内存

内存不能为"Read"或"written"（原因以及解决方案）：（【sql1981】原创答案，引用请说明原作者：sql1981，未通知原作者严禁复制本答案！！）系统出现内存不能为"Read"或"written"的原因：1、驱动不稳定，与系统不兼容，这最容易出现内存不能为 Read 或者文件保护2、系统安装了一个或者多个流氓软件，这出现 IE 或者系统崩溃的机会也比较大，也有可能出现文件保护3、系统加载的程序或者系统正在运行的程序之间有冲突，尤其是部分杀毒软件监控程序4、系统本身存在漏洞，导致容易受到网络攻击。5、病毒问题也是主要导致内存不能为 Read、文件保护、Explorer.exe 错误……6、如果在玩游戏时候出现内存不能为 Read，则很大可能是显卡驱动不适合（这里的不适合有不适合该游戏、不适合电脑的显卡），也有可能是 DX9.0C 版本不够新或者不符合该游戏、显卡驱动7、部分软件本身自身不足的问题8、电脑硬件过热，也是导致内存不能为 Read 的原因之一。9、电脑内存与主板兼容性不好也是导致内存不能为 Read 的致命原因！提供几种解决方案： 1、一次运行注册所有dll，方法如下: 开始——运行，输入cmd 回车在命令提示符下输入 for %1 in (%windir%system32*.dll) do regsvr32.exe /s %1 这个命令你慢慢输，仔细点，输入正确的话会看到飞快地滚屏 否则……否则失败就是没这效果。回车后慢慢等（需要点时间1-2分钟） 都运行完再尝试之前的操作，看还有没有出现不能为read的现象。 2、在控制面板的添加/删除程序中看看你是否安装了微软NET.Framework，如果已经安装了，可以考虑卸载它，当然如果你以后在其它程序需要NET.Framework时候，可以再重新安装。 另外，如果你用的是ATI显卡并且你用的是SP2的补丁（一些ATI的显卡驱动需要在NET.Framework正常工作的环境下）。这种情况你可以找一款不需要NET.Framework支持的ATI显卡驱动。 如果以上两种方法并不能完全解决问题，你试着用一下“IE修复”软件，并可以查查是否有病毒之类的。 〔微软NET.Framework升级到1.1版应该没问题了〕 3、引起这个问题的原因很多。一般来讲就是给系统打上补丁和更换内存、给内存换个插槽这3种方法来解决。[系统补丁只要到Microsoft Update网站在线更新就可以了！

那补丁则呢们下载呢？

朋友，这是你下载的“软件”和电脑中的“内存”有冲突了，（答案原创，严禁复制）我给你9种方法调试！1.电脑里有木马或病毒干扰，下载“360安全卫士”和“360杀毒双引擎版”，建议“全盘扫描”病毒和木马，修补电脑上的漏洞！2.如果第1种方法不行，下载个“360系统急救箱”，原名：“360顽固木马专杀”，或者“金山系统急救箱”，急救系统！先“全盘查杀”，再重启电脑！然后点开“隔离|恢复”区，找到恶意的软件，点“彻底删除”!再点开“修复”，“全选”，再点“修复”！3.你下载的“播放器”，或“聊天软件”，或“IE浏览器”，或“游戏”的程序不稳定，或者“版本太旧”！建议卸掉，下载新的，或将其升级为“最新版本”！4.就是你安装了两款或两款以上的同类软件（如：两款播放器，两款qq，或多款浏览器，多款杀毒软件，多款网游等等）！它们在一起不“兼容”，卸掉“多余”的那一款！5.卸载方法：你在电脑左下角“开始”菜单里找到“强力卸载电脑上的软件”，找到多余的那款卸掉！ 卸完了再“强力清扫”！或者“360安全卫士”，“软件管家”，点开，第4项：“软件卸载”，点开，找到“多余”和“类似”的软件卸载！如：“播放器”，点开，留下“暴风”，卸载“快播”！如：“下载”：点开，留下“迅雷”，卸载“快车”！（看准了再卸，别把有用的卸了）！6.如果还是不行，去网上下载一个“read修复工具”修复一下试试！7.再不行，重启电脑，开机后按“F8”，回车，回车，进到“安全模式”里找到“最后一次正确配置”，按下去试试，看看效果如何！8.再不行，运行 ，输入cmd， 回车，在命令提示符下输入(复制即可) :for %1 in (%windir%system32*.dll) do regsvr32.exe /s %1 ，重启电脑！9.实在不行就“还原系统”或“重装系统”！

内存或虚拟内存地址使用冲突造成 程序的运行需要分配一定的内存地址给程序使用，当程序结束时释放留出空间让给新的程序使用，win是多任务的系统 有时前程序未结束 又有新的任务开始 。劣质内存条也会出现这个问题内存出现问题的可能性并不大，主要方面是：内存条坏了、内存质量有问题，还有就是2个不同牌子不同容量的内存混插，也比较容易出现不兼容的情况，同时还要注意散热问题，特别是超频后。微软WINDOWS系统的漏洞，windows把内存地址0X00000000到0X0000ffff指定为分配null指针的地址范围,如果程序试图访问这一地址，则认为是错误。c/c++编写的程序通常不进行严格的错误检查，当采用malloc来分配内存而可供分配的地址空间不够的情况下返回null指针。但是代码不检查这种错误，认为地址分配已经成功，于是就访问0X00000000的地址，于是就发生内存违规访问，同时该进程被终止。修复不成功可重做系统

此情况一般为软件冲突、中毒、驱动故障、系统故障、内存故障等，可通过以下步骤逐一排查解决：1，部分软件需要运行环境才能安装，请先安装.net framwork、visual c++等组件；2，如方法1无效，确认弹出此提示后，对话框左上角的的进程名称是什么，如果是软件的进程，则为软件故障，尝试卸载此软件或安装新版本此软件；3，如果对话框左上角的进程名称是svchost.exe等系统进程，可先卸载最近安装的软件，再重新安装驱动；4，进入安全模式是否有此提示，尝试全盘杀毒；5，尝试扫描硬盘有无坏道，扫描内存；6，如以上排查均无效，可以重装系统尝试下

您好！出现:0x???????? 指令引用的0x????????内存。该内存不能为"read"或"written"。答案【shijan8原创】★严禁复制★ 【1】对电脑没有影响或【偶尔】出现，不用管它，【重启电脑】后可能会自动消失。【2】盗版系统或Ghost版本系统,系统文件错误或丢失，也会出现该问题，及时安装官方发行的补丁，{检查电脑年、月、日是否正确}。建议：安装【正版】系统。【3】检查驱动是否出现问题，重新安装驱动或及时更新驱动。【4】病毒引起的：升级杀毒软件或下载专杀工具，清理恶意插件，对电脑全盘杀毒。【5】硬件引起的：（1）可能是内存条出现的小问题，关机断电，把内存条拆下清理干净重新安装。必要时更换内存条。（2）有些硬件配置过低，尤其是运行大型游戏时，不能正常运行。必要时升级电脑显卡、内存条等硬件。（硬件上一般不会出现该问题）【6】软件引起的：（1）安装的软件与系统或其它软件发生冲突，盗版或带病毒的软件，请慎重下载软件，最好使用正版。【这里主要说的是检查开机启动项，把没必要启动的启动项禁止开机启动】（2）如果你的电脑中安装了两款或两款以上的同类软件，比如:两款杀毒软件、两款优化系统软件等，请卸载一款，以免发生冲突，以保持电脑稳定性。（3）有些系统补丁下载安装不当，可能与您当前的系统或其它软件发生冲突，也会出现该问题。卸载该补丁，找到适合您电脑补丁，重新下载重新安装。（4）有些版本的游戏不支持双核或多核电脑，请更换其它版本试试。如果不行只有卸载该游戏，一定要卸载干净，否则还会出现该问题。（5）当安装或打开运行播放器、游戏、QQ等第三方软件，出现该问题时。可能是您下载的软件存在着危险，系统本身为了保护系统不受影响，也会出现该内存不能为“read”或“wrtten”。一般的解决办法就是卸载该软件重新安装。如果不能解决，需要更换同类型其它版本的软件，或找到发生冲突的软件卸载它，问题才能解决。【注意】：如果以确定电脑没有病毒，检查清理电脑是否存在恶意插件，把它清理掉。如果您使用windows IE浏览器出现该问题，尤其是打补丁不当或升级到IE8时，最近一段时间很多网友反映IE变得不太稳定。用360安全卫士或其它软件修复IE，如果没有效果，降低IE版本试试。如果还是不行，最简单的解决办法就是：下载更换其它浏览器。【不用删除windows IE，直接使用其它浏览器即可。】比如：360安全浏览器、世界之窗浏览器、傲游等。可以试试下面的方法：看看能不能解决。◆开始→运行→输入cmd→回车，在命令提示符下输入下面命令 for %1 in (%windir%system32*.dll) do regsvr32.exe /s %1回车。 完成后，在输入下面的for %i in (%windir%system32*.ocx) do regsvr32.exe /s %i 回车。如果怕输入错误，可以复制这两条指令，然后在命令提示符后击鼠标右键，打“粘贴”，回车，耐心等待，直到屏幕滚动停止为止。（重启电脑）。 ●在检查运行regedit进入注册表, 在HKEY_LOCAL_MACHINESOFTWAREMicrosoftWindowsCurrentVersionExplorerShellExecuteHooks 下，应该只有一个正常的键值{AEB6717E-7E19-11d0-97EE-00C04FD91972}, 将其他的删除。【如果还有一个（默认）值不用管它，一般它为空。】必要时【还原】或重新安装系统。

朋友，电脑出现：内存不能为read，这是你下载的“软件”与电脑内存有“冲突”！原因总结起来，有以下方面，偶尔出现，点：取消，即可！（答案原创,本答案原作者：力王历史）1.电脑中了木马或者有病毒在干扰！试试：杀毒软件，360安全卫士+360杀毒双引擎版，或者金山卫士+金山毒霸，建议：修复“高危”和“重要”漏洞！使用“木马云查杀”和“360杀毒”，“全盘扫描”和“自定义扫描”病毒和木马，删除后，重启电脑！开机后，点开“隔离|恢复”，找到木马和病毒，彻底删除！2.如果第1种方法不行，打开：“360安全卫士”，“木马查杀”里的：“360系统急救箱”！先“开始急救”，查杀完毕，删除“可疑启动项”和木马，再重启电脑！然后点开“文件恢复区”，找到“可疑启动项”和木马，点“彻底删除文件”!再点开“系统修复”，“全选”，再点“立即修复”！网络修复，立即修复，重启电脑！3.用“360安全卫士”，“系统修复”，一键修复！再：“清理插件”，立即扫描，立即清理：恶评插件！4.你下载的“播放器”，或“聊天软件”，或“IE浏览器”，或者“驱动”，或“游戏”的程序不稳定，或者“版本太旧”！建议卸掉，下载新的，或将其升级为“最新版本”！5.软件冲突，你安装了两款或两款以上的同类软件（如：两款播放器，两款qq，或多款浏览器，多款杀毒软件，多款网游等等）！它们在一起不“兼容”，卸掉“多余”的那一款！6.卸载方法：你在电脑左下角“开始”菜单里找到“强力卸载电脑上的软件”，找到多余的那款卸掉！ 卸完了再“强力清扫”！或者“360安全卫士”，“软件管家”，点开，第4项：“软件卸载”，点开，找到“多余”和“类似”的软件卸载！如：“播放器”，点开，留下“暴风”，卸载“快播”！如：“下载”：点开，留下“迅雷”，卸载“快车”！（看准了再卸，别把有用的卸了）7.如果还是不行，去网上下载一个“read修复工具”，修复试试！8.再不行，重启电脑，开机后按“F8”，回车，回车，进到“安全模式”里，“高级启动选项”，找到：“最后一次正确配置”，按下去试试，看看效果如何！9.再不行，开始菜单，运行 ，输入cmd， 回车，在命令提示符下输入(复制即可) :for %1 in (%windir%system32*.ocx) do regsvr32 /s %1 粘贴，回车，再输入：for %1 in (%windir%system32*.dll) do regsvr32.exe /s %1回车！直到屏幕滚动停止为止，重启电脑！10.实在不行就“一键还原”系统或“重装系统”！

内存不能为"Read"或"written"（原因以及解决方案）：（【sql1981】原创答案，引用请说明原作者：sql1981，未通知原作者严禁复制本答案！！）系统出现内存不能为"Read"或"written"的原因：1、驱动不稳定，与系统不兼容，这最容易出现内存不能为 Read 或者文件保护2、系统安装了一个或者多个流氓软件，这出现 IE 或者系统崩溃的机会也比较大，也有可能出现文件保护3、系统加载的程序或者系统正在运行的程序之间有冲突，尤其是部分杀毒软件监控程序4、系统本身存在漏洞，导致容易受到网络攻击。5、病毒问题也是主要导致内存不能为 Read、文件保护、Explorer.exe 错误……6、如果在玩游戏时候出现内存不能为 Read，则很大可能是显卡驱动不适合（这里的不适合有不适合该游戏、不适合电脑的显卡），也有可能是 DX9.0C 版本不够新或者不符合该游戏、显卡驱动7、部分软件本身自身不足的问题8、电脑硬件过热，也是导致内存不能为 Read 的原因之一。9、电脑内存与主板兼容性不好也是导致内存不能为 Read 的致命原因！提供几种解决方案： 1、一次运行注册所有dll，方法如下: 开始——运行，输入cmd 回车在命令提示符下输入 for %1 in (%windir%system32*.dll) do regsvr32.exe /s %1 这个命令你慢慢输，仔细点，输入正确的话会看到飞快地滚屏 否则……否则失败就是没这效果。回车后慢慢等（需要点时间1-2分钟） 都运行完再尝试之前的操作，看还有没有出现不能为read的现象。 2、在控制面板的添加/删除程序中看看你是否安装了微软NET.Framework，如果已经安装了，可以考虑卸载它，当然如果你以后在其它程序需要NET.Framework时候，可以再重新安装。 另外，如果你用的是ATI显卡并且你用的是SP2的补丁（一些ATI的显卡驱动需要在NET.Framework正常工作的环境下）。这种情况你可以找一款不需要NET.Framework支持的ATI显卡驱动。 如果以上两种方法并不能完全解决问题，你试着用一下360安全卫士的的“IE修复”或其他类似软件，并可以查查是否有病毒之类的。〔微软NET.Framework升级到1.1版应该没问题了〕 3、引起这个问题的原因很多。一般来讲就是给系统打上补丁和更换内存、给内存换个插槽这3种方法来解决。[系统补丁只要到Microsoft Update网站在线更新就可以了！

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如果只是某个应用程序出错，解决方法如下：　　1、卸载此程序，重新安装。　　2、更新最新的稳定版本。不要用测试版。　　3、重装系统。　　内存是电脑的最基本的最重要的配件之一，所以，电脑的各种故障往往都会反映在内存上，所以，许多故障都会报内存不能为READ，或者内存不能为written等。未必是内存本身的问题，可能是系统、软件、病毒等多种因素甚至一齐造成的。　　一般来讲，该内存不能为"READ"，可以尝试如下解决办法：　　1、首先更换正式版的应用程序，卸载测试版的应用程序。　　2、再排除是不是病毒木马引起的，使用口碑较好的杀毒软件查杀。　　3、可以尝试下面解决该内存不能为read的方法：　　打开“开始”菜单——运行中输入cmd 回车，在命令提示符下输入“for %1 in (%windir%system32*.ocx) do regsvr32 /s %1”；完了后，再输入以下内容并回车 “for %1 in (%windir%system32*.dll) do regsvr32 /s %1”　　4、修复系统漏洞，通过系统本身的软件更新或软件修复。　　5、最后看是不是硬件引起的，分别检查内存条，主板，散热器等等。

很多的用户们在玩耍游戏或者使用软件的时候，有时会出现该内存不能为read的问题，但是这个问题需要怎么处理呢，快来看看该内存不能为read的修复教程吧~该内存不能为read怎么解决：1、【win】+【R】，打开运行界面2、在运行窗口中，输入【cmd】。打开管理员界面。3、复制该代码并输入管理员界面中：【for %1 in (%windir%system32*.dll) do regsvr32.exe /s%1】4、然后按下回车键【Enter】，就会慢慢修复了。

如果要说原因那个可能的原因真的很多了，如果是硬件问题那只能换硬件了比如内存或者硬盘，但是大多数情况下还是不是硬件问题了。具体的解决方案给出几种希望对你有所帮助：看操作，下面给出4个具体的解决方案希望对你有所帮助。方法1：“开始菜单”--“运行”--输入“msconfig”--看下启动前面有没有对钩如果有去掉对钩确定，重启。方法2：如果这个问题出现在每次打开某个软件后，可以考虑是软件的兼容性问题，比如你那个外挂软件可以尝试使用兼容模式运行，（可以鼠标右键在属性里面使用兼容模式运行该软件）如果是VISTA系统也可以尝试使用管理员权限运行该程序。如果不行可以考虑卸载掉该软件重新安装，当然最好不要用这个软件如果能找到很好的这个软件替代软件。方法3：系统dll文件没有注册的原因，具体修复操作：“开始菜单”--“运行”--“cmd”--在黑框里输入“for%1in(%windir%system32*.dll)doregsvr32.exe/s%1”回车。重启。方法4：借助第3方软件的修复功能：木马专家2009免费版这个软件提供了解决这个问题，你可以在百度上搜索一下这个软件，不过最好去天空软件园或者多特去下载，那儿的还是安全些没有病毒。这个软件是免费的可以放心使用的。下载安装软件后，在软件的高级功能里的修复系统里面有个修复程序经常错误提示内存不能为read的选项点修复就可以了.

此情况一般为软件冲突、中毒、驱动故障、系统故障、内存故障等，可通过以下步骤逐一排查解决：1，部分软件需要运行环境才能安装，请先安装.net framwork、visual c++等组件；2，如方法1无效，确认弹出此提示后，对话框左上角的的进程名称是什么，如果是软件的进程，则为软件故障，尝试卸载此软件或安装新版本此软件；3，如果对话框左上角的进程名称是svchost.exe等系统进程，可先卸载最近安装的软件，再重新安装驱动；4，进入安全模式是否有此提示，尝试全盘杀毒；5，尝试扫描硬盘有无坏道，扫描内存；6，如以上排查均无效，可以重装系统尝试下

此情况一般为软件冲突、中毒、驱动故障、系统故障、内存故障等，可通过以下步骤逐一排查解决：1，部分软件需要运行环境才能安装，请先安装.net framwork、visual c++等组件；2，如方法1无效，确认弹出此提示后，对话框左上角的的进程名称是什么，如果是软件的进程，则为软件故障，尝试卸载此软件或安装新版本此软件；3，如果对话框左上角的进程名称是svchost.exe等系统进程，可先卸载最近安装的软件，再重新安装驱动；4，进入安全模式是否有此提示，尝试全盘杀毒；5，尝试扫描硬盘有无坏道，扫描内存；6，如以上排查均无效，可以重装系统尝试下

该内存不能为read原因：1、驱动程序不稳定，或者与操作系统、计算机硬件不兼容，极易引发内存不能为read错误；(由于开发者水平差异较大，个别RP和技术都很差的程序员也开始写驱动程序了，小则引起“内存不能为read”，大则引发机器蓝屏，最后还把责任推卸给别人。）蓝屏代码：D805AB914BA4FEF0BA3473226E713E6A.2、不小心安装了流氓软件或IE流氓插件。3、正在加载的程序与已经运行的发生冲突，如有的杀毒软件实时监控程序，会和其它杀毒软件争夺系统控制权，导致内存不能为read。4、计算机感染了病毒。5、玩游戏时出现内存不能为Read，则是因为显卡驱动不匹配。6、夏天时硬件过热，散热不好，导致内存故障，不能为Read。7、内存条与主板兼容性问题，导致内存不能为Read。

此情况一般为软件冲突、中毒、驱动故障、系统故障、内存故障等，可通过以下步骤逐一排查解决：1，部分软件需要运行环境才能安装，请先安装.net framwork、visual c++等组件；2，如方法1无效，确认弹出此提示后，对话框左上角的的进程名称是什么，如果是软件的进程，则为软件故障，尝试卸载此软件或安装新版本此软件；3，如果对话框左上角的进程名称是svchost.exe等系统进程，可先卸载最近安装的软件，再重新安装驱动；4，进入安全模式是否有此提示，尝试全盘杀毒；5，尝试扫描硬盘有无坏道，扫描内存；6，如以上排查均无效，可以重装系统尝试下

玩游戏时提示内存错误怎么办,提示该内存不能为“READ” 出现这种情况的原因 1、驱动不稳定，与系统不兼容，这最容易出现内存不能为 Read 或者文件保护 2、系统安装了一个或者多个流氓软件，这出现 IE 或者系统崩溃的机会也比较大，也有可能出现文件保护 3、系统加载的程序或者系统正在运行的程序之前有冲突，尤其是部分杀毒软件监控程序 4、系统本身存在漏洞，导致容易受到网络攻击。 5、病毒问题也是主要导致内存不能为 Read、文件保护、Explorer.exe 错误…… 6、如果在玩游戏时候出现内存不能为 Read，则很大可能是显卡驱动不适合（这里的不适合有不适合该游戏、不适合电脑的显卡），也有可能是 DX9.0C 版本不够新或者不符合该游戏、显卡驱动 7、部分软件本身自身不足的问题 8、电脑硬件过热，也是导致内存不能为 Read 的原因之一。 9、电脑内存与主板兼容性不好也是导致内存不能为 Read 的致命原因！ 简单的解决方法： 在开始－运行里输入CMD确定，在命令行窗口下输入以下内容后按回车 for %1 in (%windir%system32*.ocx) do regsvr32 /s %1 完了后，再输入以下内容并回车 这个要好久，耐心等候，但也可能需要重启后整个效果才会出来。 玩游戏提示内存不能为read怎么办 有可能是内存有问题，测试一下内存条。或者win系统问题，可以重新启动电脑试一下。 玩游戏提示内存不能为read, 玩游戏时 出现错误提示 内存不能为"READ" 您好！ 出现:0x???????? 指令引用的0x????????内存。该内存不能为"read"或"written"。【答案shijan8原创】如果使用本答案请注明原创作者名或答案来源 【1】出现应用程序错误原因很多，对照您电脑出现的问题进行正确的解决。（如果偶尔出现该问题，关机后，重新开机，可能会消失） 【2】盗版系统或Ghost版本系统,系统文件错误或丢失，也会出现该问题，及时安装官方发行的补丁，{检查电脑年、月、日是否正确}。建议：最好安装【正版】系统或【完整版】系统。 【3】检查驱动是否出现问题，重新安装驱动或及时更新驱动。 【4】病毒引起的：升级杀毒软件或下载专杀工具，清理恶意插件，对电脑全盘杀毒。 【5】硬件引起的： （1）可能是内存条出现的小问题，关机断电，把内存条拆下清理干净重新安装。必要时更换内存条。 （2）电脑硬件配置过低或硬件配置不合理，尤其是运行大型游戏时，不能正常运行。必要时升级或更换电脑显卡、内存条等硬件。（硬件上一般不会出现该问题） 【6】软件引起的： （1）如果装的软件多，导致系统混乱或内存溢出也会出现该错误。安装的软件与系统或其它软件发生冲突，盗版或带病毒的软件，请慎重下载软件，最好使用正版。【这里主要说的是检查开机启动项，把没必要启动的启动项禁止开机启动】 （2）如果你的电脑中安装了两款或两款以上的同类软件，比如:两款杀毒软件、两款优化系统软件等，请卸载一款，以免发生冲突，以保持电脑稳定性。 （3）有些系统补丁下载安装了错误补丁，可能与您当前的系统或其它软件发生冲突，也会出现该问题。卸载该补丁，找到适合您电脑补丁，重新下载重新安装。 （4）有些版本的游戏可能不适合你的系统或不支持双核以上电脑，再有就是游戏下载安装了错误补丁或安装更新游戏补丁后，可能游戏版本已发生改变引起的，卸载该补丁或更换其它版本试试。如果不行只有卸载该游戏，一定要卸载干净，否则还会出现该问题。 （5）当下载安装或打开运行播放器、游戏、QQ等第三方软件，出现该问题时。可能是您下载的软件存在着危险，系统本身为了保护系统不受影响，也可能会出现该内存不能为“read”或“written”。一般的解决办法就是卸载该软件重新安装。如果不能解决，需要更换同类型其它版本的软件，或找到发生冲突的软件卸载它，问题才能解决。 【注意】：如果以确定电脑没有病毒，检查清理电脑是否存在恶意插件，把它清理掉。如果您使用windows IE浏览器出现该问题，尤其是打了错误补丁，最近windows IE变得不太稳定。【盗版系统或ghost版本系统，出现该问题比较多】处理办法：用360安全卫士、安装的急救箱或其它修复软件进行系统修复或IE修复，如果没有效果，升级或降低IE版本试试。如果还是不行，最简单的解决办法就是：下载更换其它浏览器。【不用删除windows IE，直接使用其它浏览器即可。】比如：360安全浏览器、世界之窗浏览器、傲游等。 如果上面说的检查都没问题，可以试试下面的方法：看看能不能解决。 ◆开始→运行→输入cmd→回车，在命令提示符下输入下面命令 for %1 in (%windir%system32*.dll) do regsvr32.exe /s %1回车。 完成后，在输入下面的 for %i in (%windir%system32*.ocx) do regsvr32.exe /s %i 回车。 如果怕输入错误，可以复制这两条指令，然后在命令提示符后击鼠标右键，打“粘贴”，回车，耐心等待，直到屏幕滚动停止为止。（重启电脑）。 ●在检查运行regedit进入注册表, 在HKEY_LOCAL_MACHINESOFTWAREMicrosoftWindowsCurrentVersionExplorerShellExecuteHooks 下，应该只有一个正常的键值{AEB6717E-7E19-11d0-97EE-00C04FD91972}, 将其他的删除。【如果还有一个（默认）值,不用管它，也不能删除，一般它为空。】必要时【还原】或重新安装系统。 玩游戏时提示内存错误怎么办 1、驱动不稳定，与系统不兼容，这最容易出现内存不能为 Read 或者文件保护 2、系统安装了一个或者多个流氓软件，这出现 IE 或者系统崩溃的机会也比较大，也有可能出现文件保护 3、系统加载的程序或者系统正在运行的程序之前有冲突，尤其是部分杀毒软件监控程序 4、系统本身存在漏洞，导致容易受到网络攻击。 5、病毒问题也是主要导致内存不能为 Read、文件保护、Explorer.exe 错误…… 6、如果在玩游戏时候出现内存不能为 Read，则很大可能是显卡驱动不适合（这里的不适合有不适合该游戏、不适合电脑的显卡），也有可能是 DX9.0C 版本不够新或者不符合该游戏、显卡驱动 7、部分软件本身自身不足的问题 8、电脑硬件过热，也是导致内存不能为 Read 的原因之一。 9、电脑内存与主板兼容性不好也是导致内存不能为 Read 的致命原因！ 简单的解决方法： 在开始－运行里输入CMD确定，在命令行窗口下输入以下内容后按回车 for %1 in (%windir%system32*.ocx) do regsvr32 /s %1完了后，再输入以下内容并回车 玩游戏时总提示内存不能为read，哪出问题了 玩游戏时出现内存不能为Read，则是因为显卡驱动不匹配; 更新显卡驱动试试 玩游戏时 有时提示内存只能为read 不能为written 内存溢出问题，一般系统用久了，或者程序装太多，都会出现这个问题。是程序语言的不完善造成的。要么重装，要么忍忍吧！ 玩魔兽DOTA会出现游戏错误，提示内存不能为READ？ 卸载重装游戏

解决方法如下：1、按“windows+X”键调出菜单点击“运行”。2、弹出窗口，输入“cmd”然后点击“确定”。2、复制以下代码：for %1 in (%windir%system32*.dll) do regsvr32.exe /s %1，在弹出窗口中点击右键选择“粘贴”。4、然后按回车键，耐心等待几分钟即可。扩展资料：常见误解：内部外存储器。这种情况主要是发生在描述移动设备的内部集成的数据存放空间时。比如一台手机具备8G的数据存储空间，不少人将其描述为“8G内存”，事实上，这种表述是错误的，因为所谓的“8G内存”是一个外存储器。不能将“内部的外存储器”简称为”内存，因为内存是一个特定的概念，为内存储器的简称。参考资料来源：百度百科：内存

这种情况与软件、硬件都可能有关。先说与软件的关系：应用程序本身出现问题，这种问题也许是程序员编程问题或被病毒感染问题，运行该程序就会提示“内存不能为READ"。如以下情况：1、驱动不稳定，与系统不兼容；2、系统安装了一个或者多个流氓软件；3、系统加载的程序或者系统正在运行的程序之间有冲突，尤其是部分杀毒软件监控程序；4、系统本身存在漏洞；5、病毒问题；6、如果在玩游戏时候出现内存不能为 Read，则很大可能是显卡驱动不适合（这里的不适合有不适合该游戏、不适合电脑的显卡）；7、部分软件本身自身不足的问题；再说与硬件的关系：主要与内存有关。内存坏、兼容性不好、运行期间过热或接触不良都有可能出现这种问题。鉴于此，可采取如下办法：从软件方面考虑：一是注册DLL动态链接库文件，解决应用程序（含驱动程序）与系统不兼容的问题。开始——运行，输入cmd 回车在命令提示符下输入 ：for %1 in (%windir%system32*.dll) do regsvr32.exe /s %1二是在控制面板的添加/删除程序中看看你是否安装了微软NET.Framework，如果已经安装了，可以考虑卸载它，当然如果你以后在其它程序需要NET.Framework时候，可以再重新安装。 另外，如果你用的是ATI显卡并且你用的是SP2的补丁（一些ATI的显卡驱动需要在NET.Framework正常工作的环境下）。这种情况你可以找一款不需要NET.Framework支持的ATI显卡驱动。三是用一下“IE修复”软件修复一下IE浏览器。四是安全模式下全盘杀毒。五是给系统打补丁。从硬件方面考虑：将内存插拔一下、换个插槽、或更换内存。

开机时出现内存不能为read，一般系统破坏比较严重，先重装系统看看有没有此类问题。如果还有此问题，按以下方法尝试解决：1、首先更换正式版的应用程序，卸载测试版的应用程序2、再排除是不是病毒木马引起的，使用口碑较好的杀毒软件查杀。3、可以尝试下面解决该内存不能为read的方法打开“开始”菜单——运行中输入cmd回车，在命令提示符下输入“for%1in(%windir%system32*.ocx)doregsvr32/s%1”；完了后，再输入以下内容并回车“for%1in(%windir%system32*.dll)doregsvr32/s%1”4、修复系统漏洞，通过系统本身的软件更新或软件修复。5、最后看是不是硬件引起的，分别检查内存条，主板，散热器等等。该内存不能为read原因有如下可能：1.有病毒木马，或杀毒软件错杀了系统文件。2.应用程序组件丢失。3.使用破解版或者测试版软件，因为该类软件存在bug会很多，而且很严重。4.操作系统自身的问题，操作系统本身也会有bug。5.硬件问题，例如内存条坏了或者存在质量问题，或者内存条的金手指的灰尘特别多。

可以用3090魔龙的卡，配块10900k的u，主板选z490大板。或者试试最新的amd处理器。

华硕410主板内存更改时序步骤如下：1、在BIOS中打开手动设置。2、在BIOS设置中找到DRAMTimingSelectable。3、BIOS设置中可能出现的其他描述有，AutomaticConfiguration，Auto，TimingSelectable，TimingConfiguringBySPD等，将其值设为Menual（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable）。4、内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS。5、预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（RowAddressStrobe）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。

　　内存时序参数一般存储在内存条的SPD上。3-3-3-8的含义依次为：CASLatency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CASDelay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－prechargeDelay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－activeDelay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组。

cjr3600内存最佳时序：3733的16-20-20比3600的16-18-18好内存时序是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，列如下图的16-18-18-36就代表这根内存的时序。（第四个参数经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。）

内存时序的调节步骤如下：在BIOS中打开手动设置。在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。BIOS设置中可能出现的其他描述有，Automatic Configuration，Auto，Timing Selectable，Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable）。内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS。预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。内存时序，一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。

关于内存条的时序，可以通过CPUz软件中的SPD选项卡查看。具体情况见下图：

CPU 上没有内存时序 一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。 在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍： 一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表： Command Per Clock(CPC) 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。 CAS Latency Control(tCL) 可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。 内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。 这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。 该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。 RAS# to CAS# Delay(tRCD) 可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。 该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。 如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。 Min RAS# Active Timing(tRAS) 可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。 该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS# Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－10之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。 如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。 如果使用DFI的主板，则tRAS值建议使用00，或者5-10之间的值。 Row Precharge Timing(tRP) 可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。 该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。 tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。 如果使用DFI的主板，则tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。 Row Cycle Time(tRC) 可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。 Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。 其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。 在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。 Row Refresh Cycle Time(tRFC) 可选的设置：Auto，9-24，步幅值1。 Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。 如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是内存超频建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。 Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD) 可选的设置：Auto， 0-7，每级以1的步幅递增。 Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行单元到行单元的延时"。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。 延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。 如果使用DFI的主板，则tRRD值为00是最佳性能参数，4超频内存时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。 Write Recovery Time(tWR) 可选的设置：Auto，2，3。 Write Recovery Time (tWD)，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。 如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2；如果使用DDR333或DDR400，则将tWD值设为3。如果使用DFI的主板，则tWR值建议为2。 Write to Read Delay(tWTR) 可选的设置：Auto，1，2。 Write to Read Delay (tWTR)，表示“读到写延时”。三星公司称其为“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。 tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加tWTR值，可以让内容模块运行于比其默认速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR值设为1；如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的值设为1，如果系统不稳定，则改为2。 Refresh Period(tREF) 可选的设置：Auto， 0032-4708，其步进值非固定。 Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指内存模块的刷新周期。 先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期(单位：微秒，即：一百万分之一秒)。?号在这里表示该刷新周期尚无对应的准确数据。 1552= 100mhz(?.??s) 2064= 133mhz(?.??s) 2592= 166mhz(?.??s) 3120= 200mhz(?.??s) --------------------- 3632= 100mhz(?.??s) 4128= 133mhz(?.??s) 4672= 166mhz(?.??s) 0064= 200mhz(?.??s) --------------------- 0776= 100mhz(?.??s) 1032= 133mhz(?.??s) 1296= 166mhz(?.??s) 1560= 200mhz(?.??s) --------------------- 1816= 100mhz(?.??s) 2064= 133mhz(?.??s) 2336= 166mhz(?.??s) 0032= 200mhz(?.??s) --------------------- 0388= 100mhz(15.6us) 0516= 133mhz(15.6us) 0648= 166mhz(15.6us) 0780= 200mhz(15.6us) --------------------- 0908= 100mhz(7.8us) 1032= 133mhz(7.8us) 1168= 166mhz(7.8us) 0016= 200mhz(7.8us) --------------------- 1536= 100mhz(3.9us) 2048= 133mhz(3.9us) 2560= 166mhz(3.9us) 3072= 200mhz(3.9us) --------------------- 3684= 100mhz(1.95us) 4196= 133mhz(1.95us) 4708= 166mhz(1.95us) 0128= 200mhz(1.95us) 如果采用Auto选项，主板BIOS将会查询内存上的一个很小的、名为“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存储了内存条的各种相关工作参数等信息，系统会自动根据SPD中的数据中最保守的设置来确定内存的运行参数。如过要追求最优的性能，则需手动设置刷新周期的参数。一般说来，15.6us适用于基于128兆位内存芯片的内存（即单颗容量为16MB的内存），而7.8us适用于基于256兆位内存芯片的内存（即单颗容量为32MB的内存）。注意，如果tREF刷新周期设置不当，将会导致内存单元丢失其数据。 另外根据其他的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是bit。阵列中的每个bit都能被随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15.6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过同步的RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15.6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15.6?s x2048行=32ms。 如果使用DFI的主板，tREF和tRAS一样，不是一个精确的数值。通常15.6us和3.9us都能稳定运行，1.95us会降低内存带宽。很多玩家发现，如果内存质量优良，当tREF刷新周期设置为3120=200mhz(?.??s)时，会得到最佳的性能／稳定性比。 Write CAS# Latency(tWCL) 可选的设置：Auto，1-8 Write CAS Latency (tWCL)，表示“写指令到行地址控制器延时”。SDRAM内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面。tWCL表示写入的延迟，除了DDRII，一般可以设为1T，这个参数和大家熟悉的tCL（CAS-Latency）是相对的，tCL表示读的延迟。 DRAM Bank Interleave 可选的设置：Enable， Disable DRAM Bank Interleave，表示“DRAM Bank交错”。这个设置用来控制是否启用内存交错式(interleave)模式。Interleave模式允许内存bank改变刷新和访问周期。一个bank在刷新的同时另一个bank可能正在访问。最近的实验表明，由于所有的内存bank的刷新周期都是交叉排列的，这样会产生一种流水线效应。 虽然interleave模式只有在不同bank提出连续的的寻址请求时才会起作用，如果处于同一bank，数据处理时和不开启interleave一样。CPU必须等待第一个数据处理结束和内存bank的刷新，这样才能发送另一个地址。目前所有的内存都支持interleave模式，在可能的情况下我们建议打开此项功能。 对于DFI主板来说，任何情况下该设置都应该是Enable，可以增大内存的带宽。Disable对将减少内存的带宽，但使系统更加稳定。 DQS Skew Control 可选的设置：Auto，Increase Skew，Decrease Skew DQS Skew Control，表示“DQS时间差控制”。稳定的电压可以使内存达到更高的频率，电压浮动会引起较大的时间差（skew），加强控制力可以减少skew，但相应的DQS（数据控制信号）上升和下降的边缘会出现电压过高或过低。一个额外的问题是高频信号会引起追踪延迟。DDR内存的解决方法是通过简单数据选通脉冲来增加时钟推进。 DDRII引进了更先进的技术：双向的微分I/O缓存器来组成DQS。微分表示用一个简单脉冲信号和一个参考点来测量信号，而并非信号之间相互比较。理论上提升和下降信号应该是完全对成的，但事实并非如此。时钟和数据的失谐就产生了DQ-DQS skew。 如下图所示。 对于DFI主板来说，建议设置为Increase Skew可以提升性能，而Decrease Skew在牺牲一定性能的情况下，可以增加稳定性。 DQS Skew Value 可选的设置：Auto，0-255，步进值为1。 当我们开启了DQS skew control后，该选项用来设定增加或减少的数值。这个参数对系统的影响并不很敏感。 对于DFI主板来说，开启"Increase Skew"选项后，可以将该值设为50-255之间的值。值越大，表示速度越快。 DRAM Drive Strength 可选的设置：Auto，1-8，步进值为1。 DRAM Drive Strength（也被称为：driving strength），表示“DRAM驱动强度”。这个参数用来控制内存数据总线的信号强度，数值越高代表信号强度越高，增加信号强度可以提高超频的稳定性。但是并非信号强度高就一定好，三星的TCCD内存芯片在低强度信号下性能更佳。 如果设为Auto，系统通常会设定为一个较低的值。对使用TCCD的芯片而言，表现会好一些。但是其他的内存芯片就并非如此了，根据在DFI NF4主板上调试和测试的结果，1、3、5 、7都是性能较弱的参数，其中1是最弱的。2、4、6、8是正常的设置，8提供了最强的信号强度。TCCD建议参数为3、5或7，其他芯片的内存建议设为6或8。 DFI用户建议设置：TCCD建议参数为3、5、7，其他芯片的内存建议设为6或8。 DRAM Data Drive Strength 可选的设置：Auto，1-4，步进值为1。 DRAM Data Drive Strength表示“DRAM数据驱动强度”。这个参数决定内存数据总线的信号强度，数值越高代表信号强度越高。它主要用于处理高负荷的内存读取时，增加DRAM的驾驭能力。因此，如果你的系统内存的读取负荷很高，则应将该值设置为高(Hi/High)。它有助于对内存数据总线超频。但如果你并没有超频，提升内存数据线的信号强度，可以提高超频后速度的稳定性。此外，提升内存数据总线的信号强度并不能增强SDRAM DIMM的性能。因此，除非你内存有很高的读取负荷或试图超频DIMM，建议设置DRAM Data Drive Strength的值为低(Lo/Low)。 要处理大负荷的数据流时，需要提高内存的驾驭能力，你可以设为Hi或者High。超频时，调高此项参数可以提高稳定性。此外，这个参数对内存性能几乎没什么影响。所以，除非超频，一般用户建议设为Lo/Low。 DFI用户建议设置：普通用户建议使用level 1或3，如果开启了CPC，可能任何高于1的参数都会不稳定。部分用户开启CPC后能运行在3。更多的人关闭CPC后2-4都能够稳定运行。当然最理想的参数是开启CPC后设为level4。 Strength Max Async Latency 可选的设置：Auto，0-15，步进值为1。 Strength Max Async Latency目前还没能找到任何关于此项参数的说明，不知道其功能。感觉网友的经验，在进行Everest的LatencyTest时，可以看出一些差别。在我的BH-6上，参数从8ns到7ns在Latency Test的测试结果中有1ns的区别。从7ns调低6ns后，测试结果又减少了2ns。 DFI主板建议设置：BIOS中的默认值为7ns，建议大家在5-10之间调节。6ns对内存的要求就比较高了，建议使用BH-5和UTT芯片的用户可以尝试一下，但对TCCD不适用。7ns的要求低一些，UTT和BH-5设为7n比较适合超频。8ns对UTT和BH-5就是小菜一碟，8ns时TCCD通常能稳定运行在DDR600，如果想超频到DDR640就必须设为9ns甚至更高了。 Read Preamble Time 可选的设置：Auto，2.0-9.5，步进值为0.5。 Read Preamble Time这个参数表示DQS（数据控制信号）返回后，DQS又被开启时的时间间隔。Samsung早期的显存资料显示，这个参数是用以提升性能的。DQS信号是双向的，无论从图形控制器到DDR SGRAM还是从DDR SGRAM到图形控制器都起作用。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值设置为Auto时，实际上此时执行的是默认值5.0。建议大家在4.0-7.0之间调节，该值越小越好。 Idle Cycle Limit 可选的设置：Auto，0-256，无固定步进值。 Idle Cycle Limit这个参数表示“空闲周期限制”。这个参数指定强制关闭一个也打开的内存页面之前的memclock数值，也就是读取一个内存页面之前，强制对该页面进行重充电操作所允许的最大时间。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值设置为Auto时，实际上此时执行的是默认值256。质量好的内存可以尝试16-32，华邦（WINBOND）BH-5颗粒的产品能稳定运行在16。Idle Cycle Limit值越低越好。 Dynamic Counter 可选的设置：Auto， Enable， Disable。 Dynamic Counter这个参数表示“动态计数器”。这个参数指定开启还是关闭动态空闲周期计数器。如果选择开启（Enable），则会每次进入内存页表(Page Table)就强制根据页面冲突和页面错误(conflict/page miss：PC/PM)之间通信量的比率而动态调整Idle Cycle Limit的值。这个参数和前一个Idle Cycle Limit是密切相关的，启用后会屏蔽掉当前的Idle Cycle Limit，并且根据冲突的发生来动态调节。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值设置为Auto和关闭和一样的。打开该设置可能会提升性能，而关闭该设置，可以使系统的更稳定。 R/W Queue Bypass 可选的设置：Auto，2x，4x，8x，16x。 R/W Queue Bypass表示“读／写队列忽略”。这个参数指定在优化器被重写及DCI (设备控制接口：Device Control Interface)最后一次的操作被选定前，忽略操作DCI的读/写队列的时间。这个参数和前一个Idle Cycle Limit是相类似，只是优化器影响内存中的读／写队列。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值默认为16x。如果你的系统稳定，则保留该值。但如果不稳定，或者要超频，就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。该值越大，则说明系统性能越强，该值越小，则会是系统越稳定。 Bypass Max 可选的设置：Auto， 0x-7x， 步进值为1。 Bypass Max表示“最大忽略时间”。这个参数表示优化器选择否决之前，最后进入DCQ（Dependence Chain Queue）的可以被优化器忽略的时间。仔细研究后，我觉得这个参数会影响内存到CPU内存控制器的连接。 DFI主板建议设置：BIOS中的该值默认为7x。建议4x或7x，两者都提供了很好的性能及稳定性。如果你的系统稳定，则保留该值。但如果不稳定，或者要超频，就只有降低到8x甚至更低的4x或2x。该值越大，则说明系统性能越强，该值越小，则会是系统越稳定。 32 Byte Granulation 可选的设置：Auto，Disable (8burst)，Enable(4burst)。 32 Byte Granulation表示"32位颗粒化"。当该参数设置为关闭(Disable)时，就可以选择突发计数器，并在32位的数据存取的情况下，最优化数据总线带宽。因此该参数关闭后可以达到最佳性能的目的。 DFI主板建议设置：绝大多数情况下，建议选择Disable(8burst)选项。开启Enable (4burst)可以使系统更稳定一些。

问题一：内存时序怎么看 一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。 在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍： 一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表： mand Per Clock(CPC) 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 mand Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM mand Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。 CAS Latency Control(tCL) 可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，......>> 问题二：内存时序里面的时钟是什么意思 数值怎么看 越大越好还是越小越好？ 我的这内存如何？ 10分 里面的时钟表示时钟个数，DDR3没个时钟的时间是1.25ns, 13个时钟就是延迟16.25ns。 所以这个值是越小越好。 你的是DDR3 32GB 1866Mhz的内存 1866的内存里面的几个默认关键值是CL-TRCD-TRP(13-13-13)， 所以你的内存只能说是符合标准，优秀不优秀要用软件测性能 问题三：内存时序怎么调节？ 应该是前4项为11-11-11-30 你现在使用的时序已经优于默认时序。 可以到bios中进行向下憨调。如果蓝屏死机，则向上调整直到稳定。 问题四：CPUZ怎么看内存时序 你能用cpu-z看你机子正在用这两根内存条，说明它们是兼容的。而且它们运行在同一频率上，他们的CAS和RAS是一样，你可以看Memory选项，那是两根内存运行时的频率及CAS、RAS等等。你上面描述的应该是两根内存条的SPD信息 问题五：内存时序怎么看 9-9-9-24的好呗，频率越高时序越低的越好。但不是绝对的，比如三星30nm黑武士默认时序也是11-11-11-30，但普遍可超2133，有些9-9-9-24的都办不到 用cpu-z 点spd选项卡就可以查看！ 问题六：内存条的时序怎么看 到网上下个叫：CPU-Z的工具（网上大把的），里面有个内存这一栏，在那可以看的到 问题七：电脑内存大小频率时序参数怎么看 可以使用cpuz或者aida64等工具查看内存参数 问题八：会看内存条时序的进来帮我看看，小白不会看 你的内存是1866的频率的，你现在运行在1600的频率下，可以进BIOS手动调节到1866 问题九：为什么CPUZ里看的内存时序和我用的不一样 前者可以工作在三种不同的外频下,后者只能在一种外频下. 问题十：内存时序怎么看 用CPU－Z可以看到。 在BIOS里，你让内存by spd或auto，也就是自动设置，也可以看到。

延时自然是越低越好,内存体质的好坏是可以查的,去摆渡之类的搜一下就会搜到编号多少到多少的内存颗粒是极品,如果你碰上极品了那happy一下,超频去,要不别打时序的主义,换点别的方式超频交流群:2036011

华硕410主板内存更改时序步骤如下:在BIOS中打开手动设置。在BIOS设置中找到DRAMTimingSelectable。BIOS设置中可能出现的其他描述有,AutomaticConfiguration,Auto,TimingSelectable,TimingConfiguringBySPD等,将其值设为Menual(视BIOS的不同可能的选项有:On/Off或Enable/Disable)。内存是根据行和列寻址的,当请求触发后,最初是tRAS。

分类: 电脑/网络 >> 硬件 解析: 内存时序分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，具体为： CAS(Column Address Strobe) Latency：列地址选通脉冲延迟时间，即SDRAM内存接收到一条数据读取指令后要延迟多少个时钟周期才执行该指令。这个参数越小，内存的反应速度越快，可以设置为2.0、2.5、3.0。我们一般简称其为CL值。 RAS-to-CAS delay（tRCD）：从内存行地址转到列地址的延迟时间。即从SDRAM行地址选通脉冲(RAS，Row Address Strobe)信号转到列地址选通脉冲信号之间的延迟周期，也是从1～15可调节，越小越快。 Row-precharge delay（tRP）：内存行地址选通脉冲信号预充电时间。调节在刷新SDRAM之前，行地址选通脉冲信号预充电所需要的时钟周期，从1～7可调，越小越快。 Row-active delay（tRAS）：内存行地址选通延迟时间，供选择的数值有1～15，数值越小越快。 内存时序越低，内存的性能也就越好!

内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式，分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数，也就是tRAS和CMD(Command缩写)，是其中较复杂的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识有一些错误，因为部分内存厂商直接用它们来代表内存性能。因为不同频率的内存的价格相差并不是很大，除了那些发烧级产品。从长远的目光来考虑，我们建议大家尽量购买高频率的内存产品。这样或许你将来升级CPU时可以节省一笔内存费用，高频率的内存都是向下兼容的。例如如果购买了PC3200400MHz的内存，标明的CAS延迟是2.5。如果你实际使用时把频率降到333MHz，通常情况下CAS延迟可以达到2。一般而言,想要保持内存在一个高参数,如果不行可以采取降低频率的方法。但对处理器超频时，都会要求较高的总线速度，此时的瓶颈就在内存系统上，一般只有靠牺牲高参数来保持内存频率和CPU的外频同步。这样可以得到更大的内存带宽，在处理大量数据时就能明显的从中获益，例如数据库操作，Photoshop等。

内存时序来到了36-38-38-84，频率稳定在5200MHz。此时内存延迟降低到81.3ns

问题一：内存时序怎么看 一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。 在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍： 一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表： mand Per Clock(CPC) 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 mand Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM mand Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。 CAS Latency Control(tCL) 可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，......>> 问题二：内存时序里面的时钟是什么意思 数值怎么看 越大越好还是越小越好？ 我的这内存如何？ 10分 里面的时钟表示时钟个数，DDR3没个时钟的时间是1.25ns, 13个时钟就是延迟16.25ns。 所以这个值是越小越好。 你的是DDR3 32GB 1866Mhz的内存 1866的内存里面的几个默认关键值是CL-TRCD-TRP(13-13-13)， 所以你的内存只能说是符合标准，优秀不优秀要用软件测性能 问题三：内存时序怎么调节？ 应该是前4项为11-11-11-30 你现在使用的时序已经优于默认时序。 可以到bios中进行向下憨调。如果蓝屏死机，则向上调整直到稳定。 问题四：CPUZ怎么看内存时序 你能用cpu-z看你机子正在用这两根内存条，说明它们是兼容的。而且它们运行在同一频率上，他们的CAS和RAS是一样，你可以看Memory选项，那是两根内存运行时的频率及CAS、RAS等等。你上面描述的应该是两根内存条的SPD信息 问题五：内存时序怎么看 9-9-9-24的好呗，频率越高时序越低的越好。但不是绝对的，比如三星30nm黑武士默认时序也是11-11-11-30，但普遍可超2133，有些9-9-9-24的都办不到 用cpu-z 点spd选项卡就可以查看！ 问题六：内存条的时序怎么看 到网上下个叫：CPU-Z的工具（网上大把的），里面有个内存这一栏，在那可以看的到 问题七：电脑内存大小频率时序参数怎么看 可以使用cpuz或者aida64等工具查看内存参数 问题八：会看内存条时序的进来帮我看看，小白不会看 你的内存是1866的频率的，你现在运行在1600的频率下，可以进BIOS手动调节到1866 问题九：为什么CPUZ里看的内存时序和我用的不一样 前者可以工作在三种不同的外频下,后者只能在一种外频下. 问题十：内存时序怎么看 用CPU－Z可以看到。 在BIOS里，你让内存by spd或auto，也就是自动设置，也可以看到。

重要。时序对内存性能的影响是最明显的，在这四组数字中，第四组有时会被忽略。总的来说这几个数字就代表着内存的延迟时间，一般数字越小越好。

内存时序与内存的读取速度息息相关，不过相信大部分人都不知道内存时序其实是可以手动调的，那么内存时序怎么调呢，其实我们只要在bios设置里就可以调节了。 内存时序怎么调： 1、首先重启电脑，在logo界面按下热键进入bios设置。【热键大全】 2、进入后，找到“高级选项”进入，这里是“advanced chipset feature” 3、进入后，先将“DRAM Timing Selectable”改为“manual” （这里的选项可能会不一样，尽量找带time或timing的；后面可以改成on或者enabled） 4、开启时序调整后，下面会多出来4个选项就是内存时序了。 5、依次选择这些内存时序更改就可以了，改完之后记得保存。 其实现在的内存都是没有必要手动调节时序的，它会自动调节。

延迟越低，速度越快。一般内存是频率越高，延迟越大。威刚红色威龙DDR2 800+ CL4-4-4-12，标是这样标的，但一般在800M频率都是在5-5-5-15，在667M时有可能4-4-4-12。芝奇DDR2 800 CL5-5-5-15应该这个好。我用的金邦黑龙条DDR2 800，是为数不多的800M频率时序为4-4-4-12的内存。内存好不好，关键看颗粒，目前用镁光颗粒的内存最好。

内存时序可以调低。如果蓝屏死机，可以到bios中进行向下微调，则将内存延时设置在较低的水平。简单说从主板BIOS里面调，找到内存的设置，把参数调低，内存频率与时序是互相制约的，频率越高时序延迟也相应增加，不然就会失败，会很容易找到内存时序的，然后依次改。调内存条时序是检验内存条优劣的试金石，一般不会缩短内存条寿命。内存最佳时序高频高时序好，同频低时序好，1600跟1866肯定选第二个，既稳定又强大，高频低时序当心挂，其实在容量为尊的时代，时所谓的时序，就是刷新内存的间隙，因为内存是易失性存储设备，需要不同的为内存的记忆单元充电保持数据。一般的，不加压，高时序，时序对性能影响极小，1866得着不住的，硬来会牺牲，时序911927还算不错的，如果能达到24就更好了，性能比ddr42133还强一些，一般数字，A-B-C-D，分别对应的参数：CL-tRCD-tRP-tRAS。

1.F12进入BIOS,在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。2.BIOS设置中可能出现的其他描述有,Automatic Configuration,Auto,Timing Selectable,Timing Configuring By SPD等,将其值设为“Menual”(视BIO...3.内存是根据行和列寻址的,当请求触发后,最初是tRAS。4.预充电后,内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后,RAS(Row Address Strobe )开始进行需要数据的寻址。

内存时序越低性能越好 不过内存频率越高的话相应的时序也就会越高同频率的情况下时序越低越好

一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。 　　在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍：　　一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置　　首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：　　Command Per Clock(CPC)　　可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。　　Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。　　显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。　　该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。　　CAS Latency Control(tCL) 　　可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。　　一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。　　CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。　　内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。　　这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。　　该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。 　　RAS# to CAS# Delay(tRCD)　　可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。　　该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。　　如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。　　Min RAS# Active Timing(tRAS)　　可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。　　该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS# Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－10之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。　　如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。　　如果使用DFI的主板，则tRAS值建议使用00，或者5-10之间的值。　　Row Precharge Timing(tRP)　　可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。　　该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。　　tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。　　如果使用DFI的主板，则tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。　　Row Cycle Time(tRC) 　　可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。　　Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。　　其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。　　在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。　　Row Refresh Cycle Time(tRFC)　　可选的设置：Auto，9-24，步幅值1。　　Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。　　如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是内存超频建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。　　Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD)　　可选的设置：Auto， 0-7，每级以1的步幅递增。　　Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行单元到行单元的延时"。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。　　延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。　　如果使用DFI的主板，则tRRD值为00是最佳性能参数，4超频内存时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。　　Write Recovery Time(tWR)　　可选的设置：Auto，2，3。　　Write Recovery Time (tWD)，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。　　如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2；如果使用DDR333或DDR400，则将tWD值设为3。如果使用DFI的主板，则tWR值建议为2。　　Write to Read Delay(tWTR)　　可选的设置：Auto，1，2。　　Write to Read Delay (tWTR)，表示“读到写延时”。三星公司称其为“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。　　tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加tWTR值，可以让内容模块运行于比其默认速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR值设为1；如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的值设为1，如果系统不稳定，则改为2。　　Refresh Period(tREF)　　可选的设置：Auto， 0032-4708，其步进值非固定。　　Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指内存模块的刷新周期。　　先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期(单位：微秒，即：一百万分之一秒)。?号在这里表示该刷新周期尚无对应的准确数据。　　1552= 100mhz　　2064= 133mhz　　2592= 166mhz　　3120= 200mhz　　---------------------　　3632= 100mhz　　4128= 133mhz　　4672= 166mhz　　0064= 200mhz　　---------------------　　0776= 100mhz　　1032= 133mhz　　1296= 166mhz　　1560= 200mhz　　---------------------　　1816= 100mhz　　2064= 133mhz　　2336= 166mhz　　0032= 200mhz　　---------------------　　0388= 100mhz(15.6us)　　0516= 133mhz(15.6us)　　0648= 166mhz(15.6us)　　0780= 200mhz(15.6us)　　---------------------　　0908= 100mhz(7.8us)　　1032= 133mhz(7.8us)　　1168= 166mhz(7.8us)　　0016= 200mhz(7.8us)　　---------------------　　1536= 100mhz(3.9us)　　2048= 133mhz(3.9us)　　2560= 166mhz(3.9us)　　3072= 200mhz(3.9us)　　---------------------　　3684= 100mhz(1.95us)　　4196= 133mhz(1.95us)　　4708= 166mhz(1.95us)　　0128= 200mhz(1.95us)　　如果采用Auto选项，主板BIOS将会查询内存上的一个很小的、名为“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存储了内存条的各种相关工作参数等信息，系统会自动根据SPD中的数据中最保守的设置来确定内存的运行参数。如过要追求最优的性能，则需手动设置刷新周期的参数。一般说来，15.6us适用于基于128兆位内存芯片的内存（即单颗容量为16MB的内存），而7.8us适用于基于256兆位内存芯片的内存（即单颗容量为32MB的内存）。注意，如果tREF刷新周期设置不当，将会导致内存单元丢失其数据。　　另外根据其他的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是bit。阵列中的每个bit都能被随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15.6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过同步的RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15.6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15.6?s x2048行=32ms。

内存时序 一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。 在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍： 一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表： Command Per Clock(CPC) 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。 CAS Latency Control(tCL) 可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。 内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。 该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。 RAS# to CAS# Delay(tRCD) 可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。 该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。 如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。 Min RAS# Active Timing(tRAS) 可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。 该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS# Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－10之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。 如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。 如果使用DFI的主板，则tRAS值建议使用00，或者5-10之间的值。 Row Precharge Timing(tRP) 可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。 该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。 tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。如果使用DFI的主板，则tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。 Row Cycle Time(tRC) 可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。 Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。 其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。 在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。 Row Refresh Cycle Time(tRFC) 可选的设置：Auto，9-24，步幅值1。 Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。 如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是内存超频建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。 Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD) 可选的设置：Auto， 0-7，每级以1的步幅递增。 Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行单元到行单元的延时"。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。 延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。 如果使用DFI的主板，则tRRD值为00是最佳性能参数，4超频内存时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。 Write Recovery Time(tWR) 可选的设置：Auto，2，3。 Write Recovery Time (tWD)，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。 如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2；如果使用DDR333或DDR400，则将tWD值设为3。如果使用DFI的主板，则tWR值建议为2。

1、内存时序（英语：Memorytimings或RAMtimings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。2、第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Commandrate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。

ddr3内存第二时序设置的方法如下：1、SDRAM行刷新周期时间，该数值对内存带宽影响较大，通常设置为60，放宽该参数可适当提升内存超频频率，如当DDR3内存超频到2000MHz以上频率是，建议该数值放宽到88或以上。2、写恢复延时，该数值轻微影响内存带宽，通常该参数设置8-12左右即可。3、内存预充电时间，通常设置8-12之间。4、该选项通常设置为Auto即可，对性能以及稳定性影响不大。

电脑配了吗，没配直接配个rog全家桶方便省事

9-9-9-24的好呗，频率越高时序越低的越好。但不是绝对的，比如三星30nm黑武士默认时序也是11-11-11-30，但普遍可超2133，有些9-9-9-24的都办不到

1、首先，在官网下载AIDA64并安装，在网上查找序列号或算号zhidao器输入序列号完成许可。打开AIDA64。2、单击打开主板分支。有两个与内存相关的面板：内存和SPD。内部专用内存面板仅显示物理内存、总虚拟内存和使用情况等信息。3、在SPD面板，显示内存的硬件信息。如果是多内存，在设备描述里面切换内存条，下面显示内存型号，制造日期，序列号，存取类型，存取速度属，内存时序等。

内存时序的调节步骤如下：在BIOS中打开手动设置。在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。BIOS设置中可能出现的其他描述有，Automatic Configuration，Auto，Timing Selectable，Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable）。内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS。预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。内存时序，一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。

内存时序的调节步骤如下：在BIOS中打开手动设置。在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。BIOS设置中可能出现的其他描述有，Automatic Configuration，Auto，Timing Selectable，Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable）。内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS。预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。内存时序，一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。

内存的时序是由频率决定的，频率越高，时序越高，相对性能越底，ddr3比ddr2时序高也就是因为频率更高的缘故

自动。内存时序模式是电脑进行储存的一种模式。1、连接需要手动保存，而自动可以自动保存，更方便。2、连接占运行内存是20MB，而自动只占15MB，因此自动好。

内存条时序越低超频能力就越好，不过这是相对于内存条的频率一样来说，3600高于3200有400频率，而且时序18和16差距不大，对于高频率来说稍微超频一下就4000到4266频率，所以要比3200频率更有优势的。在80286主板发布之前，内存没有被世人重视。这个时候的内存直接固化在主板上，容量只有64 ～256KB。对于当时PC所运行的工作程序来说，这种内存的性能以及容量足以满足当时软件程序的处理需要。随着软件程序和新一代80286硬件平台的出现，程序和硬件对内存性能提出了更高要求。为了提高速度并扩大容量，内存必须以独立的封装形式出现，因而诞生了“内存条”的概念。内存条：内存芯片的状态一直沿用到286初期。鉴于它存在着无法拆卸更换的弊病，这对计算机的发展造成了现实的阻碍。有鉴于此，内存条便应运而生了。将内存芯片焊接到事先设计好的印刷线路板上，电脑主板上也改用内存插槽。这样，把内存难以安装和更换的问题彻底解决了。

一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，它们的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上; RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间; RAS Precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间; Row Active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。

时序模式。微星内存时序模式选时序模式。设置项有auto、dct0、dct1、both，默认是auto。auto就是按内存条的spd设置时序。dct0/dct1/both是用户自己设置时序置。dct0是设置通道a。

　　内存条时序看的步骤如下： 　　1、首先假如说现在有两条内存条，这两条内存条的容量和频率都相同，就可以看内存条的时序了，这个时候就可以说时序越低，就越好，就好比，一条CL14,一条CL16，那么肯定就是CL14好。 　　2、其次一般需要给自己电脑加内存条的时候需要先看看自己的电脑原装是DDR几，比如说DDR4比DDR3好很多。 　　3、最后例如8G加8这里显示的是内存8g的容量。一般运行内存，都会先看容量为多少。特别是需要再装一条的时候，一定要看清楚本身电脑的是多少容量的，外加的时候要选相同的内存即可。

1、内存时序（英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。 2、它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。

内存时序的调节方法是：1、在BIOS中打开手动设置。2、在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。3、BIOS设置中可能出现的其他描述有，Automatic Configuration，Auto，Timing Selectable，Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable）。4、内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS。5、预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

问题一：内存时序怎么看 一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。 在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍： 一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表： mand Per Clock(CPC) 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 mand Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM mand Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。 CAS Latency Control(tCL) 可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，......>> 问题二：内存时序里面的时钟是什么意思 数值怎么看 越大越好还是越小越好？ 我的这内存如何？ 10分 里面的时钟表示时钟个数，DDR3没个时钟的时间是1.25ns, 13个时钟就是延迟16.25ns。 所以这个值是越小越好。 你的是DDR3 32GB 1866Mhz的内存 1866的内存里面的几个默认关键值是CL-TRCD-TRP(13-13-13)， 所以你的内存只能说是符合标准，优秀不优秀要用软件测性能 问题三：内存时序怎么调节？ 应该是前4项为11-11-11-30 你现在使用的时序已经优于默认时序。 可以到bios中进行向下憨调。如果蓝屏死机，则向上调整直到稳定。 问题四：CPUZ怎么看内存时序 你能用cpu-z看你机子正在用这两根内存条，说明它们是兼容的。而且它们运行在同一频率上，他们的CAS和RAS是一样，你可以看Memory选项，那是两根内存运行时的频率及CAS、RAS等等。你上面描述的应该是两根内存条的SPD信息 问题五：内存时序怎么看 9-9-9-24的好呗，频率越高时序越低的越好。但不是绝对的，比如三星30nm黑武士默认时序也是11-11-11-30，但普遍可超2133，有些9-9-9-24的都办不到 用cpu-z 点spd选项卡就可以查看！ 问题六：内存条的时序怎么看 到网上下个叫：CPU-Z的工具（网上大把的），里面有个内存这一栏，在那可以看的到 问题七：电脑内存大小频率时序参数怎么看 可以使用cpuz或者aida64等工具查看内存参数 问题八：会看内存条时序的进来帮我看看，小白不会看 你的内存是1866的频率的，你现在运行在1600的频率下，可以进BIOS手动调节到1866 问题九：为什么CPUZ里看的内存时序和我用的不一样 前者可以工作在三种不同的外频下,后者只能在一种外频下. 问题十：内存时序怎么看 用CPU－Z可以看到。 在BIOS里，你让内存by spd或auto，也就是自动设置，也可以看到。

内存条时序看的步骤如下： 1、首先假如说现在有两条内存条，这两条内存条的容量和频率都相同，就可以看内存条的时序了，这个时候就可以说时序越低，就越好，就好比，一条CL14,一条CL16，那么肯定就是CL14好。 2、其次一般需要给自己电脑加内存条的时候需要先看看自己的电脑原装是DDR几，比如说DDR4比DDR3好很多。 3、最后例如8G加8这里显示的是内存8g的容量。一般运行内存，都会先看容量为多少。特别是需要再装一条的时候，一定要看清楚本身电脑的是多少容量的，外加的时候要选相同的内存即可。

问题一：内存时序怎么看 一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。 在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍： 一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置 首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表： mand Per Clock(CPC) 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 mand Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM mand Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。 显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。 该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。 CAS Latency Control(tCL) 可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。 一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。 CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，......>> 问题二：内存时序里面的时钟是什么意思 数值怎么看 越大越好还是越小越好？ 我的这内存如何？ 10分 里面的时钟表示时钟个数，DDR3没个时钟的时间是1.25ns, 13个时钟就是延迟16.25ns。 所以这个值是越小越好。 你的是DDR3 32GB 1866Mhz的内存 1866的内存里面的几个默认关键值是CL-TRCD-TRP(13-13-13)， 所以你的内存只能说是符合标准，优秀不优秀要用软件测性能 问题三：内存时序怎么调节？ 应该是前4项为11-11-11-30 你现在使用的时序已经优于默认时序。 可以到bios中进行向下憨调。如果蓝屏死机，则向上调整直到稳定。 问题四：CPUZ怎么看内存时序 你能用cpu-z看你机子正在用这两根内存条，说明它们是兼容的。而且它们运行在同一频率上，他们的CAS和RAS是一样，你可以看Memory选项，那是两根内存运行时的频率及CAS、RAS等等。你上面描述的应该是两根内存条的SPD信息 问题五：内存时序怎么看 9-9-9-24的好呗，频率越高时序越低的越好。但不是绝对的，比如三星30nm黑武士默认时序也是11-11-11-30，但普遍可超2133，有些9-9-9-24的都办不到 用cpu-z 点spd选项卡就可以查看！ 问题六：内存条的时序怎么看 到网上下个叫：CPU-Z的工具（网上大把的），里面有个内存这一栏，在那可以看的到 问题七：电脑内存大小频率时序参数怎么看 可以使用cpuz或者aida64等工具查看内存参数 问题八：会看内存条时序的进来帮我看看，小白不会看 你的内存是1866的频率的，你现在运行在1600的频率下，可以进BIOS手动调节到1866 问题九：为什么CPUZ里看的内存时序和我用的不一样 前者可以工作在三种不同的外频下,后者只能在一种外频下. 问题十：内存时序怎么看 用CPU－Z可以看到。 在BIOS里，你让内存by spd或auto，也就是自动设置，也可以看到。

TRFC值属于第二小参，表示刷新间隔周期，单位为周期，值越小越好。DDR3内存通常值为90-120。低于80时，可能导致不稳定。CL、tRCD、tRP和tRAS称为第一时序，对颗粒性能的影响最明显，也最重要。首先要内存时序（英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。清楚要使计算机有条不紊地工作，对各种操作信号的产生时间、稳定时间、撤销时间及相互之间的关系都有严格的要求。对操作信号施加时间上的控制，称为时序控制。只有严格的时序控制，才能保证各功能部件组合有机的计算机系统。扩展资料：内存时序的影响因素：当将内存时序转换为实际的延迟时，最重要的是注意是以时钟周期为单位。如果不知道时钟周期的时间，就不可能了解一组数字是否比另一组数字更快。举例来说，DDR3-2000内存的时钟频率是1000 MHz，其时钟周期为1 ns。基于这个1 ns的时钟，CL=7给出的绝对延迟为7 ns。而更快的DDR3-2666（时钟1333 MHz，每个周期0.75 ns）则可能用更大的CL=9，但产生的绝对延迟6.75 ns更短。现代DIMM包括一个串行存在检测（SPD）ROM芯片，其中包含为自动配置推荐的内存时序。PC上的BIOS可能允许用户调整时序以提高性能（存在降低稳定性的风险），或在某些情况下增加稳定性（如使用建议的时序）。注意：内存带宽是测量内存的吞吐量，并通常受到传输速率而非潜伏时间的限制。通过交错访问SDRAM的多个内部bank，有可能以峰值速率连续传输。可能以增加潜伏时间为代价来增加带宽。具体来说，每个新一代的DDR内存都有着较高的传输速率，但绝对延迟没有显著变化，尤其是市场上的第一批新一代产品，通常有着较上一代更长的延迟。即便增加了内存延迟，增加内存带宽也可以改善多处理器或多个执行线程的计算机系统的性能。更高的带宽也将提升没有专用显存的集成显卡的性能。参考资料来源：百度百科-内存时序参考资料来源：百度百科-时序控制

因为内存时序最后一位数小的话代表延迟少、速度快、稳定低。内存时序最后一位数字大代表延迟大、速度慢、稳定高。内存NB频率，越高数值就会对内存的效力就越高。 不过往往提升越高就会不稳定。 频率越高带宽数据就越大。拓展知识：内存时序（英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。　　

C19-19-19-39。4266属于影驰HOF EXTREME系列，其名人堂时序为C19-19-19-39。

1、内存时序（英语：Memorytimings或RAMtimings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。2、它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Commandrate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。

1、内存时序（英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。 2、第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。