现代内存

现在DDR2内存很便宜的```我上次去熟人那里买，1G的只要160多点，比进价稍微高点。一般去买的话512的150多，1G的300多。

哈哈 不会吧 去汽车网站找内存

533MHz*8字节=4.3GB/s，所以标为PC2-4200（奇怪，应该标4300才对）1RX16指的是这块内存用了16个内存颗粒，你看外观应该是每侧八颗；44412是内存的四个基本参数，你在CPU-Z的SPD标签下面能看到；再下面那行就是内存颗粒的标签了，是“现代”颗粒，那一串字母的具体意义要去查更详细的对照表，我也不认识。

PC3就是DDR3，12800表示速度是1600的

其实是相同的，只是叫法不一样现代是以前的叫法，这是由于Hynix以前隶属韩国现代公司的关系；2005年，完全与现代集团剥离开来的Hynix内存登陆国内市场，正式命名为Hynix海力士内存。所以现在应该要叫海力士，不叫现代了很高兴为你解答，满意请采纳，谢谢！

上面的图片不是很清楚,从标签看是Hynix海力士笔记本内存,以前隶属韩国现代公司korea表示该内存条是韩国封装,china表示该内存条是中国封装,后面的数字表示不同的封装厂海力士好像在无锡有加生产厂商,但市场上采用Hynix内存芯片的兼容条更多教你简单鉴别原厂条和兼容条的办法:1、从内存标签的颜色、字体等印刷质量可以简单的区分,一些做工低劣的假“海力士”内存,内存标签一般颜色暗淡,印刷内容拥挤,较模糊。正品内存标签颜色鲜艳,字体清晰。2、看PCB板。正品Hynix海力士内存采用独特的六层PCB专用设计,在PCB板的正面左上方有“Hynix”或者“Leadram” 字样。假冒的海力士内存部分使用4层PCB板,基板厚度明显比正品内存要薄,同时内存基板上的信号线比较多较多,显得凌乱,PCB板的正面左上方一般没有“Hynix”或者“Leadram” 字样。求采纳

f

Hynix很少出原厂Major的内存条，通常都是ett颗粒提供给下游厂商。非常多的厂家都在用HY的内存颗粒，比较常见的有芝奇，金士顿，金邦等等（内存条所用颗粒不是固定的，同一款内存条其所用颗粒可能随时变化）Hynix最出名的也是用的最广泛的颗粒是H9C BFR/CFR颗粒没有打磨过的颗粒会在表面留下“Hynix”LOGO，颗粒编号最后三位为“BFR”或“CFR”结尾最后一行会有H9C字样（有些颗粒似乎没有该字样）要说明的是内存颗粒这个东西超频能力和CPU有点相似，有混搭的，手工挑的和挑剩的，就像CPU有雕有雷一样。所以这个颗粒的体质也是因人而异，特挑的极品颗粒超频潜力会非常高，价格同样也会很高。广泛来说H9C颗粒差不多能达到的水平：1600 7-9-81866 9-10-92000 9-10-102133（如果能上的话） 9-12-10体质好的颗粒2133 可以跑出9-10-10甚至9-10-9的成绩以上三个数字分别代表CL值，tRCD值，tRF值tRAS由于没有什么代表性就没列出

上面的图片不是很清楚，从标签看是Hynix海力士笔记本内存，以前隶属韩国现代公司korea表示该内存条是韩国封装，china表示该内存条是中国封装，后面的数字表示不同的封装厂海力士好像在无锡有加生产厂商，但市场上采用Hynix内存芯片的兼容条更多教你简单鉴别原厂条和兼容条的办法：1、从内存标签的颜色、字体等印刷质量可以简单的区分，一些做工低劣的假“海力士”内存，内存标签一般颜色暗淡，印刷内容拥挤，较模糊。正品内存标签颜色鲜艳，字体清晰。2、看PCB板。正品Hynix海力士内存采用独特的六层PCB专用设计，在PCB板的正面左上方有“Hynix”或者“Leadram” 字样。假冒的海力士内存部分使用4层PCB板，基板厚度明显比正品内存要薄，同时内存基板上的信号线比较多较多，显得凌乱，PCB板的正面左上方一般没有“Hynix”或者“Leadram” 字样。

目前市面上海力士的内存比较好，现代内存都是比较老的，比不上最新的海力士内存。-----海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士. 　　海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会社成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。 -----现代内存是海力士内存的前身，本来就是一家，谈品牌好与不好没有什么意义。只是现代内存2001年就变更为海力士了，所以市面上现存的现代内存都是很老的产品，性能方面当然不如现在的海力士内存。

认识内存颗粒编号含义　　认识内存的性能参数一般方法是读取SPD芯片中的信息，但由于SPD信息需要在开机状态下查看，而且有一些不法商家也会刷写SPD芯片中的信息来欺骗消费者。因此，认识内存更好的办法是识别内存颗粒的编号，当然不能是被打磨过的。通过查看颗粒编号的含义，可以更好地识别内存是否为正品。下面我们以市面上最常见的HY内存颗粒为例简单介绍内存颗粒编号的含义。上图HY内存颗粒的编号为HY5DU56822BT-D43　　这串编号是由14组数字组成的，这14组数字代表着14组不同的重要参数，分别如下：61“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。61“5D”是内存芯片类型为DDR，57则为SD类型。61“U”代表处理工艺及电压为2.5V。(V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)61“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。(64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新)61“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)61“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)61“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)61“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)61能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。61封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)61封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。61封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。61“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)61工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度)　　因此，通过编号“HY5DU56822BT-D43”的内存颗粒我们可以了解到，这是一款DDR SDRAM内存，容量为256MB，采用TSOP封装，速度为DDR400。　　由上面各个编号可以看出，其中最重要的是第13个编号，它明确的告诉我们这款内存实际的最高工作频率是怎样。例如你的内存的颗粒第13位编号是“J”，而又运行在DDR400的频率下，那么这款内存很可能是被超频使用，超频使用的内存不仅稳定性能大打折扣，而且其寿命也会受到影响。

Samsung内存 具体含义解释： 例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容 量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存 条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数 据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判 定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 ·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank) ·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18) ·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代) ·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。 ·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA) ·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。 ·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。 ·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200) ·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度) 现代内存的含义： HY5DV641622AT-36 HYXXXXXXXXXXXXXXXX 123456789101112 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)； 3、处理工艺及工作电压：(空白=5V；V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V) 4、芯片容量密度和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64：64M 4K刷新；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；128= 128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；256=256Mbits、16KRef；257=256Mbits、8KRef ；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系 7、I/O界面：1:SSTL_3、 2:SSTL_2 8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新 9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片 10、内存芯片封装形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-Ⅱ，TD=13mmTSOP-Ⅱ，TG=16mmTSOP-Ⅱ 11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、L:DDR200、H:DDR266B、 K:DDR266A 现代的mBGA封装的颗粒 Infineon（英飞凌） Infineon 是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为 256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存 颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。 HYB39S128400即128MB/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如： HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即 256MB/8bits。 Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。 -7.5——表示该内存的工作频率是133MHz； -8——表示该内存的工作频率是100MHz。 例如： 1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。 1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×8片/8=128MB（兆字节）。 KINGMAX、kti KINGMAX内存的说明 Kingmax 内存都是采用TinyBGA封装（Tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全 是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。 容量备注： KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间×4位数据宽度；KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间×8位数据宽度； KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间×4位数据宽度； KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间×8位数据宽度； KSV864T4XXX——128Mbits，8M地址空间×16位数据宽度。 Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率： -7A——PC133/CL=2； -7——PC133/CL=3；-8A——PC100/CL=2；-8——PC100/CL=3。 例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造，其容量计算为：64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。 Micron（美光） 以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。 含义： MT——Micron的厂商名称。 48——内存的类型。48代表SDRAM；46代表DDR。 LC——供电电压。LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V。 16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。 A2——内存内核版本号。 TG——封装方式，TG即TSOP封装。 -75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。 实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）。Winbond（华邦） 含义说明： WXXXXXXXX 12345 1、W代表内存颗粒是由Winbond生产 2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM 3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H； 4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装 5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ Mosel（台湾茂矽） 台 湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示 单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns NANYA（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR 南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第 4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns。 AP、Whichip、Mr.STONE、Lei、GOLD M.tec（勤茂）、TwinMOS（勤茂） V-DATA（香港威刚）、A-DATA（台湾威刚）、VT 内存颗粒编号为VDD8608A8A-6B H0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256M容量，0327代表它的生产日期为2003年第27周 A－DATA 这是A－DATA的DDR500

这是颗粒的型号.你这个是HY颗粒的内存.而后面是代码.

目前市面上海力士的内存比较好，现代内存都是比较老的，比不上最新的海力士内存。-----海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士. 　　海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会社成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。 -----现代内存是海力士内存的前身，本来就是一家，谈品牌好与不好没有什么意义。只是现代内存2001年就变更为海力士了，所以市面上现存的现代内存都是很老的产品，性能方面当然不如现在的海力士内存。

目前市面上海力士的内存比较好，现代内存都是比较老的，比不上最新的海力士内存。-----海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士. 　　海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会社成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。 -----现代内存是海力士内存的前身，本来就是一家，谈品牌好与不好没有什么意义。只是现代内存2001年就变更为海力士了，所以市面上现存的现代内存都是很老的产品，性能方面当然不如现在的海力士内存。

现代内存现在以作内存颗粒为主的,就像原料批发总厂似的所以便宜啊.性价比比较高啦希望采纳

原厂是韩国

根据楼上的图，差别就在DIE GENERATION上面，这个直译过来就是第几代模具,A第二代B第三代，个人感觉应该是基地材料或是涂层的差别吧，总体上应该差别不大

颗粒的型号是HYMP564S64CP6-Y5(笔记本内存?)

现代内存编号揭秘 现代内存颗粒的编号是由四段字母或数字组成，如下图一所示，下面，小编就给大家分别解释，主要对内存规格进行说明。现代内存编号示意图 A部分标明的是生产此颗粒企业的名称——Hynix。B部分标明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。第一个阿拉伯数字表示生产的年份，后面两位数字表明是在该年的第XX周生产出来的。如上图中的517表示该模组是在05年的第17周生产的。 C部分表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。其根据频率、延迟参数不同，分别可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。其含义分别为D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。 D部分编号实际上是由12个小部分组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体详细内容如图二所示。D部分编号12个小部分分解示意图采用现代颗粒的内存颗粒特写 第1部分代表该颗粒的生产企业。“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代生产制造。第2部分代表产品家族，由两位数字或字母组成，“5D”表示为DDR内存，“57”表示为SDRAM内存。 第3部分代表工作电压，由一个字母组成。其中含义为V代表VDD=3.3V & VDDQ=2.5V； U代表VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W代表VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S代表VDD=1.8V & VDDQ=1.8V来分别代表不同的工作电压。 第4部分代表内存模组的容量和刷新设置，由两位数字或字母组成。对于DDR内存，分别由“64、66、28、56、57、12、1G”来代表不同的容量和刷新设置。其中含义为：64代表64MB容量，4K刷新；66代表64MB容量，2K刷新； 28代表128MB容量，4K刷新；56代表256MB容量，8K刷新；57代表256MB容量，4K刷新；12代表512MB容量，8K刷新；1G代表1GB容量，8K刷新。 第5部分代表该内存颗粒的位宽，由1个或2个数字组成。分为4种情况，分别用“4、8、16、32”来分别代表4bit、8bit、16bit和32bit。 第6部分表示的是Bank数，由1个数字组成。有三种情况，分别是“1”代表2 bank，“2”代表4 bank，“4”代表8 bank。 第7部分代表接口类型，由一个数字组成。分为三种情况，分别是“1”代表SSTL_3，“2”代表SSTL_2；“3”代表SSTL_18。 第8部分代表该颗粒的版本，由一个字母组成，这部分的字母在26个字母中的位置越*后，说明该内存颗粒的版本越新，目前为止HY内存共有5个版本，表现在编号上，空白表示第一版，“A”表示第二版，依次类推，到第5版则有“D”来代表。购买内存的时候版本越说明新电器性能越好。 第9部分代表的是功耗，如果该部分是空白，则说明该颗粒的功耗为普通，如果该部分出现了“L”字母，则代表该内存颗粒为低功耗。 第10部分代表内存的封装类型，由一个或两个字母组成。由“T”代表TOSP封装，“Q”代表LOFP封装，“F”代表FBGA封装，“FC”代表FBGA（UTC：8 x 13mm）封装。 第11部分代表堆叠封装，由一个或两个字母组成。空白代表普通；S代表Hynix；K代表M&T；J代表其它；M代表MCP（Hynix）；MU代表MCP（UTC）。 第12部分代表封装材料，由一个字母组成。空白表示普通，“P”代表铅，“H”代表卤素，“R”代表铅和卤素。 总的说来，其实只要记住第2、3、6和C部分等几处数字的实际含义，就能很轻松对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是C部分数字，它将很明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。总的来说购买采用现代颗粒的DDR400内存条，最好购买编号是“HYXXXXXXXDX”，对于DDR400内存来说编号的尾数最好是“D43”，因为“D”代表的是最新版的现代DDR内存颗粒，在超频方面其表现非常出色的表现。而“D43”所代表的是216MHz的工作频率，将其运用在DDR400内存中，实际上是将“D43”降频为“D4”使用，具有很强的超频能力。对于目前内存市场的发展和其优惠价格来说，512MB/DDR400和DDR2/533内存是现在最值得购买的内存，无论是其价格还是在用料上都是非常优惠和出色的，最后提醒大家的是购买内存时要注意售后服务.

因为现代全是水货就换了个马甲(海力士)

内存颗粒大小，外频。电压

　　现代条子商标为 “ hynix ”，也称为“海力士”品牌，如下图示。2GB为容量，1Rx8指8个芯片颗粒，PC3-10600S指DDR3规格的带宽，即1333MHz。-9-11为内存的时序参数，B2产品规格。下一行为厂商的内部编码。　　

现代内存条并不全是杂牌，市面上有很多知名品牌的内存条，例如Kingston、Corsair、Crucial等等。这些品牌有着良好的口碑和不错的性能表现。而且，即使是一些没有那么知名的品牌，只要它们采用的是领先的芯片品牌，也能够达到较好的性能和稳定性。另外，现代内存条依靠严格的生产标准和质量控制，杂牌现象大大减少。当然，在市场上仍然存在着一些劣质的山寨内存条，消费者需要提高警惕，选购正规品牌的产品，以保障计算机的性能和稳定性。

分类: 电脑/网络 >> 硬件 问题描述: 我电脑是03年装的,CPU是赛扬2.0的,内存是256M的,现在用感觉有点吃力,我想加多条内存条升级.用CPUZ检测内存显示的信息为:最大带宽PC2100(133MHZ);制造商为三星;颗粒编号为M3 68L3223CTL-CB0.但从内存条上面标注的信息为:hynix 328A HY5DU56822BT-H KOREA KF02106.为现代的内存,我这条内存是假的吗?怎样验证? 不胜感激!!! 解析: 假内存多是用劣质货冒充名牌产品。由于合格的内存芯片生产先将硅晶片切割成小的晶片，并进行简单的EDS测试，完成芯片的大部分功能测试，这是前工序；接着对晶片做I／O（输入／输出）设置和保护，这是后工序；最后对整个芯片做全面的检测，这是检验工序。由于检验工序耗时最长，费用也较高。一些大厂商只做前工序后即将初级产品卖给别的半导体厂家做后工序，做完后半导体厂家并不进行检验工序，也不打任何标识就出售给一些内存条生产商。一些不法内存条生产商购得内存芯片在手工作坊里制造内存条，并标上某些著名的商标出售。假内存的PCB板质量差，做工粗糙。 一、假内存可能有以下特征 1.芯片封装是否破损。 2.电路板造工粗糙，有毛刺和裂痕。 3.用开机方法测试假冒或坏SPD，在BIOS中把“SDRAM Control By”设成“BY SPD”。 4.在BIOS中把内存的ECC校验打开，开机测试ECC奇偶样验内存的真假。 5.用药水清洗芯片变白，字迹粗糙。 6. 打磨芯片有刮痕且方向一致，真内存的标识字符通常较暗。 二、假内存的种类 1.以次充好：JS将一些坏掉可利用的内存条经过屏蔽，其中一部分内存颗粒还可以正常工作，于是经过改造又拿到市场出售。 2.超频：通常以低品质内存冒充高品质内存，比如将PC100的内存强制在133MHZ下工作，它是整机中一的个不稳定隐患。 3.混淆视听：JS以内存芯片颗粒的编号欺骗消费者。 4.打磨：不法JS将一些杂牌的内存颗粒经过打磨，擦除掉上面的内存颗粒信息，在刷上高档名牌内存颗粒的标志进行兜售。 5.洋垃圾废物再利用：JS将国外送来的洋垃圾内存中，将仅存的好颗粒都拿下来，重新印刷PCB组装生产新的内存。 三、分辩内存A条和B条 内存的A条B条，指HY的内存。A条指正货，正货的HY有两种，一种是HY原厂条，芯片、底板都是HY原厂的，另一种是HY的兼容条，它芯片是HY 的，底板不是HY原厂的。所谓的B条就是指打磨条，打磨条是将不是HY的芯片打上HY的牌子而销售的假内存条，B条有的是在没有刻品牌内存芯片（白板条）用激光打上HY的牌子，有的是一些无名小厂把自己的内存芯片打上HY的牌子，再做成的假现代内存条来卖。 分辩HY的真假,主要是看芯片右下角的编号,真正的HY编号是采用阴阳雕刻.一般都不太明显,字体比较细,要把芯片斜对光线才可以看清.而打磨的芯片编号一般很清楚,字体较大,十分明显.也可用天那水刷一下芯片,真的HY的内存一刷后,字体就很快显示出来了,B条一般要很久. 四、真假Hynix内存芯片 真Hynix内存芯片真芯片左下角有一个圆形凹槽，右下角也有一排稍暗的印字，这些特征假芯片都没有。在外观上真内存条上贴的是原厂标签，而假的是普通贴纸；真的Hynix内存芯片在整条电路上的排列是无间隙排列，假的则有明显间隔；真的Hynix内存芯片从背面可以看到圆形凹槽，假的Hynix内存芯片背面则是三个呈直线排列的圆形标记。 五、真假金邦金条内存 真金邦金条用的BLP封装，用六层PCB板。假货字迹较模糊，特别是那个金字，电路板质量差，芯片上的编号和品名好像有打磨过的痕迹.字是印上去的,缺少激光蚀刻那种质感。那块SPD颗粒上也是字迹模糊，电路板的颜色较暗。 六、真假KingMax内存 KingMax内存采用的是先进的TinyBGA封装技术，从表面上应该是看不到芯片引脚的，假的KingMax内存采用的是传统TSOP封装，所以可以清楚的看到从芯片中延伸出的引脚，而且KingMax以前所出的TSOP封装内存并未在芯片上打上KingMax标识，所以在购买时一定要认清内存芯片是否采用的是TinyBGA封装。

分类: 电脑/网络 >> 硬件 问题描述: 电脑为联想品牌机,以前有根内存为128MB P133 SDRAM现代单面.因升级需要,后买了根256MB P133 SDRAM现代单面内存,两根内存都插到主板上只显示256MB,用单根256MB插到主板只显示128MB,请问有什么办法解决?(256MB的芯片数据为:HY57V56820HT-H) 解析: 和你的主板有关系 我也有一根这样的条子 在有些主板上是256 在有些主板上是128 分界线好象是815pe以上吧 不是很确定 但的确是主板不支持 解决的方法只有刷bios或者换主板

双通道DDR技术、四倍带宽内存技术。双通道DDR技术为一种内存的控制技术，它和双通道RDRAM技术非常相类似，是在现有的DDR内存技术上，通过扩展内存子系统位宽使得内存子系统的带宽在频率不变的情况提高了一倍：即通过两个64bit内存控制器来获得128bit内存总线所达到的带宽。用四倍带宽内存技术的英文全称是Quad Band Memory，简称QBM，QBM并不是什么全新的内存架构，也不是什么全新的内存产品，与双通道DDR技术一样也是一种内存控制技术。QBM采用一种位填塞机制，不需要更高时脉频率的内存组件，在不增加内存基准频率的条件下，QBM可以利用现有的DDR内存和其它组件，实现了能获得两倍数据率的配置。扩展资料SDRAM、DDR和DDRⅡ的总线位宽为64位，RDRAM的位宽为16位。而这两者在结构上有很大区别：SDRAM、DDR和DDRⅡ的64位总线必须由多枚芯片共同实现，计算方法如下：内存模组位宽=内存芯片位宽×单面芯片数量（假定为单面单物理BANK）。如果内存芯片的位宽为8位，那么模组中必须、也只能有8颗芯片，多一枚、少一枚都是不允许的；如果芯片的位宽为4位，模组就必须有16颗芯片才行，显然，为实现更高的模组容量，采用高位宽的芯片是一个好办法。而对RDRAM来说就不是如此，它的内存总线为串联架构，总线位宽就等于内存芯片的位宽。参考资料来源：百度百科-带宽参考资料来源：百度百科-内存带宽

基本上没有什么问题的，现代内存多见于品牌机里面，金士顿使用的不同的颗粒生产内存这个没什么关系，不同批次采购不同的颗粒而已，整体的设计规格是一样的。现代内存颗粒和尔必达内存颗粒都是非常好的内存颗粒，金士顿的内存条假货多，只要根据一些常规的防伪手段检验没问题就基本差不多了。 现代内存颗粒的编号也是由四段字母或数字组成，具体分布请看下图。A、B四部分的含义与三星内存颗粒编号的含义相同，分别表示该内存颗粒的生产企业及生产日期。C、D部分所包含的内容主要是指内存的相关规格。接下来我们就详细分解。 A部分不用多说，铁定都是Hynix的LOGO。 B部分是生产日期，由三个数字和一个字母组成，和三星内存颗粒的编号一样，第一个数字表示生产年份，后两位数字表示在该年的第XX周生产。最后的字母，由于在官方文件中没有解释，笔者也未弄明白。 C部分也是表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。根据频率、延迟参数不同，分别用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。 其中： “D5”代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4； “D43”代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3； “D4”代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4； “J”代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3； “M”代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2； “K”代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3； “H”代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3； “L”代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。 补充：紧接这C部分的数字后面，实际上还有一个编号，只是这个编号一般并没有被标示出来。他用来表示内存颗粒的工作温度和应用等级。用“Bank、I、E”来表示不同的工作温度和应用等级，其中： “Blank”代表商业型，工作温度在0 °C~70 °C之间； “E”代表增强型，工作温度在-25°C~85 °C之间； “I”代表工业型，工作温度在-40°C~85 °C之间。 总结: 1． HY代表着该颗粒是现代制造的产品。 2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新） 5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片） 6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代） 9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC）） 12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素） 13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度）） ========================================================= 金士顿真假内存鉴别 Win7提示内存不足怎么办 显存和内存有何区别 更多关于内存的问题请点击 问答堂精编问答 希望以上信息对你有所帮助