto，0-255，步进值为1。 当我们开启了DQS skew control后，该选项用来设定增加或减少的数值。这个参数对系统的影响并不很敏感。 对于DFI主板来说，开启"Increase Skew"选项后，可以将该值设为50-255之间的值。值越大，表示速度越快。 DRAM Drive Strength 可选的设置：Auto，1-8，步进值为1。 DRAM Drive Strength（也被称为：driving strength），表示“DRAM驱动强度”。这个参数用来控制内存数据总线的信号强度，数值越高代表信号强度越高，增加信号强度可以提高超频的稳定性。但是并非信号强度高就一定好，三星的TCCD内存芯片在低强度信号下性能更佳。 如果设为Auto，系统通常会设定为一个较低的值。对使用TCCD的芯片而言，表现会好一些。但是其他的内存芯片就并非如此了，根据在DFI NF4主板上调试和测试的结果，1、3、5 、7都是性能较弱的参数，其中1是最弱的。2、4、6、8是正常的设置，8提供了最强的信号强度。TCCD建议参数为3、5或7，其他芯片的内存建议设为6或8。 DFI用户建议设置：TCCD建议参数为3、5、7，其他芯片的内存建议设为6或8。 DRAM Data Drive Strength 可选的设置：Auto，1-4，步进值为1。 DRAM Data Drive Strength表示“DRAM数据驱动强度”。这个参数决定内存数据总线的信号强度，数值越高代表信号强度越高。它主要用于处理高负荷的内存读取时，增加DRAM的驾驭能力。因此，如果你的系统内存的读取负荷很高，则应将该值设置为高(Hi/High)。它有助于对内存数据总线超频。但如果你并没有超频，提升内存数据线的信号强度，可以提高超频后速度的稳定性。此外，提升内存数据总线的信号强度并不能增强SDRAM DIMM的性能。因此，除非你内存有很高的读取负荷或试图超频DIMM，建议设置DRAM Data Drive Strength的值为低(Lo/Low)。 要处理大负荷的数据流时，需要提高内存的驾驭能力，你可以设为Hi或者High。超频时，调高此项参数可以提高稳定性。此外，这个参数对内存性能几乎没什么影响。所以，除非超频，一般用户建议设为Lo/Low。 DFI用户建议设置：普通用户建议使用level 1或3，如果开启了CPC，可能任何高于1的参数都会不稳定。部分用户开启CPC后能运行在3。更多的人关闭CPC后2-4都能够稳定运行。当然最理想的参数是开启CPC后设为level4。 Strength Max Async Latency 可选的设置：Auto，0-15，步进值为1。 Strength Max Async Latency目前还没能找到任何关于此项参数的说明，不知道其功能。感觉网友的经验，在进行Everest的LatencyTest时，可以看出一些差别。在我的BH-6上，参数从8ns到7ns在Latency Test的测试结果中有1ns的区别。从7ns调低6ns后，测试结果又减少了2ns。 DFI主板建议设置：BIOS中的默认值为7ns，建议大家在5-10之间调节。6ns对内存的要求就比较高了，建议使用BH-5和UTT芯片的用户可以尝试一下，但对TCCD不适用。7ns的要求低一些，UTT和BH-5设为7n比较适合超频。8ns对UTT和BH-5就是小菜一碟，8ns时TCCD通常能稳定运行在DDR600，如果想超频到DDR640就必须设为9ns甚至更高了。 Read Preamble Time 可选的设置：Auto，2.0-9.5，步进值为0.5。 Read Preamble Time这个参数表示DQS（数据控制信号）返回后，DQS又被开启时的时间间隔。Samsung早期的显存资料显示，这个参数是用以提升性能的。DQS信号是双向的，无论从图形控制器到DDR SGRAM还是从DDR SGRAM到图形控制器都起作用。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值设置为Auto时，实际上此时执行的是默认值5.0。建议大家在4.0-7.0之间调节，该值越小越好。 Idle Cycle Limit 可选的设置：Auto，0-256，无固定步进值。 Idle Cycle Limit这个参数表示“空闲周期限制”。这个参数指定强制关闭一个也打开的内存页面之前的memclock数值，也就是读取一个内存页面之前，强制对该页面进行重充电操作所允许的最大时间。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值设置为Auto时，实际上此时执行的是默认值256。质量好的内存可以尝试16-32，华邦（WINBOND）BH-5颗粒的产品能稳定运行在16。Idle Cycle Limit值越低越好。 Dynamic Counter 可选的设置：Auto， Enable， Disable。 Dynamic Counter这个参数表示“动态计数器”。这个参数指定开启还是关闭动态空闲周期计数器。如果选择开启（Enable），则会每次进入内存页表(Page Table)就强制根据页面冲突和页面错误(conflict/page miss：PC/PM)之间通信量的比率而动态调整Idle Cycle Limit的值。这个参数和前一个Idle Cycle Limit是密切相关的，启用后会屏蔽掉当前的Idle Cycle Limit，并且根据冲突的发生来动态调节。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值设置为Auto和关闭和一样的。打开该设置可能会提升性能，而关闭该设置，可以使系统的更稳定。 R/W Queue Bypass 可选的设置：Auto，2x，4x，8x，16x。 R/W Queue Bypass表示“读／写队列忽略”。这个参数指定在优化器被重写及DCI (设备控制接口：Device Control Interface)最后一次的操作被选定前，忽略操作DCI的读/写队列的时间。这个参数和前一个Idle Cycle Limit是相类似，只是优化器影响内存中的读／写队列。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值默认为16x。如果你的系统稳定，则保留该值。但如果不稳定，或者要超频，就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。该值越大，则说明系统性能越强，该值越小，则会是系统越稳定。 Bypass Max 可选的设置：Auto， 0x-7x， 步进值为1。 Bypass Max表示“最大忽略时间”。这个参数表示优化器选择否决之前，最后进入DCQ（Dependence Chain Queue）的可以被优化器忽略的时间。仔细研究后，我觉得这个参数会影响内存到CPU内存控制器的连接。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值默认为7x。建议4x或7x，两者都提供了很好的性能及稳定性。如果你的系统稳定，则保留该值。但如果不稳定，或者要超频，就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。该值越大，则说明系统性能越强，该值越小，则会是系统越稳定。 32 Byte Granulation 可选的设置：Auto，Disable (8burst)，Enable(4burst)。 32 Byte Granulation表示"32位颗粒化"。当该参数设置为关闭(Disable)时，就可以选择突发计数器，并在32位的数据存取的情况下，最优化数据总线带宽。因此该参数关闭后可以达到最佳性能的目的。 DFI主板建议设置：绝大多数情况下，建议选择Disable(8burst)选项。开启Enable (4burst)可以使系统更稳定一些。

问题一：内存时序怎么看 一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。 在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍： 一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表： mand Per Clock(CPC) 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 mand Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM mand Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。 CAS Latency Control(tCL) 可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，......>> 问题二：内存时序里面的时钟是什么意思 数值怎么看 越大越好还是越小越好？ 我的这内存如何？ 10分 里面的时钟表示时钟个数，DDR3没个时钟的时间是1.25ns, 13个时钟就是延迟16.25ns。 所以这个值是越小越好。 你的是DDR3 32GB 1866Mhz的内存 1866的内存里面的几个默认关键值是CL-TRCD-TRP(13-13-13)， 所以你的内存只能说是符合标准，优秀不优秀要用软件测性能 问题三：内存时序怎么调节？ 应该是前4项为11-11-11-30 你现在使用的时序已经优于默认时序。 可以到bios中进行向下憨调。如果蓝屏死机，则向上调整直到稳定。 问题四：CPUZ怎么看内存时序 你能用cpu-z看你机子正在用这两根内存条，说明它们是兼容的。而且它们运行在同一频率上，他们的CAS和RAS是一样，你可以看Memory选项，那是两根内存运行时的频率及CAS、RAS等等。你上面描述的应该是两根内存条的SPD信息 问题五：内存时序怎么看 9-9-9-24的好呗，频率越高时序越低的越好。但不是绝对的，比如三星30nm黑武士默认时序也是11-11-11-30，但普遍可超2133，有些9-9-9-24的都办不到 用cpu-z 点spd选项卡就可以查看！ 问题六：内存条的时序怎么看 到网上下个叫：CPU-Z的工具（网上大把的），里面有个内存这一栏，在那可以看的到 问题七：电脑内存大小频率时序参数怎么看 可以使用cpuz或者aida64等工具查看内存参数 问题八：会看内存条时序的进来帮我看看，小白不会看 你的内存是1866的频率的，你现在运行在1600的频率下，可以进BIOS手动调节到1866 问题九：为什么CPUZ里看的内存时序和我用的不一样 前者可以工作在三种不同的外频下,后者只能在一种外频下. 问题十：内存时序怎么看 用CPU－Z可以看到。 在BIOS里，你让内存by spd或auto，也就是自动设置，也可以看到。

延时自然是越低越好,内存体质的好坏是可以查的,去摆渡之类的搜一下就会搜到编号多少到多少的内存颗粒是极品,如果你碰上极品了那happy一下,超频去,要不别打时序的主义,换点别的方式超频交流群:2036011

华硕410主板内存更改时序步骤如下:在BIOS中打开手动设置。在BIOS设置中找到DRAMTimingSelectable。BIOS设置中可能出现的其他描述有,AutomaticConfiguration,Auto,TimingSelectable,TimingConfiguringBySPD等,将其值设为Menual(视BIOS的不同可能的选项有:On/Off或Enable/Disable)。内存是根据行和列寻址的,当请求触发后,最初是tRAS。

内存时序 一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。 在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍： 一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表： Command Per Clock(CPC) 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。 CAS Latency Control(tCL) 可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。 内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。 该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。 RAS# to CAS# Delay(tRCD) 可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。 该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。 如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。 Min RAS# Active Timing(tRAS) 可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。 该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS# Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－10之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。 如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。 如果使用DFI的主板，则tRAS值建议使用00，或者5-10之间的值。 Row Precharge Timing(tRP) 可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。 该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。 tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。如果使用DFI的主板，则tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。 Row Cycle Time(tRC) 可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。 Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。 其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。 在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。 Row Refresh Cycle Time(tRFC) 可选的设置：Auto，9-24，步幅值1。 Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。 如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是内存超频建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。 Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD) 可选的设置：Auto， 0-7，每级以1的步幅递增。 Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行单元到行单元的延时"。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。 延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。 如果使用DFI的主板，则tRRD值为00是最佳性能参数，4超频内存时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。 Write Recovery Time(tWR) 可选的设置：Auto，2，3。 Write Recovery Time (tWD)，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。 如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2；如果使用DDR333或DDR400，则将tWD值设为3。如果使用DFI的主板，则tWR值建议为2。

问题一：内存时序怎么看 一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。 在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍： 一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表： mand Per Clock(CPC) 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 mand Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM mand Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。 CAS Latency Control(tCL) 可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，......>> 问题二：内存时序里面的时钟是什么意思 数值怎么看 越大越好还是越小越好？ 我的这内存如何？ 10分 里面的时钟表示时钟个数，DDR3没个时钟的时间是1.25ns, 13个时钟就是延迟16.25ns。 所以这个值是越小越好。 你的是DDR3 32GB 1866Mhz的内存 1866的内存里面的几个默认关键值是CL-TRCD-TRP(13-13-13)， 所以你的内存只能说是符合标准，优秀不优秀要用软件测性能 问题三：内存时序怎么调节？ 应该是前4项为11-11-11-30 你现在使用的时序已经优于默认时序。 可以到bios中进行向下憨调。如果蓝屏死机，则向上调整直到稳定。 问题四：CPUZ怎么看内存时序 你能用cpu-z看你机子正在用这两根内存条，说明它们是兼容的。而且它们运行在同一频率上，他们的CAS和RAS是一样，你可以看Memory选项，那是两根内存运行时的频率及CAS、RAS等等。你上面描述的应该是两根内存条的SPD信息 问题五：内存时序怎么看 9-9-9-24的好呗，频率越高时序越低的越好。但不是绝对的，比如三星30nm黑武士默认时序也是11-11-11-30，但普遍可超2133，有些9-9-9-24的都办不到 用cpu-z 点spd选项卡就可以查看！ 问题六：内存条的时序怎么看 到网上下个叫：CPU-Z的工具（网上大把的），里面有个内存这一栏，在那可以看的到 问题七：电脑内存大小频率时序参数怎么看 可以使用cpuz或者aida64等工具查看内存参数 问题八：会看内存条时序的进来帮我看看，小白不会看 你的内存是1866的频率的，你现在运行在1600的频率下，可以进BIOS手动调节到1866 问题九：为什么CPUZ里看的内存时序和我用的不一样 前者可以工作在三种不同的外频下,后者只能在一种外频下. 问题十：内存时序怎么看 用CPU－Z可以看到。 在BIOS里，你让内存by spd或auto，也就是自动设置，也可以看到。

内存时序与内存的读取速度息息相关，不过相信大部分人都不知道内存时序其实是可以手动调的，那么内存时序怎么调呢，其实我们只要在bios设置里就可以调节了。 内存时序怎么调： 1、首先重启电脑，在logo界面按下热键进入bios设置。【热键大全】 2、进入后，找到“高级选项”进入，这里是“advanced chipset feature” 3、进入后，先将“DRAM Timing Selectable”改为“manual” （这里的选项可能会不一样，尽量找带time或timing的；后面可以改成on或者enabled） 4、开启时序调整后，下面会多出来4个选项就是内存时序了。 5、依次选择这些内存时序更改就可以了，改完之后记得保存。 其实现在的内存都是没有必要手动调节时序的，它会自动调节。

延迟越低，速度越快。一般内存是频率越高，延迟越大。威刚红色威龙DDR2 800+ CL4-4-4-12，标是这样标的，但一般在800M频率都是在5-5-5-15，在667M时有可能4-4-4-12。芝奇DDR2 800 CL5-5-5-15应该这个好。我用的金邦黑龙条DDR2 800，是为数不多的800M频率时序为4-4-4-12的内存。内存好不好，关键看颗粒，目前用镁光颗粒的内存最好。

内存时序可以调低。如果蓝屏死机，可以到bios中进行向下微调，则将内存延时设置在较低的水平。简单说从主板BIOS里面调，找到内存的设置，把参数调低，内存频率与时序是互相制约的，频率越高时序延迟也相应增加，不然就会失败，会很容易找到内存时序的，然后依次改。调内存条时序是检验内存条优劣的试金石，一般不会缩短内存条寿命。内存最佳时序高频高时序好，同频低时序好，1600跟1866肯定选第二个，既稳定又强大，高频低时序当心挂，其实在容量为尊的时代，时所谓的时序，就是刷新内存的间隙，因为内存是易失性存储设备，需要不同的为内存的记忆单元充电保持数据。一般的，不加压，高时序，时序对性能影响极小，1866得着不住的，硬来会牺牲，时序911927还算不错的，如果能达到24就更好了，性能比ddr42133还强一些，一般数字，A-B-C-D，分别对应的参数：CL-tRCD-tRP-tRAS。

内存时序越低性能越好 不过内存频率越高的话相应的时序也就会越高同频率的情况下时序越低越好

一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它们的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上; RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间; RAS Precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间; Row Active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。

9-9-9-24的好呗，频率越高时序越低的越好。但不是绝对的，比如三星30nm黑武士默认时序也是11-11-11-30，但普遍可超2133，有些9-9-9-24的都办不到

时序模式。微星内存时序模式选时序模式。设置项有auto、dct0、dct1、both，默认是auto。auto就是按内存条的spd设置时序。dct0/dct1/both是用户自己设置时序置。dct0是设置通道a。

1、首先，在官网下载AIDA64并安装，在网上查找序列号或算号zhidao器输入序列号完成许可。打开AIDA64。2、单击打开主板分支。有两个与内存相关的面板：内存和SPD。内部专用内存面板仅显示物理内存、总虚拟内存和使用情况等信息。3、在SPD面板，显示内存的硬件信息。如果是多内存，在设备描述里面切换内存条，下面显示内存型号，制造日期，序列号，存取类型，存取速度属，内存时序等。

内存时序的调节步骤如下：在BIOS中打开手动设置。在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。BIOS设置中可能出现的其他描述有，Automatic Configuration，Auto，Timing Selectable，Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable）。内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS。预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。内存时序，一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。

内存时序的调节步骤如下：在BIOS中打开手动设置。在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。BIOS设置中可能出现的其他描述有，Automatic Configuration，Auto，Timing Selectable，Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable）。内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS。预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。内存时序，一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。

内存的时序是由频率决定的，频率越高，时序越高，相对性能越底，ddr3比ddr2时序高也就是因为频率更高的缘故

自动。内存时序模式是电脑进行储存的一种模式。1、连接需要手动保存，而自动可以自动保存，更方便。2、连接占运行内存是20MB，而自动只占15MB，因此自动好。

1、内存时序（英语：Memorytimings或RAMtimings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。2、第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Commandrate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。

1、内存时序（英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。 2、它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。

内存时序的调节方法是：1、在BIOS中打开手动设置。2、在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。3、BIOS设置中可能出现的其他描述有，Automatic Configuration，Auto，Timing Selectable，Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable）。4、内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS。5、预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

问题一：内存时序怎么看 一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。 在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍： 一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表： mand Per Clock(CPC) 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 mand Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM mand Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。 CAS Latency Control(tCL) 可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，......>> 问题二：内存时序里面的时钟是什么意思 数值怎么看 越大越好还是越小越好？ 我的这内存如何？ 10分 里面的时钟表示时钟个数，DDR3没个时钟的时间是1.25ns, 13个时钟就是延迟16.25ns。 所以这个值是越小越好。 你的是DDR3 32GB 1866Mhz的内存 1866的内存里面的几个默认关键值是CL-TRCD-TRP(13-13-13)， 所以你的内存只能说是符合标准，优秀不优秀要用软件测性能 问题三：内存时序怎么调节？ 应该是前4项为11-11-11-30 你现在使用的时序已经优于默认时序。 可以到bios中进行向下憨调。如果蓝屏死机，则向上调整直到稳定。 问题四：CPUZ怎么看内存时序 你能用cpu-z看你机子正在用这两根内存条，说明它们是兼容的。而且它们运行在同一频率上，他们的CAS和RAS是一样，你可以看Memory选项，那是两根内存运行时的频率及CAS、RAS等等。你上面描述的应该是两根内存条的SPD信息 问题五：内存时序怎么看 9-9-9-24的好呗，频率越高时序越低的越好。但不是绝对的，比如三星30nm黑武士默认时序也是11-11-11-30，但普遍可超2133，有些9-9-9-24的都办不到 用cpu-z 点spd选项卡就可以查看！ 问题六：内存条的时序怎么看 到网上下个叫：CPU-Z的工具（网上大把的），里面有个内存这一栏，在那可以看的到 问题七：电脑内存大小频率时序参数怎么看 可以使用cpuz或者aida64等工具查看内存参数 问题八：会看内存条时序的进来帮我看看，小白不会看 你的内存是1866的频率的，你现在运行在1600的频率下，可以进BIOS手动调节到1866 问题九：为什么CPUZ里看的内存时序和我用的不一样 前者可以工作在三种不同的外频下,后者只能在一种外频下. 问题十：内存时序怎么看 用CPU－Z可以看到。 在BIOS里，你让内存by spd或auto，也就是自动设置，也可以看到。

问题一：内存时序怎么看 一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。 在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍： 一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表： mand Per Clock(CPC) 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 mand Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM mand Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。 CAS Latency Control(tCL) 可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，......>> 问题二：内存时序里面的时钟是什么意思 数值怎么看 越大越好还是越小越好？ 我的这内存如何？ 10分 里面的时钟表示时钟个数，DDR3没个时钟的时间是1.25ns, 13个时钟就是延迟16.25ns。 所以这个值是越小越好。 你的是DDR3 32GB 1866Mhz的内存 1866的内存里面的几个默认关键值是CL-TRCD-TRP(13-13-13)， 所以你的内存只能说是符合标准，优秀不优秀要用软件测性能 问题三：内存时序怎么调节？ 应该是前4项为11-11-11-30 你现在使用的时序已经优于默认时序。 可以到bios中进行向下憨调。如果蓝屏死机，则向上调整直到稳定。 问题四：CPUZ怎么看内存时序 你能用cpu-z看你机子正在用这两根内存条，说明它们是兼容的。而且它们运行在同一频率上，他们的CAS和RAS是一样，你可以看Memory选项，那是两根内存运行时的频率及CAS、RAS等等。你上面描述的应该是两根内存条的SPD信息 问题五：内存时序怎么看 9-9-9-24的好呗，频率越高时序越低的越好。但不是绝对的，比如三星30nm黑武士默认时序也是11-11-11-30，但普遍可超2133，有些9-9-9-24的都办不到 用cpu-z 点spd选项卡就可以查看！ 问题六：内存条的时序怎么看 到网上下个叫：CPU-Z的工具（网上大把的），里面有个内存这一栏，在那可以看的到 问题七：电脑内存大小频率时序参数怎么看 可以使用cpuz或者aida64等工具查看内存参数 问题八：会看内存条时序的进来帮我看看，小白不会看 你的内存是1866的频率的，你现在运行在1600的频率下，可以进BIOS手动调节到1866 问题九：为什么CPUZ里看的内存时序和我用的不一样 前者可以工作在三种不同的外频下,后者只能在一种外频下. 问题十：内存时序怎么看 用CPU－Z可以看到。 在BIOS里，你让内存by spd或auto，也就是自动设置，也可以看到。

TRFC值属于第二小参，表示刷新间隔周期，单位为周期，值越小越好。DDR3内存通常值为90-120。低于80时，可能导致不稳定。CL、tRCD、tRP和tRAS称为第一时序，对颗粒性能的影响最明显，也最重要。首先要内存时序（英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。清楚要使计算机有条不紊地工作，对各种操作信号的产生时间、稳定时间、撤销时间及相互之间的关系都有严格的要求。对操作信号施加时间上的控制，称为时序控制。只有严格的时序控制，才能保证各功能部件组合有机的计算机系统。扩展资料：内存时序的影响因素：当将内存时序转换为实际的延迟时，最重要的是注意是以时钟周期为单位。如果不知道时钟周期的时间，就不可能了解一组数字是否比另一组数字更快。举例来说，DDR3-2000内存的时钟频率是1000 MHz，其时钟周期为1 ns。基于这个1 ns的时钟，CL=7给出的绝对延迟为7 ns。而更快的DDR3-2666（时钟1333 MHz，每个周期0.75 ns）则可能用更大的CL=9，但产生的绝对延迟6.75 ns更短。现代DIMM包括一个串行存在检测（SPD）ROM芯片，其中包含为自动配置推荐的内存时序。PC上的BIOS可能允许用户调整时序以提高性能（存在降低稳定性的风险），或在某些情况下增加稳定性（如使用建议的时序）。注意：内存带宽是测量内存的吞吐量，并通常受到传输速率而非潜伏时间的限制。通过交错访问SDRAM的多个内部bank，有可能以峰值速率连续传输。可能以增加潜伏时间为代价来增加带宽。具体来说，每个新一代的DDR内存都有着较高的传输速率，但绝对延迟没有显著变化，尤其是市场上的第一批新一代产品，通常有着较上一代更长的延迟。即便增加了内存延迟，增加内存带宽也可以改善多处理器或多个执行线程的计算机系统的性能。更高的带宽也将提升没有专用显存的集成显卡的性能。参考资料来源：百度百科-内存时序参考资料来源：百度百科-时序控制

因为内存时序最后一位数小的话代表延迟少、速度快、稳定低。内存时序最后一位数字大代表延迟大、速度慢、稳定高。内存NB频率，越高数值就会对内存的效力就越高。 不过往往提升越高就会不稳定。 频率越高带宽数据就越大。拓展知识：内存时序（英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。　　

FSB：DRAM 是CPU外频与内存单向运行频率的比值内存时序是一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。

参数里面用破折号隔开的那串数字就是了，表示延迟，也就是内存的反应时间，当内存接收到CPU发来的指令后，通常需要几个时钟周期来处理它，比如访问某一块数据，这就对应时序参数。这个时间越短内存性能越好，所以数字是要往小了去的好。不过一般内存频率上去了，时序就得有所牺牲，时序的改变，对延迟的变化比内存读写速度变化会更明显。挑内存挑合适的就行了，日常使用加上玩游戏，2666Hz的就差不多了，像紫光DDR4内存，2666MHz频率型号是CL19-19-19，它配备了散热马甲，可以有效降低温度，避免高温影响性能，主要性价比也蛮突出，使用起来速度也比较快。

奇偶校验则将单元中存入的代码的个数进行奇偶统计，并将统计的结果保存在奇偶校验位中，当计算机提取内存的数据时，奇偶校验则将统计的结果和实际读出的数据进行比较看是否一致，从而确保了内存数据的正确性。

内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。一般数字"A-B-C-D"分别对应的参数是"CL-tRCD-tRP-tRAS"，它们的含义依次为:CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上; RAS-to-CAS Delay(tRCD)，内存行地址传输到列地址的延迟时间; RAS Precharge Delay(tRP)，内存行地址选通脉冲预充电时间; Row Active Delay(tRAS)，内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低"2-2-2-5"这种序列时序的内存模组确实能够带来比"3-4-4-8"更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。

1、内存时序（英语：Memorytimings或RAMtimings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。2、它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Commandrate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。

1、内存时序（英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。 2、它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。

1、内存时序（英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。 2、第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。

分类: 电脑/网络 >> 硬件 问题描述: 内存时序是什么东东啊？ 解析: 1，内存的时序理论上是越低越好，但是前提是保证能够稳定的运行！ 2，双通道是否支持要看主板芯片组（比如865PE 875 915以及NF2U KT880等）或者是CPU是否支持（比如939的A64等） 描述内存条性能的主要技术指标是：1.速度 内存条的速度一般用存取一次数据的时间(单位一般用ns)来作为性能指标，时间越短，速度就越快。普通内存速度只能达到70ns～80ns，EDO内存速度可达到60ns，而SDRAM内存速度则已达到7ns。 注意：内存条的生产厂家非常多，目前还没有形成一个统一的标注规范，所以内存的性能指标不可简单地从内存芯片标注上读出来，但可了解其速度如何，如－70或－60等数字，就表示此内存芯片的速度为70ns或60ns。 2.容量 内存条容量大小有多种规格，早期的30线内存条有256K、1M、4M、8M多种容量，72线的EDO内存则多为4M、8M、16M，而168线的SDRAM内存大多为16M、32M、64M、128MB容量，甚至更高。图5-1是一款独特的64MB内存条。 3.奇偶校验 为检验存取数据是否准确无误，内存条中每8位容量能配备1位做为奇偶校验位，并配合主板的奇偶校验电路对存取的数据进行正确校验。不过，而在实际使用中有无奇偶校验位，对系统性能并没有什么影响，所以目前大多数内存条上已不再加装校验芯片。 注：计算机是以二进制进行计数的，表现为0和1，当机器向内存写入数据时，实际上就是存入代码01，奇偶校验则将单元中存入的代码的个数进行奇偶统计，并将统计的结果保存在奇偶校验位中，当计算机提取内存的数据时，奇偶校验则将统计的结果和实际读出的数据进行比较看是否一致，从而确保了内存数据的正确性。 4.内存的电压 FPM内存和EDO内存均使用5V电压，而SDRAM则使用3.3V电压，在使用中注意主板上的跳线不能设错。

超频内存的时候有两种，一种是提高内存的主频，这个可以使得内存的读写数据的速度更快，类似高速公路上的车速，而内存时序是指控制内存数据读写指令的速度，类似收费口，路上的车速再快最终也是要上下高速公路的，只不过并不是只有一个口，因此内存时序只要够用就可以了。

在进行内存时序调整时，需要遵循安全原则，不要过度调整，以免损坏硬件。同时，需要备份BIOS设置，以便在出现问题时恢复。备份BIOS设置内存时序是内存工作的节拍，也是内存读写数据的速度和稳定性的重要因素。确认内存支持的时序备份BIOS设置备份BIOS设置内存时序是内存工作的节拍，也是内存读写数据的速度和稳定性的重要因素。内存时序包括时序频率、时序时序、时序电压等。内存时序怎么调：首先重启电脑，在logo界面按下热键进入bios设置。可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。一般来说，内存调时序包括四个参数：CAS时序、RAS时序、周期时间和写入延迟。这些参数可以通过BIOS界面进行设置，具体步骤如下：进入计算机的BIOS设置界面，一般是按下DEL或F2键进入。重启电脑，在logo界面按下热键进入bios设置。进入后，找到高级选项进入，选择advancedchipsetfeature。进入后，将DRAMTimingSelectable改为manual。开启时序调整后，会多出来4个选项即内存时序。

分类: 电脑/网络 >> 硬件 问题描述: CPU是P4 2.66GHZ,外频133MHZ,前端总线533MHZ 内存是金士顿DDR400有2条组成双通道共1G容量 内存时序几种设置如下: 1.内存DDR400,内存时序3-3-3-82.把内存DDR400降到RRD266,内存时序2-2-2-6 *补充:因为CPU的前端总线533MHZ,2条内存在双通道下DDR266就够用了,而不用DDR400,对吗? 所以我想在内存频率够用的情况下,降低内存的时序数字,来提高内存的性能. 高手指教! 解析: 不是的,你应该错了,533M的端总线要333才够用,如果是要266的话就=没开双通了,性能提高不是很明显的.主板哪里应该有一项可调到333的. 你应该在有333的前提下再去调时序,否则效果不大 呵呵,这个我也不清楚我是在书上看的,你如果不信也可以上网查下, 我看的书上是这样说的 前端总线400 对DDR266 前端总线533对 DDR333 前端总线800 对DDR400(这只是对INTEL而说的能AMD的会有点不同) 我现在才发觉你对前端总线的理解是错的,前端总线不是这样算的, 它和你内存条的多小没关的. 我上面说的是对的,你就按我说的去做吧,包你有体验.

需要开启。现在很多内存条都是需要开启XMP才能达到宣传的频率，如果不开启XMP功能，可能内存频率比宣传的低很多。内存时序：一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-84个数字的含义依次为：CASLatency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。

内存时序的调节方法是：1、在BIOS中打开手动设置。2、在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。3、BIOS设置中可能出现的其他描述有，Automatic Configuration，Auto，Timing Selectable，Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable）。4、内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS。5、预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。6、内存时序，一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。

问题一：内存时序怎么看 一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。 在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍： 一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表： mand Per Clock(CPC) 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 mand Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM mand Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。 CAS Latency Control(tCL) 可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，......>> 问题二：内存时序里面的时钟是什么意思 数值怎么看 越大越好还是越小越好？ 我的这内存如何？ 10分 里面的时钟表示时钟个数，DDR3没个时钟的时间是1.25ns, 13个时钟就是延迟16.25ns。 所以这个值是越小越好。 你的是DDR3 32GB 1866Mhz的内存 1866的内存里面的几个默认关键值是CL-TRCD-TRP(13-13-13)， 所以你的内存只能说是符合标准，优秀不优秀要用软件测性能 问题三：内存时序怎么调节？ 应该是前4项为11-11-11-30 你现在使用的时序已经优于默认时序。 可以到bios中进行向下憨调。如果蓝屏死机，则向上调整直到稳定。 问题四：CPUZ怎么看内存时序 你能用cpu-z看你机子正在用这两根内存条，说明它们是兼容的。而且它们运行在同一频率上，他们的CAS和RAS是一样，你可以看Memory选项，那是两根内存运行时的频率及CAS、RAS等等。你上面描述的应该是两根内存条的SPD信息 问题五：内存时序怎么看 9-9-9-24的好呗，频率越高时序越低的越好。但不是绝对的，比如三星30nm黑武士默认时序也是11-11-11-30，但普遍可超2133，有些9-9-9-24的都办不到 用cpu-z 点spd选项卡就可以查看！ 问题六：内存条的时序怎么看 到网上下个叫：CPU-Z的工具（网上大把的），里面有个内存这一栏，在那可以看的到 问题七：电脑内存大小频率时序参数怎么看 可以使用cpuz或者aida64等工具查看内存参数 问题八：会看内存条时序的进来帮我看看，小白不会看 你的内存是1866的频率的，你现在运行在1600的频率下，可以进BIOS手动调节到1866 问题九：为什么CPUZ里看的内存时序和我用的不一样 前者可以工作在三种不同的外频下,后者只能在一种外频下. 问题十：内存时序怎么看 用CPU－Z可以看到。 在BIOS里，你让内存by spd或auto，也就是自动设置，也可以看到。

可以理解为内存时序数值越小内存的速度就越快但是内存频率越高的话内存时序也相应升高，1600mhz的内存这个时序是正常的超内存的话不紧可以提高频率，也可以通过更改时序来提高内存速度但是时序的时间越小，内存越不稳定。相反越稳定这个网站你去看看什么都清楚了不用改改到77721也没多大效果的那个速度只有软件才测的出来人是感觉不到的

在给电脑购买内存的时候，大多数人会注重看内存的容量和频率参数，一般来说容量越大越好，频率越高越好。当然，这两个参数很重要，但还有另一个重要参数往往被大家忽略，它便是内存时序。那么，什么是内存时序，它对内存性能又会有哪些影响？本期科普，闪德君就带大家一起来认识认识这一内存参数。 时序会对内存芯片上各种常见操作之间的延迟产生影响，如果延迟超过一定限度，就会影响到内存的性能。一句话来概括，内存的时序是对内存在执行其各种操作时可能经历的固有延迟的描述。 内存的时序是以时钟周期来衡量的，大家可能在内存条的产品页面上看到一串由破折号分隔的数字，比如16-18-18-38，这些数字便被称为内存时序。本质上来讲，由于它们代表了延迟，所以时序自然越低越好。这四个数字代表了所谓的 「主要时序」，对延迟的影响最为显著。 内存时序4个数字对应的参数分别为CL、tRCD、tRP、tRAS，单位都是时间周期。其中CL（CAS Latency）表示「列地址访问的延迟时间，是时序中最重要的参数」；tRCD（RAS to CAS Delay）表示「内存行地址传输到列地址的延迟时间」；tRP（RAS Precharge Time）表示「内存行地址选通脉冲预充电时间」；tRAS（RAS Active Time）表示「行地址激活的时间」。 看完上面这些，大家是不是更迷惑了？别急，下面我们举个简单例子来讲讲。 我们可以把内存存储数据的地方想象成一个网格，且每个方格都存储着不同的数据，CPU需要什么数据，就向内存发出相应的指令。 比如CPU想要C3位置的数据。内存在接收到CPU的指令后，要先确定数据具体在哪一行，时序的第二个参数tRCD就代表这个时间，意思是内存控制器接收到行的指令后，需要等待多长时间才能访问这一行。 内存确定了数据所在的行之后，要想找出数据，还得确定列。时序的第一个数字也就是CL，就表示内存确定行数之后，还要等待多长时间，才能访问具体的列。 确定了行数和列数之后，就能准确找到目标数据，所以CL是一个准确的值，任何改动都会影响目标数据的位置，所以它在时序中是最关键的一个参数，对内存性能的发挥有着举足轻重的作用。 内存时序的第三个参数tRP，就是已经确定了一行，还要再确定另外一行所需要等待的时间。 第四个参数tRAS，可以简单理解成内存写入或读取数据的一个时间，它一般接近于前三个参数的总和。 所以，在保障稳定性的前提下，内存时序越低越好。但我们知道现在有不少内存条都能够超频，而高频率和低时序相互矛盾，一般频率上去了，时序就得有所牺牲，要想时序足够低，频率又很难拔高。比如今年各大存储厂商发布的DDR5内存，频率确实升上去了，但时序也相对DDR4内存来说要高上不少。

　　虽然我从小就对看书感兴趣，可是让我看一本完全不了解的书可是一点都看不下去，学知识也是一样，自己喜欢的不用别人督促，就能把它学的很好很扎实，自己不喜欢的学科呢，就要逼着自己学，而且效果并不好，兴趣是最好的老师，不过正在上学还没高考的可要认真学习每一门功课，考上大学后再选择一个自己喜欢的专业。内存时序设置我是看不懂，相信总有人会明白的。 　　内存时序设置 　　内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。 　　涉及到的参数分别为： 　　CPC : Command Per Clock 　　tCL : CAS Latency Control 　　tRCD : RAS to CAS Delay 　　tRAS : Min RAS Active Timing 　　tRP : Row Precharge Timing 　　tRC : Row Cycle Time 　　tRFC : Row Refresh Cycle Time 　　tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay) 　　tWR : Write Recovery Time 　　u2026u2026及其他参数的设置 　　首 先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”(视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable)，如果要调整内存时序，应该先打开 手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表： 　　CPC : Command Per Clock 　　可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 　　Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择(通过DIMM上CS片选信号进行)，然后才是L-Bank/行激活与列地址的选 择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 　　显然，CPC越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 　　该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。 　　tCL : CAS Latency Control(tCL) 　　可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。 　　一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。 　　CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说 是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。 　　内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是 tRAS(Activeto Precharge Delay)，预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS(Row Address Strobe )开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束 就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。 　　这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要 的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同 时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。 　　该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。 　　tRCD : RAS to CAS Delay 　　可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。 　　该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS to CAS Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在 JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时， 系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。 　　如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。 　　tRAS : Min RAS Active Timing 　　可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。 　　该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5-10之间。这个参数要根据实际情况而定，并 不是说越大或越小就越好。 　　如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太 短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误 或系统死机，则应该增大tRAS的值。 　　tRP : Row Precharge Timing(tRP) 　　可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。 　　该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。 　　tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激 活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机 来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR 内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。 　　一般说来，tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。 　　tRC : Row Cycle Time(tRC) 　　可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。 　　Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而 等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。 　　因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。 　　tRFC : Row Refresh Cycle Time 　　可选的设置：Auto，9-24，步幅值1。 　　Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次 发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。 　　通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是内存超频建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。 　　tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay) 　　可选的设置：Auto， 0-7，每级以1的步幅递增。 　　Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行单元到行单元的延时"。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。 　　延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐 tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将 影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。 　　tWR : Write Recovery Time 　　可选的设置：Auto，2，3。 　　Write Recovery Time (tWD)，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预 充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电 操作，会导致数据的丢失及损坏。 　　如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2;如果使用DDR333或DDR400，则将tWD值设为3。 　　tWTR : Write to Read Delay 　　可选的设置：Auto，1，2。 　　Write to Read Delay (tWTR)，表示“读到写延时”。三星公司称其为“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。 　　tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加tWTR值，可以 让内容模块运行于比其默认速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR值设为1;如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的 值设为1，如果系统不稳定，则改为2。 　　tREF : Refresh Period 　　可选的设置：Auto， 0032-4708，其步进值非固定。 　　Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指内存模块的刷新周期。 　　先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期(单位：微秒，即：一百万分之一秒)。?号在这里表示该刷新周期尚无对应的准确数据。 　　1552= 100mhz(?.??s) 　　2064= 133mhz(?.??s) 　　2592= 166mhz(?.??s) 　　3120= 200mhz(?.??s) 　　--------------------- 　　3632= 100mhz(?.??s) 　　4128= 133mhz(?.??s) 　　4672= 166mhz(?.??s) 　　0064= 200mhz(?.??s) 　　--------------------- 　　0776= 100mhz(?.??s) 　　1032= 133mhz(?.??s) 　　1296= 166mhz(?.??s) 　　1560= 200mhz(?.??s) 　　--------------------- 　　1816= 100mhz(?.??s) 　　2064= 133mhz(?.??s) 　　2336= 166mhz(?.??s) 　　0032= 200mhz(?.??s) 　　--------------------- 　　0388= 100mhz(15.6us) 　　0516= 133mhz(15.6us) 　　0648= 166mhz(15.6us) 　　0780= 200mhz(15.6us) 　　--------------------- 　　0908= 100mhz(7.8us) 　　1032= 133mhz(7.8us) 　　1168= 166mhz(7.8us) 　　0016= 200mhz(7.8us) 　　--------------------- 　　1536= 100mhz(3.9us) 　　2048= 133mhz(3.9us) 　　2560= 166mhz(3.9us) 　　3072= 200mhz(3.9us) 　　--------------------- 　　3684= 100mhz(1.95us) 　　4196= 133mhz(1.95us) 　　4708= 166mhz(1.95us) 　　0128= 200mhz(1.95us) 　　如果采用Auto选项，主板BIOS将会查询内存上的一个很小的、名为“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存储了内存条的各种相关工作参数等信息，系统会自动根据SPD中的数据中最保守的设置来确定内存的运行参数。如过要追求最优的性能，则需 手动设置刷新周期的参数。一般说来，15.6us适用于基于128兆位内存芯片的内存(即单颗容量为16MB的内存)，而7.8us适用于基于256兆位 内存芯片的内存(即单颗容量为32MB的内存)。注意，如果tREF刷新周期设置不当，将会导致内存单元丢失其数据。 　　另外根据其他的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是 bit。阵列中的每个bit都能被随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15.6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写 一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过同步的RAS-only的刷新方法(行刷新)，每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新 一行耗费15.6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15.6?s x2048行=32ms。 　　tREF和tRAS一样，不是一个精确的数值。通常15.6us和3.9us都能稳定运行，1.95us会降低内存带宽。很多玩家发现，如果内存质量优良，当tREF刷新周期设置为3120=200mhz(?.??s)时，会得到最佳的性能/稳定性比。

现在手机 看不清楚图 等星期五用电脑看了图给你回答

内存时序与内存的读取速度息息相关，不过相信大部分人都不知道内存时序其实是可以手动调的，那么内存时序怎么调呢，其实我们只要在bios设置里就可以调节了。内存时序怎么调：1、首先重启电脑，在logo界面按下热键进入bios设置。【热键大全】2、进入后，找到“高级选项”进入，这里是“advancedchipsetfeature”3、进入后，先将“DRAMTimingSelectable”改为“manual”（这里的选项可能会不一样，尽量找带time或timing的；后面可以改成on或者enabled）4、开启时序调整后，下面会多出来4个选项就是内存时序了。5、依次选择这些内存时序更改就可以了，改完之后记得保存。其实现在的内存都是没有必要手动调节时序的，它会自动调节。

首先，你要查一下你内存标准时序是多少？比如我用的万紫千红4G 1600的，它的标准时序也是11，在这个时序下它工作是最稳定的，所以通常它对电脑性能影响是不大的。时序肯定是越低越好的，但现在新一代的频率高了，时序不可能比以前的老条更低，这涉及到内存工作原理问题，要仔细说的话会很长，你可以看下百度的说法……11的时序和9的时序相比，据说性能会有3%到5%左右的损失，但你如果是11的时序1600的频率和9的时序1333的频率，肯定1600又要好些，所以整体来说还是提升的，一般来说，你不用专业的软件去测你是感觉不出性能影响的……所以你完全可以不用在乎时序带来的影响啦！！！如果你特别在乎的话，你可以在主板的BIOS中去调整的，不过稳定性就要看内存品牌了，通常可以完全忽略这个问题的，如果影响太大，人家也早会想到，也就不可能会出这样的内存出来了，您说是吧。

工具/原料AIDA（1）首先，在官网下载AIDA64并安装，在网上查找序列号或算号器输入序列号完成许可。打开AIDA64（2）点开主板分支，和内存相关的有两个面板：内存 和 SPD，在内存面板，只显示物理内存，虚拟内存总量和使用量等信息。（3）在SPD面板，显示内存的硬件信息。如果是多内存，在设备描述里面切换内存条，下面显示内存型号，制造日期，序列号，存取类型，存取速度，内存时序等。

内存时序可以调低。如果蓝屏死机，可以到bios中进行向下微调，则将内存延时设置在较低的水平。简单说从主板BIOS里面调，找到内存的设置，把参数调低，内存频率与时序是互相制约的，频率越高时序延迟也相应增加，不然就会失败，会很容易找到内存时序的，然后依次改。调内存条时序是检验内存条优劣的试金石，一般不会缩短内存条寿命。内存最佳时序高频高时序好，同频低时序好，1600跟1866肯定选第二个，既稳定又强大，高频低时序当心挂，其实在容量为尊的时代，时所谓的时序，就是刷新内存的间隙，因为内存是易失性存储设备，需要不同的为内存的记忆单元充电保持数据。一般的，不加压，高时序，时序对性能影响极小，1866得着不住的，硬来会牺牲，时序911927还算不错的，如果能达到24就更好了，性能比ddr42133还强一些，一般数字，A-B-C-D，分别对应的参数：CL-tRCD-tRP-tRAS。

需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开 手动设置。

内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。一般数字"A-B-C-D"分别对应的参数是"CL-tRCD-tRP-tRAS"，它们的含义依次为:CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上; RAS-to-CAS Delay(tRCD)，内存行地址传输到列地址的延迟时间; RAS Precharge Delay(tRP)，内存行地址选通脉冲预充电时间; Row Active Delay(tRAS)，内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低"2-2-2-5"这种序列时序的内存模组确实能够带来比"3-4-4-8"更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。

内存时序即描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，列如上图的16-18-18-36。第四个参数经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N，这些参数指定了影响随机存储存储器速度的延迟时间，较低的数字通常意味着更快的性能，所以也就是越小越好啦，通常以纳秒（ns）为单位。各项数值在这四组数字之中，第一组数字CL（即开头的一组）对内存性能的影响是最明显的，所以很多产品都会把内存CL值标在产品名上，一般DDR4内存的第一项数值在15左右浮动，但是DDR3内存的数值在5到11之间，而且后面三组数值也比DDR4内存要小，也就是说在相同的频率下，DDR3内存是要比DDR4更快的（笔者并不是否定DDR4）。说了关于时序四组数字的定义那么在购买产品时怎么运用到这一小知识点呢？我给大家举个例子，比如芝奇2400 MHz的DDR4内存，它的时序是17-17-17-39，而2666 MHz的内存时序则是19-19-19-43，在实际测试中2666 MHz的内存频率虽然较高，但是由于时序数值也高，性能并没有什么优势。因此大家在选择内存的时候关注频率的同时还要重点看看时序，频率一样的情况下一定要选择时序更低的产品。关于时序，在进行内存超频时也可以通过手动超频来降低时序，不少厂家也会推出超频版本供发烧友选择。

1、内存时序（英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。 2、第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。

内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。

1. 确认内存支持的时序3. 备份BIOS设置3. 备份BIOS设置内存时序是内存工作的节拍，也是内存读写数据的速度和稳定性的重要因素。内存时序包括时序频率、时序时序、时序电压等。内存时序调整可以提高系统的整体性能，但是需要谨慎操作。在进行内存时序调整之前，需要确认内存支持的时序范围，遵循安全原则，并备份原始的BIOS设置。1. BIOS设置

在对比不同的内存条参数的时候，我们可以看到有一个内存时序，但是一般新手、小白并不知道内存时序是什么意思，今天我们就为大家带来了内存时序的科普知识。内存时序是什么意思：答：内存时序简单来说就是内存延迟。内存时序是内存系统当中最重要的一环，它决定了内存读写的速度。在对比的时候，内存时序数字越小，内存速度就越快。1、一般内存时序由5个数字和4个连接符号构成。2、有些内存时序标注时会省略第4、第5个数字，所以看起来只有3个或4个数字。3、第1个数字指的是读取第一个比特所需的周期数，简单来说就是开始读取所需的时间。4、第2个数字是行地址传输到列地址的延迟，简而言之，是读取最短的一列所需要的时间。5、第3个数字是行预充电时间，所代表的是从上一行读取到下一行所需要的时间。6、第4个数字是行激活时间，它的本事和第2个数字是一样的，所以经常会被省略。7、第5个数字是首命令延迟，由于作用不大，所以也经常会被省略掉。与内存频率一样，内存时序也是我们在购买内存的时候需要考虑的点。

时序设定没什么绝对规律或数学公式,又或没什么规律可循，就像入门学英语，总觉得每个单词是有规律，其实都没规律的，要自己去背单词。内存出厂最佳设置 17-18-18-18-38 3600 1.35v我想降低频率到3200 ， 可以是这样这样设定14-15-15-15-35 3200 1.3V 或 14-14-14-34 3200 1.3V trfc 360-400我想把内存超4000， 大概可以这样设定18-20-20-20-40 1.4V 频率4000 或 18-18-18-38 1.4V trfc 630