ddr内存

分类: 电脑/网络 >> 硬件 解析: sd和DDR都是表示内存。 SD全称是SDRAM，同步动态随机存储器，一般是168线（指的是内存条与主板插槽上的金属触点即俗称金手指有168个），从外观上看，SDRAM有两个凹口，使用电压是3.3V； DDR全称是DDR SDRAM，DOUBLE DATA RATE SDRAM——即双倍速率同步动态随机存储器，一般是184线，从外观上看，区别于SDRAM是只有一个凹口，使用电压2.5V。 光从名称上看也知道，双倍速率肯定就是速度要快一倍了。不过现在攒机很多都用DDR2了

SD 三个缺口，DDR，一个缺口

Double Data Rate,也就是双倍数据传输速度

金手指（插口）上有缺口的是DDRddr的速度快啊

1、SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。与系统总线速度同步，也就是与系统时钟同步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。SDRAM采用3.3伏工作电压，168Pin的DIMM接口，带宽为64位。SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见。2、PSRAM具有一个单晶体管的DRAM储存格，与传统具有六个晶体管的SRAM储存格或是四个晶体管与two-load resistor SRAM 储存格大不相同，但它具有类似SRAM的稳定接口，内部的DRAM架构给予PSRAM一些比low-power 6T SRAM优异的长处，例如体积更为轻巧，售价更具竞争力。目前在整体SRAM市场中，有90%的制造商都在生产PSRAM组件。在过去两年，市场上重要的SRAM/PSRAM供货商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron与Toshiba等。 编辑本段PSRAM与SRAM的比较：基本原理　　PSRAM就是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似，但外部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。 容量　　PSRAM容量有4Mb,8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量没有SDRAM那样密度高，但肯定是比SRAM的容量要高很多的，速度支持突发模式，并不是很慢，Hynix，Fidelix,Coremagic, WINBOND .MICRON. CY 等厂家都有供应，价格只比相同容量的SDRAM稍贵一点点，比SRAM便宜很多。 编辑本段主要应用　　PSRAM主要应用于手机，电子词典，掌上电脑，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消费电子产品与SRAM(采用6T的技术)相比,PSRAM采用的是1T+1C的技术,所以在体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。目前智能手机基本采用256MB以上的PSRAM，很多采用512MB。比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品是一个理想的选择。 编辑本段目前发展现状：　　东芝(Toshiba)、NEC Electronics和富士通(Fujitsu)三家公司日前共同提出PSRAM (Pseudo Static Random Access Memory)第四版的标准接口规范，也称之为CSOMORAM Rev. 4 (COmmon Specifications for MObile RAM)是用于移动RAM的通用规范。三家公司将各自生产与销售自家产品，产品最快可在2007年3月推出。上述三家公司在1998年9月首次提出通用规范，将堆栈多芯片封装(MCP)通用接口规范共享给包括闪存和SRAM在内的移动设备。随后，他们在2002、2003和2004年分别对其进行了修订，增加了页面模式和突发模式等规格。COSMORAM Rev. 4为Pseudo SRAM增加了双速率突发(DDR突发)模式。3、SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，且功耗较大。所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。4、PRAM是韩国三星公司推出的一款存储器，相比普通的DRAM和闪存，PRAM具有高速低功耗的特点。如果发展顺利的话，预计PRAM将从2007年起逐步取代闪存，成为下一代存储器产品中的主导力量。 PRAM内存可在芯片供电中断时保存数据，与普通闪存的工作原理相同。但PRAM写入数据的速度要比闪存块30倍，其寿命周期也将至少提高十倍。 　　ITRI可能不是第一家销售PRAM内存产品的商家。全球最大芯片制造商三星公司在去年发布了512MB新内存原型，并有望在明年早些时候上市销售。但ITRI其他公司有可能以更大的内存容量和不同功能来击败三星。 　　其他芯片制造商也在积极开发相变内存，其中有英特尔公司、IBM公司、Qimonda公司、意法半导体公司、Hynix半导体公司和Ovonyx。 　　台积电和ITRI也在开发磁性随机储存内存技术（MRAM)，双方已经获得了与此有关的40多项专利。台积电有可能在明年底或2009年早期向客户销售MRAM。 　　新芯片运用了 "垂直电极" 及 "3D 晶体管结构" 两项技术，让芯片的尺寸缩小，同时在写入新数据时，也不必先将旧资料复写。着眼于 Samsung 日前发表的 32GB NAND 内存还是属于 40 奈米制程，就长期来看，PRAM 也将比 NAND 更省成本。 　　IBM 和几家内存模块大厂合作，包括 Qimonda AG、台湾的旺宏电子（Macronix International），在固态内存（non-volatile memory）上头，有了相当大的进展。 　　PRAM（Phase-Change RAM），这个在将来的将来可能取代闪存（将来用来取代传统硬盘）的男人，不仅仅是在 Samsung 的大本营默默的蛰伏，以 IBM 为首的研究团队，更是在速度上硬是压下了 Samsung 先前发表的 30x 读写速度，一举推到了 500x ~ 1000x，并且电力也只需要ㄧ半，寿命（重复写入的次数）也大大的延长（以上皆是相较于一般闪存）,IBM还是强大啊,硬盘到PRAM一路都是IBM在唱主角.

FPM内存 FPM是Fast Page Mode（快页模式）的简称，是较早的PC机普遍使用的内存，它每隔3个时钟脉冲周期传送一次数据。现在早就被淘汰掉了。 EDO内存 EDO是Extended Data Out（扩展数据输出）的简称，它取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔，每隔2个时钟脉冲周期传输一次数据，大大地缩短了存取时间，使存取速度提高30％，达到60ns。EDO内存主要用于72线的SIMM内存条，以及采用EDO内存芯片的PCI显示卡。这种内存流行在486以及早期的奔腾计算机系统中，它有72线和168线之分，采用5V工作电压，带宽32 bit，必须两条或四条成对使用，可用于英特尔430FX/430VX甚至430TX芯片组主板上。目前也已经被淘汰，只能在某些老爷机上见到。 SDRAM内存 SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随机存储器）的简称，是前几年普遍使用的内存形式。SDRAM采用3.3v工作电压，带宽64位，SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与 EDO内存相比速度能提高50％。SDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储体或阵列访问数据时，另一个就已为读写数据做好了准备，通过这两个存储阵列的紧密切换，读取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不仅可用作主存，在显示卡上的显存方面也有广泛应用。SDRAM曾经是长时间使用的主流内存，从430TX芯片组到845芯片组都支持SDRAM。但随着DDR SDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市场。 RDRAM内存 RDRAM是Rambus Dynamic Random Access Memory（存储器总线式动态随机存储器）的简称，是Rambus公司开发的具有系统带宽、芯片到芯片接口设计的内存，它能在很高的频率范围下通过一个简单的总线传输数据，同时使用低电压信号，在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。最开始支持RDRAM的是英特尔820芯片组，后来又有840，850芯片组等等。RDRAM最初得到了英特尔的大力支持，但由于其高昂的价格以及Rambus公司的专利许可限制，一直未能成为市场主流，其地位被相对廉价而性能同样出色的DDR SDRAM迅速取代，市场份额很小。 DDR SDRAM内存 DDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory（双数据率同步动态随机存储器）的简称，是由VIA等公司为了与RDRAM相抗衡而提出的内存标准。DDR SDRAM是SDRAM的更新换代产品，采用2.5v工作电压，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度，并具有比SDRAM多一倍的传输速率和内存带宽，例如DDR 266与PC 133 SDRAM相比，工作频率同样是133MHz，但内存带宽达到了2.12 GB/s，比PC 133 SDRAM高一倍。目前主流的芯片组都支持DDR SDRAM，是目前最常用的内存类型。

记忆科技多为品牌机配装内存（联想 惠普），DIY市场上比较少见。镁光(Micron)是世界第二大内存颗粒制造商) 产品是相当好的。两条内存加上后不出现死机蓝屏，兼容就基本没有什么问题。

双数据传输模式

DDR是一种继SDRAM后产生的内存技术，DDR，英文原意为“DoubleDataRate”，顾名思义，就是双数据传输模式。之所以称其为“双”，也就意味着有“单”，我们日常所使用的SDRAM都是“单数据传输模式”，这种内存的特性是在一个内存时钟周期中，在一个方波上升沿时进行一次操作(读或写)，而DDR则引用了一种新的设计，其在一个内存时钟周期中，在方波上升沿时进行一次操作，在方波的下降沿时也做一次操作，之所以在一个时钟周期中，DDR则可以完成SDRAM两个周期才能完成的任务，所以理论上同速率的DDR内存与SDR内存相比，性能要超出一倍，可以简单理解为 100MHZ DDR=200MHZ SDR。DDR内存采用184线结构，DDR内存不向后兼容SDRAM，要求专为DDR设计的主板与系统。 它区别于SD内存，比SD内存快一倍。 现在又出了新的内存DDR2。

DDR(Double Data Rate)：双数据速率；DIMM(Dual In-line Memory Module)：双面引脚内存；就象我们越来越熟悉Rambus和PC133一样，一个新的名词DDR出现在我们面前。我们经常被问到："什么是DDR？"简单的回答就是"双数据速率同步DRAM。它以两倍的速度传输数据。"那么，它意味着什么呢？DDR的历史在1997年，我们在JEDEC存储器会议上第一次看到了配备DDR内存的PC。那时，DDR内存只由Samsung制造和推广。主板上的芯片组是DDR可选的VIA M3。其数据传输速率是150Mhz。不幸的是，此主板只工作了两个小时。虽然第一块带有DDR内存的主板工作的并不很好，但是它给了半导体界足够的信心去继续发展DDR的商业产品。DDR存储器协会和任务组的目的就是继续优化DDR存储器结构。同时，Rambus内存也在此时出现来参与竞争。什么是DDR？DDR非常类似常规的同步DRAM，不象Rambus是基于数据包概念工作的。普通的同步DRAM（我们称之为SDR）是从标准DRAM演化而来的。标准DRAM接收两个字的地址命令。它以复用方式节省输入管脚。第一个地址字由行地址选通信号（RAS）存贮在DRAM芯片中。随后是列地址选通信号（CAS）以存贮第二个地址字。紧接着Ras和Cas选通，所存储的数据就可以被读取了。SDRAM将时钟加入到标准DRAM的之中。它的Ras 、Cas和数据有效都发生在每个时钟周期的上升沿。由于时针周期，数据的位置和其它的信号都可以被预测。因此，数据读取指针就可以被非常精确的定位。因为数据的有效窗口很容易被预知，所以内存也被分为四个存储体以便内部单元预充电和预读取。同时，它还可以用突发模式进行连续地址读取而不必重复Ras选通信号。只需用连续的Cas选通信号就可以把同一行中的数据顺序读出。除了数据在时钟的上升沿和下降沿都可以读取以外，DDR内存的工作模式与SDR很相似。因此，单一时钟频率可以使数据传输的速率两倍于时钟频率。新一代的DDR内存将工作在200 Mhz和266 Mhz的数据速率。DDR DRAM的设计第一代的DDR内存（通常称为DDR 1）有很多新特性。它的标准是4个内部存储体以减少时延（随机存取访问的建立时间）。 它的双数据传输结构是2倍的预读取设计，可以在每个时钟周期内传输2 个数据字。 DQS指针在读周期由DDR发送，而在写周期由控制器发送，它应用于对齐数据。输入输出数据均参照DQS信号。 DDR DRAM以差动时钟信号工作，以使噪音干扰最小。 突发（连续数据输出）模式可以被编程为2、4或8个突发长度。 芯片中包括一个DLL（数据琐向环）以帮助锁定和调整内部时钟。 I/O接口工作在2.5V的SSTL-2 Class Ⅱ及Vref参考电压。 一些早期的DDR产品工作在3.3V的VDD电压，当低电压技术成熟时，它最终将改变成2.5V，以达到节能的目的。机械封装标准的DDR SDRAM使用66pin 400mil TSOP封装，类似于标准SDRAM封装。管脚间距为0.65mm。这使得它可以适用于常规的PCB装配板，而无需特殊的组装设备。64Mbit芯片、128 Mbit芯片、256 Mbit芯片和512 Mbit堆积式芯片是管脚兼容设计，这样可方便地应用统一的DIMM PCB。DDR模块和选项标准的DDR内存条是184 pin DIMM。它很象标准的168 pin SDRAM DIMM，只是用了一个凹槽而不是SDR上的2个凹槽。组件的长度也是5.25英寸以节省宝贵的主板空间。标准化协会定义了两种不同配置的DDR内存条。第一种是无缓冲DDR DIMM，它成本低，可应用在PC和Internet设备上。第二种是缓冲DDR DIMM，它将板上PLL与缓存结合在一起，应用于较高存储密度的服务器应用。DDR的设计中还包括了可用于内存条上FET开关的可选控制信号。这种设计用于高存储密度工作站中存储器输出的噪声隔离。工业标准也规定了贮存在EEPROM芯片中的特定的SPD。将来会出现支持特殊市场的200针SODIMM模块和232针模块，无论怎样，基本特点和功能是相同的。DDR的价格谈到价格，DDR在开始阶段会比SDR高10%~15%，然而，由于几乎相同的晶片(DIE)尺寸和结构，很快就会实现价格齐平。我们会发现存储器厂商会将 DDR和SDR设计 在相同的晶片上 。那时，价格差异将非常小。至于DDR模块，由于无需特殊的组装与测试设备，184针非缓冲模块的出厂价和销售价都会相对较低，额外售价会对缓冲模块和特殊配置模块收取。结语由于DDR是具有突出性能和低价格的演进产品，计算机行业会很快采用它。从今夏至2003年，它都会在业界盛行，直至下一代存储器出现。

正常，因为是双通道，所以只相当于标称的一半。

没有CDR的内存．哪个是SD．区别一楼的说的很清楚了。

ddr内存是什么DDR内存（DoubleDataRate内存）是一种常用的计算机内存类型。它与传统的SDR（SingleDataRate）内存相比，能够在同一时钟周期内传输两次数据，因此具有更高的数据传输率。DDR内存通常用于个人电脑和服务器，并且持续演进，如DDR2，DDR3，DDR4等。

　　关于DDR内存的意思，计算机专业术语名词解释 　　DDR(Dual date rate) SDRAM 称为"双倍速率SDRAM"，在133MHz的前端总线频率下，带宽可达2.128GB/S。它的工作原理是其能在控制时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输(而SDRAM只在控制时钟的下降沿进行数据传输)，因此在一次控制信号过程中，DDR SDRAM能进行两次的数据交换，这也就是它为什么又如此高的带宽。

以前联想品牌机里面用的条子噢现在老古董了　但值不了几个钱哟20块一根甩看有人捡不

目前 DDR4 内存条的市场价格相较于去年同期略有上涨，但价格波动较大，不同品牌和型号的价格有较大差异。一般而言，DDR4 8GB内存条的价格在200元左右，16GB内存条的价格在400元左右，32GB内存条的价格在1000元左右。但这些价格可能会受到市场供求、产品品牌、型号、性能等多种因素的影响，因此具体价格可能有所不同。在挑选DDR4内存条时，建议首先考虑自己的需求，比如需要多大容量的内存、需要何种频率的内存等。同时，建议选择知名品牌的内存条，如海盗船、芝奇、美商海盗船、金士顿等，这些品牌的内存条一般都有比较好的质量和稳定性，并且提供售后服务。另外，需要根据自己的主板和处理器选择相应的内存条型号和频率，确保内存条与主板和处理器的兼容性。

ding yi lou

内存测试软件组合(1)兼容性和稳定性测试:SiSoftSandraPro为了测试内存条工作时的稳定性，我们选用SiSoftSandraPro2004中的“Burnin”测试项运行100次CPUBenchmark、QuakeIIIArenaDemo001和SuperPI中的104万位计算，作为内存稳定的标准，全部通过认定为稳定，并且用SiSoftSandraPro2004中的MemoryBenchmark、SuperPI和MemTach来测试每种情况下的性能变化。测试中，内存电压可设为默认值，全部参数按照“AUTOBYSPD”设置不加任何改变。同时，还可以尝试一些具有代表性的主板，包括EPOX887A+、MSIKT3、ASUSA7V226-E、A7V333、EPOX8RDA、LEADTEK等，如果容量识别正确，则运行测试通过。(2)标准工作频率下的性能测试:Memtach可以选用Memtach测试软件，它可以对内存在各种情况下的应用进行详细的性能测试并给出详细的结果。虽然它只是一款用来模拟理想环境下性能的测试软件，不过它的测试结果也具有相当的参考价值。

CPU-ZEVEREST尝矗佰匪脂睹拌色饱姬都是极佳的参数检测工具...另外还有内存好坏测试软件mentest86+可以测试内存是否正常.