什么是内存

此类软件的注册方法是由注册机程序从内存中提取注册码，然后把注册码复制到注册对话框中。一般需要把注册机程序拷贝到软件的运行目录下，第一次直接运行注册机程序，这时原程序会开始启动，在注册对话框中输入任意字符进行注册，这时注册机程序会自动找到正确的注册码并显示出来，选中复制后点确定，原注册对话框会提示错误信息。再次进行注册时把正确的注册码粘贴进去进行注册即可。参考资料：http://www.fd365.com/gmsy/gmsy.htm 第二十个

好比是人的胃

是的。sd卡属于存储卡的一种，它是一种便携式内存卡，由sd卡协会开发和推广。与其他存储卡相比，sd卡具有容量大、传输速度快、易于使用等优点，是数码相机、手机、手持设备、电子书等数字产品中最常用的存储介质之一。内存卡是指一种用于存储数字内容的半导体存储介质，采用闪存芯片技术，无需机械部件即可存储和读取数据。除了sd卡之外，其它常见的内存卡还包括CF卡、MicroSD卡、TF卡、MemoryStick等等。总的来说，sd卡并不是内存卡的代表，而是内存卡中的一种常用卡型。

缓存不占内存的,一般都是在硬盘中开辟一块空间来做缓存的。　　缓存就是数据交换的缓冲区（称作Cache），当某一硬件要读取数据时，会首先从缓存中查找需要的数据，如果找到了则直接执行，找不到的话则从内存中找。由于缓存的运行速度比内存快得多，故缓存的作用就是帮助硬件更快地运行。　　因为缓存往往使用的是RAM（断电即掉的非永久储存），所以在用完后还是会把文件送到硬盘等存储器里永久存储。电脑里最大的缓存就是内存条了，最快的是CPU上镶的L1和L2缓存，显卡的显存是给显卡运算芯片用的缓存，硬盘上也有16M或者32M的缓存。

引导区是用来引导系统的，内存是存放指令的地方，虚拟值就不知道了！

类似于你做了一块蛋糕吃剩下了好多，放在冰箱里，坏了不扔就占地方。

字节顺序是指占内存多于一个字节类型的数据在内存中的存放顺序，通常有小端、大端两种字节顺序。小端字节序指低字节数据存放在内存低地址处，高字节数据存放在内存高地址处；大端字节序是高字节数据存放在低地址处，低字节数据存放在高地址处。基于X86平台的PC机是小端字节序的，而有的嵌入式平台则是大端字节序的。因而对int、uint16、uint32等多于1字节类型的数据，在这些嵌入式平台上应该变换其存储顺序。通常我们认为，在空中传输的字节的顺序即网络字节序为标准顺序，考虑到与协议的一致以及与同类其它平台产品的互通，在程序中发数据包时，将主机字节序转换为网络字节序，收数据包处将网络字节序转换为主机字节序

字节顺序是指占内存多于一个字节类型的数据在内存中的存放顺序，通常有小端、大端两种字节顺序。小端字节序指低字节数据存放在内存低地址处，高字节数据存放在内存高地址处；大端字节序是高字节数据存放在低地址处，低字节数据存放在高地址处。基于X86平台的PC机是小端字节序的，而有的嵌入式平台则是大端字节序的。因而对int、uint16、uint32等多于1字节类型的数据，在这些嵌入式平台上应该变换其存储顺序。通常我们认为，在空中传输的字节的顺序即网络字节序为标准顺序，考虑到与协议的一致以及与同类其它平台产品的互通，在程序中发数据包时，将主机字节序转换为网络字节序，收数据包处将网络字节序转换为主机字节序

CPU是计算机中负责读取指令，对指令译码并执行指令的核心部件。其功能主要是解释计算机指令以及处理计算机软件中的数据。内存作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机在运行中，操作系统就会把需要运算的数据从内存调到CPU中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来。显卡用途是将计算机系统所需要的显示信息进行转换驱动显示器，并向显示器提供逐行或隔行扫描信号，控制显示器的正确显示，是连接显示器和个人计算机主板的重要组件。扩展资料：游戏中的各种效果，其实就是各种模型的组成。CPU主要负责这些模型的前期计算，再交付给显卡处理后期画面效果的渲染，因此游戏效果的高低与流畅运行，是分别取决于显卡与CPU两方面的。因此，当CPU与显卡两方的核心性能，如果有一方不足时，在显示某些复杂场景时，就有可能会出现游戏画面卡住的情况。而当内存与显卡的显存不足时，在加载大的游戏画面时，画面的平均FPS就会变得很低。而内存则是为CPU服务的，所有的数据都是通过内存来与CPU交换的，CPU负责电脑中的整个硬件。而GPU只负责为显卡处理数据。显卡中的显存也一样，是为显卡的GPU服务的，也可以说显存就是显卡中的内存。参考资料来源：百度百科——内存参考资料来源：百度百科——显卡参考资料来源：百度百科——中央处理器

内存是指计算机内的半导体存储器，包括ROM和RAM。ROM用来存放监控程序和一些不变的数据表格，RAM存放正在运算的程序和正在处理的数据，外存通常指的是硬盘、磁盘、磁带、光盘存储器等，用于存放暂不运行的程序和暂不处理的数据。CPU是运算器和控制器的合称，适配器是指连接主机与外设一个中间电路，也叫接口，其作用相当于一个转换器，保证外设与主机要求的相适应的形式发送和接收信息。内存是计算机中重要的部件之一它是与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的因此内存的性能对计算机的影响非常大。外存-为了扩大存储容量,又不使成本有很大的提高,在计算机中还配备了存储容量更大的磁盘存储器和光盘存储器,称为外存储器,简称外存。机器字长是指计算机进行一次整数运算所能处理的二进制数据的位数（整数运算即定点整数运算）。机器字长也就是运算器进行定点数运算的字长通常也是CPU内部数据通道的宽度。存储容量-存储容量,指的是存储器可以容纳的二进制信息量,用存储器中存储地址寄存器MAR的编址数与存储字位数的乘积表示。主频也叫时钟频率,单位是MHz,用来表示CPU的运算速度。CPU的工作频率(主频)包括两部分:外频与倍频,两者的乘积就是主频。输入：1.媒介从外部到内部的传输过程；2.商品或资本从国外进入某一国；3.科学技术上指能量_信号等进入某种机构或装置。

我们通常说的内存，其实指的是“运行内存”，专业术语叫做“随机存取存储器”（英语：Random Access Memory，缩写：RAM）。和电脑的磁盘存储空间相比，运行内存读取数据的速度更快。因此电脑系统会将某些数据保留在运行内存中，从而加快响应速度。如果 Mac 电脑的运行内存被大量占用，那么可能导致的问题包括：运行变慢、打字出现滞后现象、网页或应用程序加载时间过长、应用程序无响应或卡顿、系统弹出“系统的应用程序内存不足”的提示等。清理和优化 Mac 内存的方法既然通过清理和优化内存的方式能解决 Mac 用户遇到的大部分内存问题，那么该如何清理和优化呢？下面是给 Mac 电脑清理内存的方法总结。方法一：删除不必要的登录项登录项是在 Mac 启动时自动加载的程序。其中有些应用程序会偷偷地将自己添加到列表中，但其实你根本没必要让它自动启动，这当然就会给 Mac 的 RAM 内存带来不必要的负担。删除不必要登录项的操作步骤如下：● 打开“系统偏好设置”，然后选择“用户与群组”● 选择自己的帐户，然后切换到“登录项”页面● 勾选你不希望在 Mac 启动时自动加载的程序● 按下面的“–”号方法二：使用CleanMyMac X清理内存CleanMyMac X是一款获得 M公司认证的专业 Mac 优化和清理工具，可以帮助用户一键快速且智能地释放 RAM 内存。具体方法如下：● 去网站下载并安装CleanMyMac X的免费版● 启动后点击右侧的“维护”模块● 勾选“释放 RAM”● 点击“运行”即可如果你经常同时在Mac上打开多个应用程序，那么记得保持用 CleanMyMac X 释放 RAM 内存的好习惯，这样你就不会老是收到“系统的应用程序内存不足”的提示了。方法三：清理磁盘空间在 Mac 电脑上，如果运行内存吃紧，那么系统就会将磁盘的可用空间会转换为虚拟内存。此种情况下，你的 Mac 电脑会依靠硬盘空间提供的虚拟内存来保持应用程序运行。所以，Mac 的磁盘空间越干净，其运行得越快。你可以继续使用CleanMyMac X来清理磁盘空间，因为它可以帮你扫描并筛选大型和旧文件、无用的系统文件、照片垃圾、系统垃圾等，并列出你可以安全删除的所有内容，让你释放出数十 GB 的存储空间。养成良好的使用习惯是保障 Mac 性能的关键：删除不必要的启动项，使用CleanMyMac X释放内存、定期清理磁盘垃圾和缓存文件等。

分类: 电脑/网络 >> 硬件 解析: 在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存），辅助存储器又称外存储器（简称外存）。外存通常是磁性介质或光盘，像硬盘，软盘，磁带，CD等，能长期保存信息，并且不依赖于电来保存信息，但是由机械部件带动，速度与CPU相比就显得慢的多。内存指的就是主板上的存储部件，是CPU直接与之沟通，并用其存储数据的部件，存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，它的物理实质就是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路，内存只用于暂时存放程序和数据，一旦关闭电源或发生断电，其中的程序和数据就会丢失。 既然内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，那么它是怎么工作的呢？我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的“动态”，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，借此来保持数据的连续性。 从一有计算机开始，就有内存。内存发展到今天也经历了很多次的技术改进，从最早的DRAM一直到FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM等，内存的速度一直在提高且容量也在不断的增加。今天，服务器主要使用的是什么样的内存呢？目前，IA架构的服务器普遍使用的是REGue011ISTEREDECCSDRAM，下一期我们将详细介绍这一全新的内存技术及它给服务器带来的独特的技术优势 什么是内存？ 内存最小的物理单元是位，从本质上来讲，位是一个位于某种二值状态（通常是0和1）下的电气单元。 八位组成一个字节，这样组合的可能有256种（2的8次方）。字节是内存可访问的最小单元，每个这样的组合可代表单独的一个数据字符或指令。ascii码字符集实际上只使用了7位，因此支持128种可能的字符。对于所有的26个英文字母（包括大小写）、数字和特殊字符来说，这个数目完全够用。某些语种的字符数目比较庞大，因此它们可能会使用“双字节”字符集（例如汉字）。 pc机上所使用的内存可以分为两大类，分别是只读内存（rom）和随即访问内存（ram）。从它们的名字上可以看出，rom数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。即使是断电，rom也能够保留数据。至于ram则在任何时候都可以读写，因此ram通常用作操作系统或其他正在运行的程序的临时存储介质（可称作系统内存）。不幸的是，掉电时ram不能保留数据，如果需要保存数据，就必须把它们写入到一个长期的存储器中（例如硬盘）。正因为如此，有时也将ram称作“可变存储器”。 ram内存可以进一步分为静态ram（sram）和动态内存（dram）两大类。由于实现方法上的差异，dram要比sram慢。sram由逻辑晶体管组成，数据采用触发的方式进行存储。因此改变和读取内存单元格的速度非常快。而dram使用电容存储数据。由于电容会逐渐放电，所以必须周期性的对它重新充电（即：刷新）。由于在执行读操作时电容也会放电，因此每次读操作之后也必须重新充电。刷新操作需要占用时钟周期，这可能会影响到其他的操作。虽然sram比dram的速度要快近10倍，但是它的价格也要比dram贵许多— 事实上，sram要比dram贵近10倍。 内存的使用 使用rom内存来保存pc上的bios程序非常理想，后者是一个基本的引导程序。这个引导程序非常小，可以驻留在较小的内存中（小于2mb）。rom内存包括可编程rom（prom）、可擦写可编程rom（eprom）、电可擦写可编程rom（eeprom）等等。目前bios一般使用eeprom，由于它可以通过加电擦除改写，由此能够对bios进行程序升级，从而在芯片中置入新的引导程序。这就是所谓的“闪写bios”。 起初的微机都是朝着廉价低档方向设计，其组件的成本也很低，系统内存也一直使用廉价（因此速度也慢）的dram。在pc出现时，dram的速度足够处理8086/8088 4.77mhz的总线速度，甚至在较快的80286处理器（总线速度可达12mhz，或80ns）上也是如此。 随着80386的出现，时钟速度可以达到20mhz、25mhz、甚至33mhz时，当时现有的dram就不能满足速度的要求。 为了消除处理器和主存速度之间的不一致，设计人员开始在主板上使用少量的sram内存，它们运行在系统总线速度下，用来保存最近使用过的数据。尽管sram的速度要比dram快很多，但是没过多久处理器的速度就再次超过了主板缓存的速度。在80486出现时，其芯片内部已经置入了8k的sram缓存，因为它运行在cpu速度下，因此被称作第一层（l1）缓存，而主板上的缓存则被称作l2。今天高性能的系统仍在沿用这种“内存层次结构”。 内存方面值得关注的问题 所有的dram的基本内核都相同，因此内部速度也相同，而等待时间也都相对比较大。在过去几年中，人们设计出了许多方案来优化或消除这些局限，然而结果往往是某个方面得到了改善，而另外某个方面却不如以前。由于sram的成本相对较高，行业的竞争相当激烈，因此dram仍然是大容量系统内存唯一可行的选择，包括在图形子系统中常常也是如此。sram内存通常仅用作缓存：外部缓存（位于主板上）或者内部缓存（内置到处理器或dram芯片中很少量的一部分）。 处理器主频的发展速度是相当惊人的，因此内存设计人员不得不在不显著提高其成本的前提下大力提高dram的速度。如果处理器需要一个以上的时钟周期来执行一条指令，而内存子系统可以以慢两到三倍的速度运行，那么内存还能够和cpu速度相协调。随着处理器性能越来越优良，已经可以在一个时钟周期内执行一条甚至多条指令。不幸的是，虽然处理器目前的速度可以达到500mhz，但是主存的速度却局限于100mhz（在某些情况下可能会达到133mhz）。这时内存和处理器之间的速度就存在失调现象。造成这种失调的主要原因是，主存通常使用dram，这种类型的内存本身就太慢了。 人们提出了许多设计sram和dram的方法并付诸实施。每种方法都希望能够着解决一定情况下的速度问题。然而不幸的是，我们还没有找到一种“理想”的内存体系结构来解决所有的问题。因为任何人都没有能够做到显著的提高dram的速度而不用显著的提高其成本。 目前的发展方向 处理器的速度仍在飞速的增长。大约在2000年主流处理器的速度将达到1ghz。现在正在使用的内存很快就会显得太慢，当然很快也会出现新的设计方案。在过去的一些年中，人们提出了许多种设计方案，但是由于营销和公司政策方面的原因，它们或被舍弃，或局限于很小的应用范围。 sram和dram内存经历了一个逐步演变的过程，从单芯片、异步、单排结构发展到多芯片、同步的多排结构，同时还采用了更多的先进技术，例如流水线操作、脉冲模式访问以及数据预取。此外还专门为图形、通信以及其他应用设计了专用的dram。有一点似乎是确定的——处理器和内存都将渐渐变得越来越廉价，生命周期也会相对变短许多。最终我们可能会看到这样一个局面：不仅l2缓存被嵌入到了芯片中，整个系统ram也被嵌入了进来。到那时由于dram可以运行在，或者接近于，处理器速度下，因此没有必要再使用sram缓存。内存的升级也就是处理器的升级，然而总价格仍然维持在一个相对较低的水平上。

内存就是随机存贮器（Random Access Memory，简称为RAM）。RAM分成两大类：静态随机存储器，即Static RAM（SRAM）和动态随机存储器，Dynamic RAM（DRAM），我们经常说的“系统内存”就是指后者，DRAM。参考下面此帖,应对你有很大的帮助.http://www.51study.net/article/ViewArticle.asp?ArticleID=673

内存条是连接CPU 和其他设备的通道，起到缓冲和数据交换作用。 当CPU在工作时，需要从硬盘等外部存储器上读取数据，但由于硬盘这个“仓库”太大，加上离CPU也很“远”，运输“原料”数据的速度就比较慢，导致CPU的生产效率大打折扣！为了解决这个问题，人们便在CPU与外部存储器之间，建了一个“小仓库”—内存。参考资料http://baike.baidu.com/view/1365.htm

内存又称主存，它是CPU能直接寻址的存储空间，由半导体器件制成。内存（Memory）是计算机的重要部件，也称内存储器和主存储器，它用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。它是外存与CPU进行沟通的桥梁，计算机中所有程序的运行都在内存中进行，内存性能的强弱影响计算机整体发挥的水平。只要计算机开始运行，操作系统就会把需要运算的数据从内存调到CPU中进行运算，当运算完成，CPU将结果传送出来。内存的特点是存取速率快，它的运行决定计算机整体运行快慢。运行过程内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序，如：Windows操作系统、打字软件、游戏软件等。一般安装在硬盘等外存上，但仅此是不能使用其功能，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能。我们平时输入一段文字或玩一个游戏，其实是在内存中进行。好比在一个书房，存放书籍的书架和书柜相当于电脑的外存，我们工作的办公桌相当于内存。通常，我们把要永久保存、大量数据存储在外存上，把一些临时或少量的数据和程序放在内存上。当然，内存的好坏会直接影响电脑的运行速度。内存是暂时存储程序以及数据的地方。当我们使用WPS处理文稿时，当你在键盘上敲入字符时，它被存入内存中。当你选择存盘时，内存中的数据才会被存入硬（磁）盘。

内存是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。内存(Memory)也被称为内存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。内存是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。内存按功用分为三类：●只读存储器（ROM）ROM表示只读存储器（ReadOnlyMemory），在制造ROM的时候，信息（数据或程序）就被存入并永久保存。这些信息只能读出，一般不能写入，即使机器停电，这些数据也不会丢失。ROM一般用于存放计算机的基本程序和数据，如BIOSROM。其物理外形一般是双列直插式（DIP）的集成块。●随机存储器（RAM）随机存储器（RandomAccessMemory）表示既可以从中读取数据，也可以写入数据。当机器电源关闭时，存于其中的数据就会丢失。我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存，内存条（SIMM）就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板，它插在计算机中的内存插槽上，以减少RAM集成块占用的空间。目前市场上常见的内存条有1G/条，2G/条，4G/条等。●高速缓冲存储器（Cache）Cache也是经常遇到的概念，也就是平常看到的一级缓存(L1Cache）、二级缓存(L2Cache）、三级缓存(L3Cache）这些数据，它位于CPU与内存之间，是一个读写速度比内存更快的存储器。当CPU向内存中写入或读出数据时，这个数据也被存储进高速缓冲存储器中。当CPU再次需要这些数据时，CPU就从高速缓冲存储器读取数据，而不是访问较慢的内存，当然，如需要的数据在Cache中没有，CPU会再去读取内存中的数据。

什么是内存？什么是内存？内存是计算机系统中的一种硬件设备，也被称为主存储器，它用于存储计算机正在运行的程序和数据。内存是一个重要的计算机组成部分，必须与中央处理器（CPU）和其他设备协同工作。它是一种易失性存储设备，这意味着当计算机关闭时，内存中的数据会被清除，而且内存只能保存临时数据。内存按照存储方式可以分为随机访问存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。RAM与ROM之间最重要的区别是，RAM可以被修改和删除，而ROM只能读取，不允许写入。RAM的存取速度很快，但是它的存储容量比较有限。通常情况下，内存越大，计算机的运行速度就越快。为了获得更多的内存，计算机可以使用虚拟内存技术，允许计算机将部分数据存储在硬盘或其他存储设备上。内存有许多不同类型，包括动态随机访问存储器（DRAM），同步动态随机访问存储器（SDRAM）和双倍数据速率随机访问存储器（DDRSDRAM）。这些不同类型的内存具有不同的性能和工作方式。最新的内存技术是非易失性内存（NVM）。它最初被开发用于企业级存储设备，但现在正在普及到个人计算机中。与传统内存不同，NVM在计算机关闭时也不会丢失数据，因此可以快速启动和保存数据。总之，内存是计算机系统中的重要组成部分，可以存储计算机正在运行的程序和数据。了解内存的类型和工作方式可以帮助计算机用户更好地选择和升级计算机内存。

大家都知道， 硬盘的读取速度越来越成为电脑整体性能提升的一个瓶颈，因为物理读取速度很难提高。除了使用新的存储方式外，还可以在现有的条件下，通过特殊手段，曲线提高硬盘读取速度。 而一种能在PC平台上应用的、名为“RAMDisk”(RAM驱动器)的技术应运而生，可解电脑玩家们的“燃眉之急”。 所谓的RAM驱动器，实际上是把系统内存划出一部分当作硬盘使用。对于操作系统来说内存的存取速度远远大于机械磁盘，所以RAM驱动器肯定要比机械的硬盘快得多。 内存虚拟硬盘优势： 1、对于计算机系统来说，内存的读取速度大约是硬盘的20倍，使用内存虚拟硬盘能够快速有效地提高数据访问速度。 2、传统的机械硬盘经过长期的读写会出现坏道，而在使用过程中，IE缓存文件和系统缓存文件需要大量重复的读写数据，长时间使用会造成硬盘损坏。而内存则不存在此类隐患。 3、目前，由于软件的兼容性影响，32位系统依旧是未来一段时间的主流，而对于32位系统来说最大有效内存容量为3.25G，超出则无效。内存技术的发展使得现在大量用户内存超过3.25G上限，造成了资源浪费，而使用RAMDISK能够合理的使用这一部分内存容量。 内存虚拟硬盘缺点： 1、重启系统后的文件消失：这是最大的一个弊端，内存断电之后，所存储的数据会全部归零，下次使用的时候，我们还不得不再次将需要的东西拷贝进虚拟硬盘内。 2、传输稳定性并不理想：由于存储介质的不同，传输稳定性受到很多因素的影响，可能会导致卡死或死机的危险。每一次的开机需要导入，关机需要备份，操作也比较繁琐。 3、软件无法提供安全的数据保障：任何软件都无法保证虚拟硬盘内的数据安全，仍然像上文提到的，如果非要把重要的文件数据放到期内，每次关机前的备份也是十分必要的。 了解了虚拟硬盘的优缺点之后，我们可以巧妙的加以利用，电脑爱好者建议将虚拟硬盘用作以下的用途：1、Intelnet 缓存临时文件空间设置 在IE浏览器中的Intel选中里找到“浏览历史记录”一栏，点击进入设置。在当前位置的下方选择移动文件夹，并将其设置为你的虚拟硬盘盘符。 2、系统临时文件存放及环境变量设置 右键点击“计算机”-属性-系统高级设置-环境变量，在环境变量页面中新建用户变量地址，可以不用删除原有的存放地址，防止日后卸载还要再次设置变量的地址。当虚拟硬盘被移除后，系统会自动识别原有的地址进行临时文件存放。 3、WinRAR临时文件更改设置 在WinRAR的设置中，在第三选项栏选择你的缓存存放地址。同样，卸载虚拟硬盘之后改回原有地址便可。

故障原因：该内存不能为written原因有如下可能：1．有病毒木马，或杀毒软件错杀了系统文件。2．应用程序组件丢失。3．使用破解版或者测试版软件，因为该类软件存在bug会很多，而且很严重。4．操作系统自身的问题，操作系统本身也会有bug。5．硬件问题，例如内存条坏了或者存在质量问题，或者内存条的金手指的灰尘特别多。解决方法：该内存不能为＂written＂的解决办法如下：1、首先更换正式版的应用程序，卸载测试版的应用程序。2、再排除是不是病毒木马引起的，使用口碑较好的杀毒软件查杀。4、修复系统漏洞，通过系统本身的软件更新或软件修复。5、最后看是不是硬件引起的，分别检查内存条，主板，散热器等等。扩展资料：电脑内存的常见故障：开机无显示。内存条原因出现此类故障一般是因为内存条与主板内存插槽接触不良造成，只要用橡皮擦来回擦试其金手指部位即可解决问题（不要用酒精等清洗），还有就是内存损坏或主板内存槽有问题也会造成此类故障。运行某些软件时经常出现内存不足的提示。此现象一般是由于系统盘剩余空间不足造成，可以删除一些无用文件，多留一些空间即可，一般保持在300M左右为宜。

现在内存便宜嘛，这些家伙就开始玩概念了。难道Oracle就不是把数据临时放在内存中吗？

内存数据库系统对于嵌入式开发来说是特别有用的， IMDS 中每个保存过程缩小了覆盖区 智能连接设备的增长速度正越来越快。这种装置不管是在家庭、口 袋（pocket）或者是内置于工业通信和传送系统，都已经发展为包含了 强大的CPU和完善的嵌入式系统软件。在这种设备中日益流行的一种软 件是数据库管理系统（DBMS）。虽然对桌面电脑或者服务器来说，这种 软件已经是相当成熟了，但数据库是最新才应用到达嵌入式系统的。像 所有进入新环境的生物体一样，数据库也必须经历一个发展过程。一种 新型的DBMS，内存数据库系统（IMDS），代表了DBMS应用到嵌入式 系统的最新步伐。 为什么嵌入式系统开发人员会转向数据库呢？市场竞争使得像机顶 盒、网络开关和消费者电子产品这样的设备需要变得越来越智能。要支 持扩展功能集，应用程序通常必须管理大容量的更复杂的数据。因此， 许多设备开发人员发现他们正致力于自己开发数据管理方案。在应用需 求增长时，普通的数据管理方案维护和扩展起来是特别困难的。 另外，标准化的趋势，商用现货（ommercial off-the-shelf，COTS） 嵌入式操作系统，远离许多私有系统的不完整环境，从而增强数据库的 能力。广泛使用的操作系统的出现，比如嵌入式Linux，形成了一个用 户群体，他们轮留进行数据库和其他工具开发（包括商业的和非商业 的），以不断增强开发平台。 因此，设备开发人员开始转向商业数据库，但已有的嵌入式DBMS 软件还不理想。嵌入式数据库最初出现在10年前，当时用于支持商业系 统，带有包括复杂缓存逻辑和异常终止恢复等功能。但在一个设备上， 例如，在一个机顶盒或者下一代传真机中，这些能力通常毫无必要，并 且应用程序容易出现超出可用内存和CPU资源的现象。 另外，建立传统数据库时是将数据存储在磁盘上。作为一种机械过 程，磁盘的I/O是非常昂贵的，尤其是要取得高性能的话。对于嵌入式 系统来，因为需要实时执行，因此相对而言，传统数据库就太慢了。 内存数据库出现的目的特别针对于满足嵌入式系统的性能需求和资 源能力。正如其名字所暗示的，IMDS完全驻留在内存中，它们不会存储 到磁盘上。

内存盘即用物理内存来作为物理磁盘来使用，如果你内存较大的话可用RAMDISK之类的软件把你的内存开辟出一片空间作为磁盘使用，最后的效果就是在我的电脑中多出一个盘来，而那个盘其实是用的你的内存。这样做的好处是那个磁盘速度非常快，因为内存速度比硬盘要快得多，坏处是你实际能使用的内存变小了，而且由于内存的特性一旦关机或断电那个内存盘里的资料会全部丢失，所以内存盘只能作为临时使用且频繁使用的磁盘，不能作为资料存储盘。

问题一：内存几通道是啥意思 NO，其实这是电脑的一种技术，主要在设计主板时定义的，内存本身没有通道这个概念，因为主板支持两通道，你如果想电脑性能更好，就需鸡加2条或者4条或者6条内存，每个通道下一般会有1个或者2个或者3个内存槽口，一般电脑主板支持2通道或者3通道技术，服务器主板可以支持9通道！ 问题二：内存条的单通道和双通道的区别 ！！！！！！哪有什么3通道啊！？ 单通道内存在同一时间只能读，或者只能写，就像停车场的出入口只能通过一辆车，同一时间只能进或者出，车流量少的时候无所谓，但是车多的时候就互相等待。 双通道是指内存的读、写使用不同的通道，可以同时读和写，内存带宽翻倍。就像停车场的出入口各自独立分开，出入同时进行，互不影响。 内存带宽翻倍会带来系统性能提升，但并不代表系统性能翻倍。 如果你原来运行某些大型游戏时，由于内存带宽问题有点吃力，双通道带来的性能提升就能明显感觉到。上网聊天看电影什么的就没有区别了。 双通道必须是容量，速率完全相同的两组内存。现在新出的主板内存插槽一般采用两种颜色，相同颜色的插槽是一个通道的，(也有个别的是相同颜色不同通道的，我个人比较反感这种方式）。要实现双通道，需要把两个通道的内存分别插在相应颜色和槽位上。 可以是AB两条相同的内存组成一对；或者有ABCD四条内存，AB相同，CD相同，可以把AC插在第一通道,BD插在第二通道。但这种方式对某些兼容性差的主板和内存，有时候会不认双通道。 另外，不要只考虑容量，速率也有很大影响。多个内存条一起用，速率必须按最慢那个条的跑。比如原来用DDR400的2x512M的双通道，如果加两条DDR266的256M，就变成DDR266的2x768M，虽然容量大了，但速率下降，还没有原来快。 ！建议先查查你的主板支持内存到什么速率的，把达到这个速率的一对相同的内存分别插在两个不同通道的插槽。要再加的话一定要一对相同的，还要速率和原来一样的。如果是两条低频率的256M还不如不加。 问题三：内存条组成双通道是必须要两条一样大小的吗? 你好！ 1、双通道内存肯定是必须要有2条内存的，至于容量和主频多少的只是部分内存兼容性问题，一般相同品牌的就可以了。一个1G一个2G的应该能组成双通道，不过最好是相同的。 2、内存双通道模式intel主板的组建规则是插槽#1与插槽#3，插槽#2与插槽4，虽然笔记本只有2个插槽，但是在总线识别上依然是按这个标准来识别的。 问题四：内存单通道与双通道是什么意思 这是主板的 技术 不是内存的 双通道，看字面意思就是两个通道，而且是相互紧密联系的两条内存通道！通道就是内存读取数据所走的路线！！这是形象的说法 它可以同时读和写，内存带宽翻倍。就像停车场的出入口各自独立分开，出入同时进行，互不影响。 单通道只有一条通道 单通道内存在同一时间只能读，或者只能写，就像停车场的出入口只能通过一辆车，同一时间只能进或者出，车流量少的时候无所谓，但是车多的时候就互相等待。 现在的主板几乎都支持双通道 问题五：台式电脑的 双通道高频内存 是什么意思？ 双通需要主板支持两条内存通道才能组双通，说白了就是主板上有4个内存插槽1和2为一条通道，3和4为一条通道。双通就是把两条内存分别插在1和3上。这样就是双通了~（如果你的主板只有2个内存槽就别想了） 至于高频，就是把内存频率调高，但是会影响温度和稳定性。你玩游戏感觉不出什么，解压缩也许会有几秒钟的差距~ 问题六：电脑里双通道内存是什么意思?! 双通道，就是在北桥（又称之为MCH）芯片级里设计两个内存控制器，这两个内存控制器可相互独立工作，每个控制器控制一个内存通道。在这两个内存通CPU可分别寻址、读取数据，从而使内存的带宽增加一倍，数据存取速度也相应增加一倍（理论上）。目前流行的双通道内存构架是由两个64bit DDR内存控制器构筑而成的，其带宽可达128bit。因为双通道体系的两个内存控制器是独立的、具备互补性的智能内存控制器，因此二者能实现彼此间零等待时间，同时运作。两个内存控制器的这种互补“天性”可让有效等待时间缩减50％，从而使内存的带宽翻倍。 双通道是一种主板芯片组(Athlon 64集成于CPU中）所采用新技术，与内存本身无关，任何DDR内存都可工作在支持双通道技术的主板上，所以不存在所谓“内存支持双通道”的说法 问题七：电脑内存的双通道有什么好处？ 1.比如你的内存是8G.是单根就是单通道 如果是2X4G.就是双通道.理论上双通道8G的数据存取速度是单通道8G的2倍 2.但是实际上是达不到的有2个原因： ①内存条本身的频率 双通道1333MHZ不一定比2133MHZ单通的快. ②工作时CPU等硬件占用的资源是固定的（单双通道的环境下）.但是有人测试出来.双通道的工作效率是单通道的1.2~1.5倍 问题八：内存配双通道16GB是什么意思？ 就是2*8=16G，如果是4条内存插槽的主板要注意相同的内存插到相同的颜色上才能构成双通道 问题九：双通道内存和四通道内存是什么？ 目前桌面平台支持四通道内存的只有intel的X79芯片，指的是同时在4个内存通道上存取数据，双通道内存则是同时在2个内存通道上存取数据，三通道intel也有出过，X58芯片就是三通道的 问题十：组成双通道有什么要求 规格如同楼主般相同的条子，只要是正路货，都能完美组成双通道（与品牌无关）。而且多通道内存的绝对性能与CPU没任何关系。单双核是指CPU内核，那个与内存无关。与内存有关的东西叫做内存控制器。单双通道都是通过这个东西与CPU相连的。双通道的意义在于更高的带宽，不过，如果你的内存最大传输速度远小于带宽，那么双通道也就没有意义了。所以在实际应用中，双通道也只比单通道快那么一点点甚至可以忽略不计。 AMD平台的内存控制器是集成在CPU里的，他不支持动态双通道技术，所以其内存规格必须相同。 Intel的内存控制器在主板上，他支持动态内存技术。也就是说只要内存条属于同一代（DDR DDRII DDRIII）即可，频率容量不相同也没关系。不过Intel的内存控制器比起AMD集成在CPU里的内存控制器反应慢那么一点点。

1、内存双通道，就是在北桥（又称之为MCH）芯片级里设计两个内存控制器，这两个内存控制器可相互独立工作，每个控制器控制一个内存通道。在这两个内存通CPU可分别寻址、读取数据，从而使内存的带宽增加一倍，数据存取速度也相应增加一倍（理论上）。2、流行的双通道内存构架是由两个64bitDDR内存控制器构筑而成的，其带宽可达128bit。因为双通道体系的两个内存控制器是独立的、具备互补性的智能内存控制器，因此二者能实现彼此间零等待时间，同时运作。两个内存控制器的这种互补“天性”可让有效等待时间缩减50%，从而使内存的带宽翻倍。虽然这项新规格主要是芯片组与主机板端的变化，然而双通道存在的目的，也是为了解决内存频宽的问题，使主机板在即使只使用DDR400内存的情况下，也可以达到频宽6.4GB/s。双通道是一种主板芯片组(Athlon64集成于CPU中）所采用新技术，与内存本身无关，任何DDR内存都可工作在支持双通道技术的主板上。

双通道不仅仅是插上2张一摸一样的内存条那么简单，这个还要你的主板芯片支持才行。目前该类型主板大都具有4个DIMM插槽，每两根一组，每一组代表一个内存通道，只有当两组通道上都同时安装了内存时，才能使内存工作在双通道模式下。同时，安装内存必须对称（A通道第1个插槽搭配B通道第1个插槽，或A通道第2个插槽搭配B通道第2个插槽），总的原则是“隔行插入”的方式，但也会有例外的时候，这时约稿查阅主板说明书。为了方便用户安装，目前已有很多厂商的主板将对称的内存插槽以不同的颜色标示出来，用户只要把内存安装在颜色相同的DIMM插槽上即可。一般来说，当主板安装好双通道内存后，系统就会直接打开双通道内存模式，但为了防止万一，我们还应该在BIOS中查找是否有打开双通道模式的选项，若有，将其选择“Enable”。现在市面上大多数主板在安装了双通道内存后，电脑启动时都会在屏幕上出现“Dual Channel Mode Enabled”的字样，这就代表着内存当前的工作模式为双通道模式，这种鉴别方法最直观，但同时并不是所有的主板都会显示，因此我们还会使用软件鉴别内存是否处于双通道工作模式。大家比较常用的CPU-Z这个软件，熟悉CPU-Z的人都知道，它可以用来查看CPU的一些信息，但同时也可以查看内存的一些信息。我们打开这个软件后，点击“内存选项”后出现的信息中，如果Channels窗口出现Dual则表示处于双通道模式，而Single则表示单通道。最后祝你成功！

1、内存双通道，就是在北桥（又称之为MCH）芯片级里设计两个内存控制器，这两个内存控制器可相互独立工作，每个控制器控制一个内存通道。在这两个内存通CPU可分别寻址、读取数据，从而使内存的带宽增加一倍，数据存取速度也相应增加一倍（理论上）。 2、流行的双通道内存构架是由两个64bit DDR内存控制器构筑而成的，其带宽可达128bit。因为双通道体系的两个内存控制器是独立的、具备互补性的智能内存控制器，因此二者能实现彼此间零等待时间，同时运作。两个内存控制器的这种互补“天性”可让有效等待时间缩减50%，从而使内存的带宽翻倍。 虽然这项新规格主要是芯片组与主机板端的变化，然而双通道存在的目的，也是为了解决内存频宽的问题，使主机板在即使只使用DDR400内存的情况下，也可以达到频宽6.4GB/s。双通道是一种主板芯片组(Athlon 64集成于CPU中）所采用新技术，与内存本身无关，任何DDR内存都可工作在支持双通道技术的主板上。

内存储器和外存储器的区别为：保存不同、存取不同、用途不同。一、保存不同1、内存储器：内存储器断电后不能保存数据。2、外存储器：外存储器断电后仍然能保存数据。二、存取不同1、内存储器：内存储器的存取速度快，但是存取容量小。2、外存储器：外存储器的存取速度慢，但是存取容量大。三、用途不同1、内存储器：内存储器用于存放那些立即要用的程序和数据。2、外存储器：外存储器用于存放暂时不用的程序和数据。

内存储器与外存储器之间的区别：速度不同、容量不同、作用不同、存放位置不同。1、速度不同内存储器最突出的特点是存取速度快，但是容量小、价格贵；外存储器的特点是容量大、价格低，但是存取速度慢。2、容量不同内存容量一般就几个G，大的也就是16G、32G等，而外存，比如硬盘，几百G，几个TG。3、作用不同内存储器是执行程序时的临时存储区，掉电后数据全部丢失；外存储器是用来存储原始数据和运算结果的，需要长期保存，掉电后数据不会丢失。4、存放位置不同内存储器用于存放那些立即要用的程序和数据；外存储器用于存放暂时不用的程序和数据。内存储器和外存储器之间常常频繁地交换信息。

存储器分为内存储器（简称内存或主存）、外存储器（简称外存或辅存）。外存储器一般也可作为输入/输出设备。计算机把要执行的程序和数据存入内存中，内存一般由半导体器构成。半导体存储器可分为三大类：随机存储器、只读存储器、特殊存储器。 RAM RAM是随机存取存储器（Random Access Memory），其特点是可以读写，存取任一单元所需的时间相同，通电是存储器内的内容可以保持，断电后，存储的内容立即消失。RAM可分为动态（Dynamic RAM）和静态（Static RAM）两大类。所谓动态随机存储器DRAM是用MOS电路和电容来作存储元件的。由于电容会放电，所以需要定时充电以维持存储内容的正确，例如互隔2ms刷新一次，因此称这为动态存储器。所谓静态随机存储器SRAM是用双极型电路或MOS电路的触发器来作存储元件的，它没有电容放电造成的刷新问题。只要有电源正常供电，触发器就能稳定地存储数据。DRAM的特点是集成密度高，主要用于大容量存储器。SRAM的特点是存取速度快，主要用于调整缓冲存储器。 ROM ROM是只读存储器（Read Only Memory），它只能读出原有的内容，不能由用户再写入新内容。原来存储的内容是由厂家一次性写放的，并永久保存下来。ROM可分为可编程（Programmable）ROM、可擦除可编程（Erasable Programmable）ROM、电擦除可编程（Electrically Erasable Programmable）ROM。如，EPROM存储的内容可以通过紫外光照射来擦除，这使它的内可以反复更改。 特殊固态存储器 包括电荷耦合存储器、磁泡存储器、电子束存储器等，它们多用于特殊领域内的信息存储。 此外，描述内、外存储容量的常用单位有： ①位/比特（bit）：这是内存中最小的单位，二进制数序列中的一个0或一个1就是一比比特，在电脑中，一个比特对应着一个晶体管。 ②字节（B、Byte）：是计算机中最常用、最基本的存在单位。一个字节等于8个比特，即1 Byte＝8bit。 ③千字节（KB、Kilo Byte）：电脑的内存容量都很大，一般都是以千字节作单位来表示。1KB＝1024Byte。 ④兆字节（MB Mega Byte）：90年代流行微机的硬盘和内存等一般都是以兆字节（MB）为单位。1 MB＝1024KB。 ⑤吉字节（GB、Giga Byte）：目前市场流行的微机的硬盘已经达到4.3GB、6.4GB、8.1GB、12G、13GB等规格。1GB＝1024MB。 ⑥太字节（TB、Tera byte）：1TB＝1024GB。 （三）输入/输出设备 输入设备是用来接受用户输入的原始数据和程序，并将它们变为计算机能识别的二进制存入到内存中。常用的输入设备有键盘、鼠标、扫描仪、光笔等。 输出设备用于将存入在内存中的由计算机处理的结果转变为人们能接受的形式输出。常用的输出设备有显示器、打印机、绘图仪等。 （四）总线 总线是一组为系统部件之间数据传送的公用信号线。具有汇集与分配数据信号、选择发送信号的部件与接收信号的部件、总线控制权的建立与转移等功能。典型的微机计算机系统的结构如图2-3所示，通常多采用单总线结构，一般按信号类型将总线分为三组，其中AB（Address Bus）为地址总线；DB(Data Bus)为数据总线；CB（Control Bus）控制总线。 （五）微型计算机主要技术指标 ①CPU类型：是指微机系统所采用的CPU芯片型号，它决定了微机系统的档次。 ②字长：是指CPU一次最多可同时传送和处理的二进制位数，安长直接影响到计算机的功能、用途和应用范围。如Pentium是64位字长的微处理器，即数据位数是64位，而它的寻址位数是32位。 ③时钟频率和机器周期：时钟频率又称主频，它是指CPU内部晶振的频率，常用单位为兆（MHz），它反映了CPU的基本工作节拍。一个机器周期由若干个时钟周期组成，在机器语言中，使用执行一条指令所需要的机器周期数来说明指令执行的速度。一般使用CPU类型和时钟频率来说明计算机的档次。如Pentium III 500等。 ④运算速度：是指计算机每秒能执行的指令数。单位有MIPS（每秒百万条指令）、MFLOPS（秒百万条浮点指令） ⑤存取速度：是指存储器完成一次读取或写存操作所需的时间，称为存储器的存取时间或访问时间。而边连续两次或写所需要的最短时间，称为存储周期。对于半导体存储器来说，存取周期大约为几十到几百毫秒之间。它的快慢会影响到计算机的速度。 ⑥内、外存储器容量：是指内存存储容量，即内容储存器能够存储信息的字节数。外储器是可将程序和数据永久保存的存储介质，可以说其容量是无限的。如硬盘、软盘已是微机系统中不可缺少的外部设备。迄今为止，所有的计算机系统都是基于冯·诺依曼存储程序的原理。内、外存容量越大，所能运行的软件功能就越丰富。CPU的高速度和外存储器的低速度是微机系统工作过程中的主要瓶颈现象，不过由于硬盘的存取速度不断提高，目前这种现象已有所改善。

简述内存储器和外存储器的区别：含义不同，作用不同。一、含义不同：内存储器是cpu与外部设备交换数据的直接场所，内存储器速度次于cpu速度，但是也算是高速存储设备，其包括ram，显存，及一些高速缓存。外存储器是外部存储设备，速度相对内存慢的多，但可以长时间保存珐尝粹妒诔德达泉惮沪数据，如硬盘，cd-rom，闪存等等。二、作用不同：一个有时间优势（内存），速度快，但容量小，断电后不保留，一个有空间优势（外存），容量大，能长期保留。CPU只能直接访问内存。外存的东西要先到内存，CPU才能处理。内外不是根据在不在机箱里而区分的。CPU能直接访问的才叫内存。只读存储器（ROM）ROM表示只读存储器（Read Only Memory），在制造ROM的时候，信息（数据或程序）就被存入并永久保存。这些信息只能读出，一般不能写入，即使机器停电，这些数据也不会丢失。现在比较流行的只读存储器是闪存( Flash Memory)，它属于 EEPROM(电擦除可编程只读存储器)的升级，可以通过电学原理反复擦写。现在大部分BIOS程序就存储在 FlashROM芯片中。U盘和固态硬盘(SSD)也是利用闪存原理做成的。以上内容参考：百度百科-内存

从作用和特点两方面来分析内存储器和外存储器的区别：1、作用：速度上，内存储器要比外存储器至少快百倍；2、特点：内存储存器容量一般就几个G，大的也就是16G、32G等，而外存储存器，比如硬盘，随便就是几个；内存关机断电，数据就会全部丢失，而外存都不会受影响，数据一直都在。各自结构：内存储存器：中央处理器CPU只能直接访问储存在内存中的数据，而外存中的数据只有先调入内存后才能被中央处理器访问、处理。当要对内存储器中的内容进行读写操作时，来自地址总线的储存器地址经地址译码器译码后，选中指定的储存单元，而读写控制电路根据读写命令实施对存储器的存取操作，数据总线则用来传送写入内存储器或从内存储器读出的信息。外存储存器：软盘、硬盘、光盘、U盘、磁带都是外部存储器。从冯.诺依曼的存储程序工作原理及计算机的组成来说，计算机分为运算器、控制器、存储器和输入/输出设备，这里的存储器就是指内存，而硬盘属于输入/输出设备。CPU运算所需要的程序代码和数据来自于内存，内存中的东西则来自于硬盘，所以硬盘并不直接与CPU打交道。硬盘相对于内存来说就是外部存储器。

管理手机里储存空间，，

samsung内存 具体含义解释： 例：samsungk4h280838b-tcb0 主要含义： 第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表dram。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10为10ns(66mhz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。 hynix(hyundai)现代 现代内存的含义： hy5dv641622at-36 hyxxxxxxxxxxxxxxxx 123456789101112 1、hy代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=sdram，5d=ddrsdram)； 3、工作电压：空白=5v，v=3.3v,u=2.5v 4、芯片容量和刷新速率：16=16mbits、4kref；64=64mbits、8kref；65=64mbits、4kref；128=128mbits、8kref；129=128mbits、4kref；256=256mbits、16kref；257=256mbits、8kref 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 6、bank数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个bank，是2的幂次关系 7、i/o界面：1:sstl_3、 2:sstl_2 8、芯片内核版本：可以为空白或a、b、c、d等字母，越往后代表内核越新 9、代表功耗：l=低功耗芯片，空白=普通芯片 10、内存芯片封装形式：jc=400milsoj，tc=400miltsop-ⅱ，td=13mmtsop-ⅱ，tg=16mmtsop-ⅱ 11、工作速度：55:183mhz、5:200mhz、45:222mhz、43:233mhz、4:250mhz、33:300nhz、l:ddr200、h:ddr266b、 k:ddr266a 现代的mbga封装的颗粒 infineon（英飞凌） infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128mbits的颗粒和容量为256mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。 hyb39s128400即128mb/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：hyb39s128800即128mb/8bits；hyb39s128160即128mb/16bits；hyb39s256800即256mb/8bits。 infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。 -7.5——表示该内存的工作频率是133mhz； -8——表示该内存的工作频率是100mhz。 例如： 1条kingston的内存条，采用16片infineon的hyb39s128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128mbits（兆数位）×16片/8=256mb（兆字节）。 1条ramaxel的内存条，采用8片infineon的hyb39s128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128mbits（兆数位）×8片/8=128mb（兆字节）。 kingmax、kti kingmax内存的说明 kingmax内存都是采用tinybga封装（tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。kingmax内存颗粒有两种容量：64mbits和128mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。 容量备注： ksva44t4a0a——64mbits，16m地址空间×4位数据宽度； ksv884t4a0a——64mbits，8m地址空间×8位数据宽度； ksv244t4xxx——128mbits，32m地址空间×4位数据宽度； ksv684t4xxx——128mbits，16m地址空间×8位数据宽度； ksv864t4xxx——128mbits，8m地址空间×16位数据宽度。 kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率： -7a——pc133/cl=2； -7——pc133/cl=3； -8a——pc100/cl=2； -8——pc100/cl=3。 例如一条kingmax内存条，采用16片ksv884t4a0a-7a的内存颗粒制造，其容量计算为：64mbits（兆数位）×16片/8=128mb（兆字节）。 micron（美光） 以mt48lc16m8a2tg-75这个编号来说明美光内存的编码规则。 含义： mt——micron的厂商名称。 48——内存的类型。48代表sdram；46代表ddr。 lc——供电电压。lc代表3v；c代表5v；v代表2.5v。 16m8——内存颗粒容量为128mbits，计算方法是：16m（地址）×8位数据宽度。 a2——内存内核版本号。 tg——封装方式，tg即tsop封装。 -75——内存工作速率，-75即133mhz；-65即150mhz。 实例：一条micronddr内存条，采用18片编号为mt46v32m4-75的颗粒制造。该内存支持ecc功能。所以每个bank是奇数片内存颗粒。 其容量计算为：容量32m×4bit×16片/8=256mb（兆字节）。 winbond（华邦） 含义说明： wxxxxxxxx 12345 1、w代表内存颗粒是由winbond生产 2、代表显存类型：98为sdram，94为ddrram　 3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为b和h； 4、代表封装，h为tsop封装，b为bga封装，d为lqfp封装 5、工作频率:0：10ns、100mhz；8：8ns、125mhz；z：7.5ns、133mhz；y：6.7ns、150mhz；6：6ns、166mhz；5：5ns、200mhz mosel（台湾茂矽） 台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为v54c365164vdt45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8mb，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位t45可知颗粒速度为4.5ns nanya（南亚）、elixir、pqi、pluss、atl、eudar 南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为nt5sv8m16ct-7k，其中第4位字母“s”表示是sdram显存，6、7位8m表示单颗粒容量8m，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7k表示速度为7ns。 v-data（香港威刚）、a-data（台湾威刚）、vt 内存颗粒编号为vdd8608a8a-6b h0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256m容量，0327代表它的生产日期为2003年第27周

内存泄漏是指分配出去的内存无法回收了内存泄漏指由于疏忽或错误造成程序未能释放已经不再使用的内存的情况,是应用程序分配某段内存后，由于设计错误，失去了对该段内存的控制，因而造成了内存的浪费。一般我们常说的内存泄漏是指堆内存的泄漏。堆内存是指程序从堆中分配的，大小任意的（内存块的大小可以在程序运行期决定），使用完后必须显示释放的内存。应用程序一般使用malloc，realloc，new等函数从堆中分配到一块内存，使用完后，程序必须负责相应的调用free或delete释放该内存块，否则，这块内存就不能被再次使用，我们就说这块内存泄漏了。内存溢出是指程序要求的内存，超出了系统所能分配的范围，从而发生溢出。内存溢是指在一个域中输入的数据超过它的要求而且没有对此作出处理引发的数据溢出问题，多余的数据就可以作为指令在计算机上运行。

内存泄漏可以分为4类： 1. 常发性内存泄漏。发生内存泄漏的代码会被多次执行到，每次被执行的时候都会导致一块内存泄漏。 2. 偶发性内存泄漏。发生内存泄漏的代码只有在某些特定环境或操作过程下才会发生。常发性和偶发性是相对的。对于特定的环境，偶发性的也许就变成了常发性的。所以测试环境和测试方法对检测内存泄漏至关重要。 3. 一次性内存泄漏。发生内存泄漏的代码只会被执行一次，或者由于算法上的缺陷，导致总会有一块仅且一块内存发生泄漏。比如，在类的构造函数中分配内存，在析构函数中却没有释放该内存，所以内存泄漏只会发生一次。 4. 隐式内存泄漏。程序在运行过程中不停的分配内存，但是直到结束的时候才释放内存。严格的说这里并没有发生内存泄漏，因为最终程序释放了所有申请的内存。但是对于一个服务器程序，需要运行几天，几周甚至几个月，不及时释放内存也可能导致最终耗尽系统的所有内存。所以，我们称这类内存泄漏为隐式内存泄漏。 从用户使用程序的角度来看，内存泄漏本身不会产生什么危害，作为一般的用户，根本感觉不到内存泄漏的存在。真正有危害的是内存泄漏的堆积，这会最终消耗尽系统所有的内存。从这个角度来说，一次性内存泄漏并没有什么危害，因为它不会堆积，而隐式内存泄漏危害性则非常大，因为较之于常发性和偶发性内存泄漏它更难被检测到。

内存泄露：指由于疏忽或错误造成程序未能释放已经不再使用的内存的情况。 内存泄漏解决方法： 1、非静态内部类创建静态实例造成的内存泄漏：将该内部类设为静态内部类或将该内部类抽取出来封装成一个单例即可； 2、Handler造成的内存泄漏：将Handler类独立出来或者使用静态内部类，这样便可以避免内存泄漏； 3、集合容器中的内存泄露：在退出程序之前，将集合里的东西“clear”，然后置为“null”，再退出程序； 4、WebView造成的泄露：为WebView另外开启一个进程，通过AIDL与主线程进行通信，WebView所在的进程可以根据业务的需要选择合适的时机进行销毁，从而达到内存的完整释放。

内存泄漏内存泄漏也称作"存储渗漏"，用动态存储分配函数动态开辟的空间，在使用完毕后未释放，结果导致一直占据该内存单元。直到程序结束。(其实说白了就是该内存空间使用完毕之后未回收)即所谓内存泄漏。内存泄漏形象的比喻是"操作系统可提供给所有进程的存储空间正在被某个进程榨干"，最终结果是程序运行时间越长，占用存储空间越来越多，最终用尽全部存储空间，整个系统崩溃。所以"内存泄漏"是从操作系统的角度来看的。这里的存储空间并不是指物理内存，而是指虚拟内存大小，这个虚拟内存大小取决于磁盘交换区设定的大小。由程序申请的一块内存，如果没有任何一个指针指向它，那么这块内存就泄漏了。

内存的发展经历了DDR1 这是最早的内存条，一代产品现在基本已经停产。然后是DDR2，现在仍有部分中低端电脑使用，最后是DDR3，这是最新的第三代内存产品。当然还有正在开发富饶DDR4内存，我们可以做个比喻。你的硬盘就是一口井，里面的数据就是水。有的时候直接从井里取水是很麻烦的，而你的内存就相当于一个桶，专门用来打水，和存放暂时要用到的水。值得注意的是，硬盘里的数据是即使在电脑关机，断电的情况下依旧会保存的，而内存里存储的数据是临时的，一旦断电就会消失。电脑一般就只安装了一个内存条。当然多数电脑都有预留内存条接口。内存条是可以多个同时使用，接在一个电脑上的，不过这要求内存条的型号要一致。内存的参数有比如，首先最重要的内存大小。市场上主要的内存大小基本是512M（这个基本已经绝迹了，基本是DDR1带的东西）1G,2G,4G,8G,20G等然后是内存的频率，电压之类的.最后，如果您想要对您的电脑添加内存。您的电脑明显使用的是DDR3，你可以到电脑店里咨询，自己一个人如果尝试的话在没有专业知识的情况下，自己去买回内存条安装既有可能会买错型号，所以建议您找专业人士。手打的，好辛苦里 求采纳

内存溢出 out of memory，是指程序在申请内存时，没有足够的内存空间供其使用，出现out of memory；比如申请了一个integer,但给它存了long才能存下的数，那就是内存溢出。内存泄露 memory leak，是指程序在申请内存后，无法释放已申请的内存空间，一次内存泄露危害可以忽略，但内存泄露堆积后果很严重，无论多少内存,迟早会被占光。memory leak会最终会导致out of memory！内存溢出就是你要求分配的内存超出了系统能给你的，系统不能满足需求，于是产生溢出。 内存泄漏是指你向系统申请分配内存进行使用(new)，可是使用完了以后却不归还(delete)，结果你申请到的那块内存你自己也不能再访问（也许你把它的地址给弄丢了），而系统也不能再次将它分配给需要的程序。一个盘子用尽各种方法只能装4个果子，你装了5个，结果掉倒地上不能吃了。这就是溢出！比方说栈，栈满时再做进栈必定产生空间溢出，叫上溢，栈空时再做退栈也产生空间溢出，称为下溢。就是分配的内存不足以放下数据项序列,称为内存溢出. 以发生的方式来分类，内存泄漏可以分为4类： 1. 常发性内存泄漏。发生内存泄漏的代码会被多次执行到，每次被执行的时候都会导致一块内存泄漏。 2. 偶发性内存泄漏。发生内存泄漏的代码只有在某些特定环境或操作过程下才会发生。常发性和偶发性是相对的。对于特定的环境，偶发性的也许就变成了常发性的。所以测试环境和测试方法对检测内存泄漏至关重要。 3. 一次性内存泄漏。发生内存泄漏的代码只会被执行一次，或者由于算法上的缺陷，导致总会有一块仅且一块内存发生泄漏。比如，在类的构造函数中分配内存，在析构函数中却没有释放该内存，所以内存泄漏只会发生一次。 4. 隐式内存泄漏。程序在运行过程中不停的分配内存，但是直到结束的时候才释放内存。严格的说这里并没有发生内存泄漏，因为最终程序释放了所有申请的内存。但是对于一个服务器程序，需要运行几天，几周甚至几个月，不及时释放内存也可能导致最终耗尽系统的所有内存。所以，我们称这类内存泄漏为隐式内存泄漏。 从用户使用程序的角度来看，内存泄漏本身不会产生什么危害，作为一般的用户，根本感觉不到内存泄漏的存在。真正有危害的是内存泄漏的堆积，这会最终消耗尽系统所有的内存。从这个角度来说，一次性内存泄漏并没有什么危害，因为它不会堆积，而隐式内存泄漏危害性则非常大，因为较之于常发性和偶发性内存泄漏它更难被检测到 内存溢出的原因以及解决方法引起内存溢出的原因有很多种，小编列举一下常见的有以下几种：1.内存中加载的数据量过于庞大，如一次从数据库取出过多数据；2.集合类中有对对象的引用，使用完后未清空，使得JVM不能回收；3.代码中存在死循环或循环产生过多重复的对象实体；4.使用的第三方软件中的BUG；5.启动参数内存值设定的过小内存溢出的解决方案：第一步，修改JVM启动参数，直接增加内存。(-Xms，-Xmx参数一定不要忘记加。)第二步，检查错误日志，查看逗OutOfMemory地错误前是否有其它异常或错误。第三步，对代码进行走查和分析，找出可能发生内存溢出的位置。重点排查以下几点：1.检查对数据库查询中，是否有一次获得全部数据的查询。一般来说，如果一次取十万条记录到内存，就可能引起内存溢出。这个问题比较隐蔽，在上线前，数据库中数据较少，不容易出问题，上线后，数据库中数据多了，一次查询就有可能引起内存溢出。因此对于数据库查询尽量采用分页的方式查询。2.检查代码中是否有死循环或递归调用。3.检查是否有大循环重复产生新对象实体。4.检查对数据库查询中，是否有一次获得全部数据的查询。一般来说，如果一次取十万条记录到内存，就可能引起内存溢出。这个问题比较隐蔽，在上线前，数据库中数据较少，不容易出问题，上线后，数据库中数据多了，一次查询就有可能引起内存溢出。因此对于数据库查询尽量采用分页的方式查询。5.检查List、MAP等集合对象是否有使用完后，未清除的问题。List、MAP等集合对象会始终存有对对象的引用，使得这些对象不能被GC回收。第四步，使用内存查看工具动态查看内存使用情况

CPU 上没有内存时序 一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。 在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍： 一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表： Command Per Clock(CPC) 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。 CAS Latency Control(tCL) 可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。 内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。 这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。 该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。 RAS# to CAS# Delay(tRCD) 可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。 该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。 如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。 Min RAS# Active Timing(tRAS) 可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。 该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS# Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－10之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。 如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。 如果使用DFI的主板，则tRAS值建议使用00，或者5-10之间的值。 Row Precharge Timing(tRP) 可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。 该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。 tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。 如果使用DFI的主板，则tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。 Row Cycle Time(tRC) 可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。 Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。 其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。 在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。 Row Refresh Cycle Time(tRFC) 可选的设置：Auto，9-24，步幅值1。 Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。 如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是内存超频建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。 Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD) 可选的设置：Auto， 0-7，每级以1的步幅递增。 Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行单元到行单元的延时"。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。 延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。 如果使用DFI的主板，则tRRD值为00是最佳性能参数，4超频内存时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。 Write Recovery Time(tWR) 可选的设置：Auto，2，3。 Write Recovery Time (tWD)，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。 如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2；如果使用DDR333或DDR400，则将tWD值设为3。如果使用DFI的主板，则tWR值建议为2。 Write to Read Delay(tWTR) 可选的设置：Auto，1，2。 Write to Read Delay (tWTR)，表示“读到写延时”。三星公司称其为“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。 tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加tWTR值，可以让内容模块运行于比其默认速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR值设为1；如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的值设为1，如果系统不稳定，则改为2。 Refresh Period(tREF) 可选的设置：Auto， 0032-4708，其步进值非固定。 Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指内存模块的刷新周期。 先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期(单位：微秒，即：一百万分之一秒)。?号在这里表示该刷新周期尚无对应的准确数据。 1552= 100mhz(?.??s) 2064= 133mhz(?.??s) 2592= 166mhz(?.??s) 3120= 200mhz(?.??s) --------------------- 3632= 100mhz(?.??s) 4128= 133mhz(?.??s) 4672= 166mhz(?.??s) 0064= 200mhz(?.??s) --------------------- 0776= 100mhz(?.??s) 1032= 133mhz(?.??s) 1296= 166mhz(?.??s) 1560= 200mhz(?.??s) --------------------- 1816= 100mhz(?.??s) 2064= 133mhz(?.??s) 2336= 166mhz(?.??s) 0032= 200mhz(?.??s) --------------------- 0388= 100mhz(15.6us) 0516= 133mhz(15.6us) 0648= 166mhz(15.6us) 0780= 200mhz(15.6us) --------------------- 0908= 100mhz(7.8us) 1032= 133mhz(7.8us) 1168= 166mhz(7.8us) 0016= 200mhz(7.8us) --------------------- 1536= 100mhz(3.9us) 2048= 133mhz(3.9us) 2560= 166mhz(3.9us) 3072= 200mhz(3.9us) --------------------- 3684= 100mhz(1.95us) 4196= 133mhz(1.95us) 4708= 166mhz(1.95us) 0128= 200mhz(1.95us) 如果采用Auto选项，主板BIOS将会查询内存上的一个很小的、名为“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存储了内存条的各种相关工作参数等信息，系统会自动根据SPD中的数据中最保守的设置来确定内存的运行参数。如过要追求最优的性能，则需手动设置刷新周期的参数。一般说来，15.6us适用于基于128兆位内存芯片的内存（即单颗容量为16MB的内存），而7.8us适用于基于256兆位内存芯片的内存（即单颗容量为32MB的内存）。注意，如果tREF刷新周期设置不当，将会导致内存单元丢失其数据。 另外根据其他的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是bit。阵列中的每个bit都能被随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15.6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过同步的RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15.6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15.6?s x2048行=32ms。 如果使用DFI的主板，tREF和tRAS一样，不是一个精确的数值。通常15.6us和3.9us都能稳定运行，1.95us会降低内存带宽。很多玩家发现，如果内存质量优良，当tREF刷新周期设置为3120=200mhz(?.??s)时，会得到最佳的性能／稳定性比。 Write CAS# Latency(tWCL) 可选的设置：Auto，1-8 Write CAS Latency (tWCL)，表示“写指令到行地址控制器延时”。SDRAM内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面。tWCL表示写入的延迟，除了DDRII，一般可以设为1T，这个参数和大家熟悉的tCL（CAS-Latency）是相对的，tCL表示读的延迟。 DRAM Bank Interleave 可选的设置：Enable， Disable DRAM Bank Interleave，表示“DRAM Bank交错”。这个设置用来控制是否启用内存交错式(interleave)模式。Interleave模式允许内存bank改变刷新和访问周期。一个bank在刷新的同时另一个bank可能正在访问。最近的实验表明，由于所有的内存bank的刷新周期都是交叉排列的，这样会产生一种流水线效应。 虽然interleave模式只有在不同bank提出连续的的寻址请求时才会起作用，如果处于同一bank，数据处理时和不开启interleave一样。CPU必须等待第一个数据处理结束和内存bank的刷新，这样才能发送另一个地址。目前所有的内存都支持interleave模式，在可能的情况下我们建议打开此项功能。 对于DFI主板来说，任何情况下该设置都应该是Enable，可以增大内存的带宽。Disable对将减少内存的带宽，但使系统更加稳定。 DQS Skew Control 可选的设置：Auto，Increase Skew，Decrease Skew DQS Skew Control，表示“DQS时间差控制”。稳定的电压可以使内存达到更高的频率，电压浮动会引起较大的时间差（skew），加强控制力可以减少skew，但相应的DQS（数据控制信号）上升和下降的边缘会出现电压过高或过低。一个额外的问题是高频信号会引起追踪延迟。DDR内存的解决方法是通过简单数据选通脉冲来增加时钟推进。 DDRII引进了更先进的技术：双向的微分I/O缓存器来组成DQS。微分表示用一个简单脉冲信号和一个参考点来测量信号，而并非信号之间相互比较。理论上提升和下降信号应该是完全对成的，但事实并非如此。时钟和数据的失谐就产生了DQ-DQS skew。 如下图所示。 对于DFI主板来说，建议设置为Increase Skew可以提升性能，而Decrease Skew在牺牲一定性能的情况下，可以增加稳定性。 DQS Skew Value 可选的设置：Auto，0-255，步进值为1。 当我们开启了DQS skew control后，该选项用来设定增加或减少的数值。这个参数对系统的影响并不很敏感。 对于DFI主板来说，开启"Increase Skew"选项后，可以将该值设为50-255之间的值。值越大，表示速度越快。 DRAM Drive Strength 可选的设置：Auto，1-8，步进值为1。 DRAM Drive Strength（也被称为：driving strength），表示“DRAM驱动强度”。这个参数用来控制内存数据总线的信号强度，数值越高代表信号强度越高，增加信号强度可以提高超频的稳定性。但是并非信号强度高就一定好，三星的TCCD内存芯片在低强度信号下性能更佳。 如果设为Auto，系统通常会设定为一个较低的值。对使用TCCD的芯片而言，表现会好一些。但是其他的内存芯片就并非如此了，根据在DFI NF4主板上调试和测试的结果，1、3、5 、7都是性能较弱的参数，其中1是最弱的。2、4、6、8是正常的设置，8提供了最强的信号强度。TCCD建议参数为3、5或7，其他芯片的内存建议设为6或8。 DFI用户建议设置：TCCD建议参数为3、5、7，其他芯片的内存建议设为6或8。 DRAM Data Drive Strength 可选的设置：Auto，1-4，步进值为1。 DRAM Data Drive Strength表示“DRAM数据驱动强度”。这个参数决定内存数据总线的信号强度，数值越高代表信号强度越高。它主要用于处理高负荷的内存读取时，增加DRAM的驾驭能力。因此，如果你的系统内存的读取负荷很高，则应将该值设置为高(Hi/High)。它有助于对内存数据总线超频。但如果你并没有超频，提升内存数据线的信号强度，可以提高超频后速度的稳定性。此外，提升内存数据总线的信号强度并不能增强SDRAM DIMM的性能。因此，除非你内存有很高的读取负荷或试图超频DIMM，建议设置DRAM Data Drive Strength的值为低(Lo/Low)。 要处理大负荷的数据流时，需要提高内存的驾驭能力，你可以设为Hi或者High。超频时，调高此项参数可以提高稳定性。此外，这个参数对内存性能几乎没什么影响。所以，除非超频，一般用户建议设为Lo/Low。 DFI用户建议设置：普通用户建议使用level 1或3，如果开启了CPC，可能任何高于1的参数都会不稳定。部分用户开启CPC后能运行在3。更多的人关闭CPC后2-4都能够稳定运行。当然最理想的参数是开启CPC后设为level4。 Strength Max Async Latency 可选的设置：Auto，0-15，步进值为1。 Strength Max Async Latency目前还没能找到任何关于此项参数的说明，不知道其功能。感觉网友的经验，在进行Everest的LatencyTest时，可以看出一些差别。在我的BH-6上，参数从8ns到7ns在Latency Test的测试结果中有1ns的区别。从7ns调低6ns后，测试结果又减少了2ns。 DFI主板建议设置：BIOS中的默认值为7ns，建议大家在5-10之间调节。6ns对内存的要求就比较高了，建议使用BH-5和UTT芯片的用户可以尝试一下，但对TCCD不适用。7ns的要求低一些，UTT和BH-5设为7n比较适合超频。8ns对UTT和BH-5就是小菜一碟，8ns时TCCD通常能稳定运行在DDR600，如果想超频到DDR640就必须设为9ns甚至更高了。 Read Preamble Time 可选的设置：Auto，2.0-9.5，步进值为0.5。 Read Preamble Time这个参数表示DQS（数据控制信号）返回后，DQS又被开启时的时间间隔。Samsung早期的显存资料显示，这个参数是用以提升性能的。DQS信号是双向的，无论从图形控制器到DDR SGRAM还是从DDR SGRAM到图形控制器都起作用。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值设置为Auto时，实际上此时执行的是默认值5.0。建议大家在4.0-7.0之间调节，该值越小越好。 Idle Cycle Limit 可选的设置：Auto，0-256，无固定步进值。 Idle Cycle Limit这个参数表示“空闲周期限制”。这个参数指定强制关闭一个也打开的内存页面之前的memclock数值，也就是读取一个内存页面之前，强制对该页面进行重充电操作所允许的最大时间。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值设置为Auto时，实际上此时执行的是默认值256。质量好的内存可以尝试16-32，华邦（WINBOND）BH-5颗粒的产品能稳定运行在16。Idle Cycle Limit值越低越好。 Dynamic Counter 可选的设置：Auto， Enable， Disable。 Dynamic Counter这个参数表示“动态计数器”。这个参数指定开启还是关闭动态空闲周期计数器。如果选择开启（Enable），则会每次进入内存页表(Page Table)就强制根据页面冲突和页面错误(conflict/page miss：PC/PM)之间通信量的比率而动态调整Idle Cycle Limit的值。这个参数和前一个Idle Cycle Limit是密切相关的，启用后会屏蔽掉当前的Idle Cycle Limit，并且根据冲突的发生来动态调节。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值设置为Auto和关闭和一样的。打开该设置可能会提升性能，而关闭该设置，可以使系统的更稳定。 R/W Queue Bypass 可选的设置：Auto，2x，4x，8x，16x。 R/W Queue Bypass表示“读／写队列忽略”。这个参数指定在优化器被重写及DCI (设备控制接口：Device Control Interface)最后一次的操作被选定前，忽略操作DCI的读/写队列的时间。这个参数和前一个Idle Cycle Limit是相类似，只是优化器影响内存中的读／写队列。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值默认为16x。如果你的系统稳定，则保留该值。但如果不稳定，或者要超频，就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。该值越大，则说明系统性能越强，该值越小，则会是系统越稳定。 Bypass Max 可选的设置：Auto， 0x-7x， 步进值为1。 Bypass Max表示“最大忽略时间”。这个参数表示优化器选择否决之前，最后进入DCQ（Dependence Chain Queue）的可以被优化器忽略的时间。仔细研究后，我觉得这个参数会影响内存到CPU内存控制器的连接。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值默认为7x。建议4x或7x，两者都提供了很好的性能及稳定性。如果你的系统稳定，则保留该值。但如果不稳定，或者要超频，就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。该值越大，则说明系统性能越强，该值越小，则会是系统越稳定。 32 Byte Granulation 可选的设置：Auto，Disable (8burst)，Enable(4burst)。 32 Byte Granulation表示"32位颗粒化"。当该参数设置为关闭(Disable)时，就可以选择突发计数器，并在32位的数据存取的情况下，最优化数据总线带宽。因此该参数关闭后可以达到最佳性能的目的。 DFI主板建议设置：绝大多数情况下，建议选择Disable(8burst)选项。开启Enable (4burst)可以使系统更稳定一些。

超频内存的时候有两种，一种是提高内存的主频，这个可以使得内存的读写数据的速度更快，类似高速公路上的车速，而内存时序是指控制内存数据读写指令的速度，类似收费口，路上的车速再快最终也是要上下高速公路的，只不过并不是只有一个口，因此内存时序只要够用就可以了。

在给电脑购买内存的时候，大多数人会注重看内存的容量和频率参数，一般来说容量越大越好，频率越高越好。当然，这两个参数很重要，但还有另一个重要参数往往被大家忽略，它便是内存时序。那么，什么是内存时序，它对内存性能又会有哪些影响？本期科普，闪德君就带大家一起来认识认识这一内存参数。 时序会对内存芯片上各种常见操作之间的延迟产生影响，如果延迟超过一定限度，就会影响到内存的性能。一句话来概括，内存的时序是对内存在执行其各种操作时可能经历的固有延迟的描述。 内存的时序是以时钟周期来衡量的，大家可能在内存条的产品页面上看到一串由破折号分隔的数字，比如16-18-18-38，这些数字便被称为内存时序。本质上来讲，由于它们代表了延迟，所以时序自然越低越好。这四个数字代表了所谓的 「主要时序」，对延迟的影响最为显著。 内存时序4个数字对应的参数分别为CL、tRCD、tRP、tRAS，单位都是时间周期。其中CL（CAS Latency）表示「列地址访问的延迟时间，是时序中最重要的参数」；tRCD（RAS to CAS Delay）表示「内存行地址传输到列地址的延迟时间」；tRP（RAS Precharge Time）表示「内存行地址选通脉冲预充电时间」；tRAS（RAS Active Time）表示「行地址激活的时间」。 看完上面这些，大家是不是更迷惑了？别急，下面我们举个简单例子来讲讲。 我们可以把内存存储数据的地方想象成一个网格，且每个方格都存储着不同的数据，CPU需要什么数据，就向内存发出相应的指令。 比如CPU想要C3位置的数据。内存在接收到CPU的指令后，要先确定数据具体在哪一行，时序的第二个参数tRCD就代表这个时间，意思是内存控制器接收到行的指令后，需要等待多长时间才能访问这一行。 内存确定了数据所在的行之后，要想找出数据，还得确定列。时序的第一个数字也就是CL，就表示内存确定行数之后，还要等待多长时间，才能访问具体的列。 确定了行数和列数之后，就能准确找到目标数据，所以CL是一个准确的值，任何改动都会影响目标数据的位置，所以它在时序中是最关键的一个参数，对内存性能的发挥有着举足轻重的作用。 内存时序的第三个参数tRP，就是已经确定了一行，还要再确定另外一行所需要等待的时间。 第四个参数tRAS，可以简单理解成内存写入或读取数据的一个时间，它一般接近于前三个参数的总和。 所以，在保障稳定性的前提下，内存时序越低越好。但我们知道现在有不少内存条都能够超频，而高频率和低时序相互矛盾，一般频率上去了，时序就得有所牺牲，要想时序足够低，频率又很难拔高。比如今年各大存储厂商发布的DDR5内存，频率确实升上去了，但时序也相对DDR4内存来说要高上不少。

内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。

电子产品本身都有一定的内存容量，为了满足人们对于电子产品内存的个性化需求，现代的许多电子产品都设置了外接存储器，也就是我们通常所说的内存卡。内存卡可以用来存储歌曲，电影，电子书，游戏软件等数据信息。现在市面上常见的内存卡分为MMC、SD、MiniSD、MemoryStick、SM等几种。

内存分为基本内存、保留内存、上位内存、高端内存、扩充内存和扩展内存六大类。1、基本内存指手机自身所带的内存，区别于外插的各种内存卡。如一台手机它的手机内存有60M，但它插有一个1G的存储卡，那么它的基本内存为60M。也用于指一些品牌电脑所带有的内存容量。2、保留内存一般占据640KB～1024KB地址空间。分配给显示缓冲存储器、各适配卡上的ROM和系统ROM BIOS，剩余空间可作上位内存UMB。UMB的物理存储器取自物理扩展存储器。此范围的物理RAM可作为Shadow RAM使用。3、上位内存是常规内存上面一层的内存，又称之为DOS高端内存（地址为0A0000H～0FFFFFH）。利用保留内存中未分配使用的地址空间建立，其物理存储器由物理扩展存储器取得。4、高端内存扩展内存中的第一个64KB区域（1024KB～1088KB）。由HIMEM.SYS建立和管理。5、扩充内存是一种早期的增加内存的标准，最多可扩充到32M。使用扩充内存必须在计算机中安装专门的扩充内存板，而且还要安装管理扩充内存板的管理程序。6、扩展内存在386以上档次的微机中，有两种存储器工作方式，一种称为实地址方式或实方式，另一种称为保护方式。在实方式下，物理地址仍使用20位，所以最大寻址空间为1MB，以便与8086兼容。保护方式采用32位物理地址，寻址范围可达4GB。参考资料来源：百度百科-内存参考资料来源：百度百科-扩展内存参考资料来源：百度百科-扩充内存参考资料来源：百度百科-基本内存参考资料来源：百度百科-上位内存

内存条就是内存 因为台式机、笔记本的内存一般做成条状的 所以又叫内存条

扩展资料内存特性内存在32位Windows用户模式下，进程最大可以使用2GiB，可以通过修改Boot.ini文件扩展为最大可以使用到3GiB。task manager中的Memory Usage对应的是working set, VM Size对应的是private bytes.内存占据640KB～1024KB地址空间。分配给显示缓冲存储器、各适配卡上的ROM和系统ROM BIOS，剩余空间可作上位内存UMB。UMB的物理存储器取自物理扩展存储器。此范围的物理RAM可作为ShadowRAM使用。 参考资料来源：百度百科—内存

内存是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写，而且速度很快，作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。内存用来加载各式各样的程序与数据以供CPU直接运行与运用。由于DRAM的性价比很高，且扩展性好，是现今一般计算机主存的最主要部分。扩展资料内存特点：1、当电源关闭时RAM不能保留数据。如果需要保存数据，就必须把它们写入一个长期的存储设备中。RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM则不会。2、内存是所有访问设备中写入和读取速度最快的，访问延迟也和其他涉及机械运作的存储设备（如硬盘、光盘驱动器）相比，也显得微不足道。但速度仍然不如作为CPU缓存用的SRAM。参考资料来源：百度百科—内存

内存是临时存储数据的地方，内存使用率是指当前系统运行占用内存的比率。硬盘才是存储数据的，内存是临时的。