内存条

　　这款机器支持DDR3L 1600MHz的标准内存，有2个内存插槽，单条最大支持8G内存，共最大支持16G内存。是低电压内存。　　加内存条具体步骤如下：　　1、检查自己的笔记本最大支持多大内存、有几个内存插槽、单个插槽支持的最大内存是多大、内存的工作频率是多少,型号如下图：　　2、买合适的内存条，可以选择实体店购买或者网购。笔者选择便宜又方便的网购，在某网站买了一条十铨牌子1333MHz的4G笔记本内存条。　　3、安装内存条。把电脑背面盖板用螺丝刀拧开，可以看见2个内存插槽，其中一个是空的，这是电脑厂商为客户以后升级内存而预留的。　　4、拿住内存条的两端，沿着45°角推下去，直到推不动为止。　　5、用过指尖轻轻下压，直至两侧卡扣卡住内存条。　　6、开机测试，可以下载鲁大师或者驱动精灵等软件测试。笔者的电脑安装之前是2G内存，加了4G内存后，变成了6G，鲁大师检测为6G，说明安装成功。如果不成功说明购买的内存条笔记本不支持或者系统是32位的，要换成64位系统。　　7、用螺丝刀拧上背面的盖板即可。

看是几代处理器，一般四代处理器的，最高可以升级到16G 5代以上支持到32G甚至更高！

内存条在笔记本的后背。需要拆开后盖，内存条都在底壳，画着一个类似内存图案的地方。

惠普 HP1000NotebookPC能加内存条。1、HP1000系列笔记本有2个内存插槽，如果机器原来有一根内存，是可以再添加一根内存的。2、HP1000系列笔记本通常支持的是DDR3 1600MHz的标准内存，单条最大支持4G内存，2个内存插槽共最大支持8G内存。惠普：惠普公司(Hewlett-Packard Development Company, L.P.，简称HP)总部位于美国加利福尼亚州的帕罗奥多(Palo Alto)，是一家全球性的资讯科技公司，主要专注于打印机、数码影像、软件、计算机与资讯服务等业务。

问题一：惠普电脑的内存条有型号吗？如果有分为哪几种？ 现在比较常见的有DDR和DDR2。个又有各自的工作频率。 标准的DDR SDRAM分为DDR 200，DDR 266，DDR 333以及DDR 400，其标准工作频率分别100MHz，133MHz，166MHz和200MHz，对应的内存传输带宽分别为1.6GB/sec，2.12GB/sec，2.66GB/sec和3.2GB/sec。DDR 266与PC 2100其实就是一回事，只是表述方法不同罢了。 还有SDRAM，RDRAM，DDR3等等 你可以看看这里 baike.baidu/view/1082?wtp=tt 问题二：惠普笔记本内存型号 您好，感谢您选择惠普产品。 1、您这款机器支持DDR3 1333MHz的标准内存，有2个内存插槽，单条最大支持4G内存，共最大支持8G内存。您是可以参考这个信息来升级内存的。 2、有关内存的品牌，并没有具体的要求，最重要的是兼容性。只要兼容性好，机器就能正常运行。 3、惠普机器添加内存没有品牌方面要求，但添加硬件可能会出现不兼容的情况。如果您确认笔记本的原厂备件无法满足现有的工作要求，想要升级备件，为了保证硬件可以兼容使用，推荐您可以尝试联系惠普金牌服务中心咨询升级。有关“价格”情况，请您咨询一下那里的工作人员。如果您需要查询惠普维修中心的联系方式，您可以使用下面的官方链接进行查询：stg.8.hp/...s 温馨提示：如果您到经销商处购买内存，有关价格情况，请您直接咨询一下经销商。建议您可以在购买时事先咨询一下如果内存兼容性不好情况下的退换货问题。 4、另外，由于32bit系统内存寻址方面的限制，安装4G或更高容量内存时只能使用3G左右容量，因此如果添加内存的总容量达到4G或以上，建议您使用64bit系统，以识别更多内存。 希望以上回复能够对您有所帮助。 问题三：惠普服务器内存型号怎么看 可以到惠普官网查询~此外，官网上有客服电话，也可以打免费客服咨询 问题四：HP原装电脑的内存条是什么品牌 品牌机的硬件部分并不来自他自己的品牌 有的可能有部分是自己的 有的自己根本不产 完全买来组装 都这样（你听过HP的cpu 显卡？） 就是同一品牌的同一型号机子 不同批次的同个硬件品牌不同也很正常 这说明不了什么 问题五：我的打印机是惠普的u30fb~~我想知道内存是多少怎么看~~谢谢 你说型号大家应该就知道标准内存是多少了,或者点打印机右键/属性里就能看到 问题六：惠普 elitebook 6930p的内存怎么安装?内存的型号又是什么？ 您好，感谢您选择惠普产品。 这款笔记本最大支持 8GB 内存，有 2 个内存插槽，单条最大支持4 GB。内存型号是：DDR2 PC2-6400 800 Mhz。 拆装的话，内存有两个插槽， 一个在底壳盖板下， 另一个在键盘下，如果您没有拆装经验建议您还是到服务站帮您操作 关于金牌服务中心的联系方式，您可以通过下面的网址选择您所在的省市及所使用的产品类型查询即可： 8.hp/...s 希望以上回复能够对您有所帮助。 问题七：HP6515B的内存条型号是什么的？具体点的信息 您好，感谢您选择惠普产品。 建议您参考下列信息： 1.官方资料显示，6515b笔记本有两个内存插槽，支持DDR2 667MHZ内存，最大内存总量为4G（2G*2）. 温馨提示：32位的操作系统如果安装了4G或者4G以上容量的内存，受到系统本身内存映射访问的局限性，并不会完全的利用到全部容量的内存。如果您想要完全识别4GB或者4G以上容量内存，建议您安装使用64位操作系统。 2.如果您确认机器的原厂备件无法满足现有的工作要求，想要升级备件--为了保证硬件可以兼容使用，推荐您可以尝试联系惠普金牌服务中心咨询添加原厂备件。 您可以通过下面的官方链接进行查询hp金牌服务中心联系方式： 8.hp//zh/support-drivers/esupport/ascpps 3.如果您想要个人进行备件升级，建议您携带机器现场测试备件可以正常使用再进行购买，以免硬件不兼容导致机器无法正常工作（即使是相同品牌，不同批次的内存，也有可能出现兼容性问题）。 希望以上回复能够对您有所帮助。 问题八：惠普笔记本增加内存条 笔记本的升级余地并不高 一般也就是加加内存而已 你加点内存，再顶一年我看没问题 DDR2 667的1G笔记本内存大概150元，2G大概200元，随你选吧 等下有人会教你选同样品牌同样芯片的内存，你叫他帮你买吧 我就只能和你说穿个DDR2 667的内存一般就行了，DDR2 800的也行，什么品牌芯片的，根本无法计较的 问题九：惠普 450 4G 内存条的型号 您好，感谢您选择惠普产品。 惠普hp450笔记本使用的是DDR3 1600MHz 参数内存，笔记本有两个内存插槽，每个插槽最大支持4G容量，您最大可以添加一个4G内存使用。 硬件添加存在兼容性的影响，因为硬件兼容性方面目前没有一个可以确定的方法, 若自己添加的话，建议您到内存经销商处当场添加，开机、运行一段时间，看是否可以开机、稳定运行来判断兼容性方面;具体内存品牌没有限定。另外需要留意的是,尽量避免通过网购方式获取内存，以免出现硬件兼容性影响无法识别，内存经销商不予退货，给您带来不便。 为确保硬件兼容及稳定，推荐使用惠普原厂内存，原厂内存可以通过金牌维修中心获得；您可以通过以下网址查询距离最近的惠普金牌服务中心：8.hp/...s 32位的操作系统如果安装了4G容量的内存的话，受到系统本身内存映射访问的局限性，并不会完全的利用到全部容量的内存，该情况属于正常的，建议安装64位系统以便完全识别内存容量并使用的。 希望以上回复能够对您有所帮助。 问题十：如何查看HP服务器型号 你什么机器？一般机器上都会写有什么型互的，还有一个10位由英文和数字组成的序列号，有这个就可以在HP官网上查到，要是不会也可以打惠普维修电话，他们会帮你查是什么型号的，

1、首先拔去笔记本电源并将电池拆下，在带电的情况下拆机可能会损坏电脑，断电后用十字螺丝刀逆时针拧下后盖固定螺丝。2、用手慢慢的掰开电脑外壳，取下外壳，可以看到电脑里面的东西，可以看到电脑内存二槽。3、找到新买回来的内存条，取下外面的盒子，手要触摸下地面要防止静电，拿着两头。4、将内存条约45度斜向对着槽，注意正反面，内存条金手指上的卡口对准槽上的固定卡片就好，用点力推让内存条金手指没入卡槽，确认好了后下压内存条，让两边的金属扣压住就好了。5、装好内存条后，进行归位重新把电脑外壳进行安装好并把螺丝上上，开机试试，从2G升到4G了。注意事项：购的新内存需和自带的内存参数一致，不然会不兼容可能开不了机。

HP G4笔记本是个大型系列，具体分成了十几个小型号，大部分都是2XSO-DIMM的双内存条设计，最高支持8G*2的内存条扩展，你这没有具体型号所以无法断定。不过都是支持DDR3的三代内存条，就算要加也是加DDR3三代的，这个是老型号的笔记本你直接加DDR3 1333的笔记本内存条即可。解决方法相信众多朋友在使用电脑时，总会遇到这样或那样的各种问题。如启动电脑却无法正常启动、无法进入操作系统或是运行应用软件，无故经常死机等故障时，这些问题的产生常会因为内存出现异常故障而导致操作失败。这是因为内存做为电脑中三大件配件之一，主要担负着数据的临时存取任务。而市场上内存条的质量又参差不齐，所以它发生故障的机率比较大。现为解决这些内存常见问题，小编给您支招，希望可以对您有所帮助。内存出现问题一部分是因为升级内存，但由于内存种类的不匹配，往往会遇到一些麻烦，具体出现的内存问题及支招如下。1、无法正常开机支招：遇到这类现象主要有三个解决的途径：第一，更换内存的位置，这是最为简单也是最为常用的一种方法，一般是把低速的老内存插在靠前的位置上。第二，在基本能开机的前提下，进入BIOS设置，将与内存有关的设置项依照低速内存的规格设置。比如：使用其中的一根内存（如果是DDR333和DDR400的内存混合使用，最好使用DDR333的内存），将计算机启动，进入BIOS设置，将内存的工作频率及反应时间调慢，以老内存可以稳定运行为准，方可关机插入第二根内存。2、计算机运行不稳定支招：遇到这类问题的出现主要是内存兼容性造成的，解决的基本思路是与上面大体相同。第一，更换内存的位置。第二，在BIOS中关闭内存由SPD自动配置的选项，改为手动配置。第三，如果主板带有I/O电压调节功能，可将电压适当调高，加强内存的稳定性。3、混插后内存容量识别不正确支招：造成这种现象的原因，第一种可能是主板芯片组自身的原因所造成的，一些老主板只支持256MB内存的容量（i815系列只支持512MB），超出的部分，均不能识别和使用。当然还有一些情况是由于主板无法支持高位内存颗粒造成的，解决这类问题的惟一方法就是更换主板或者内存。另外在一些情况下通过调整内存的插入顺序也可以解决此问题。内存混插不稳定的问题是一个老问题了。面对这种情况，笔者建议您在选购内存条时，要选择象金士顿、金泰克这些高品质内存，因为它们的电气兼容性及稳定性都比较出色，出现问题的几率要低一些，并且售后也都有保障。另一部分是因为内存在使用过程中，金手指与主板的插槽接触不良引起或者是中了病毒等原因引起的问题，具体出现的内存问题及支招如下。4、电脑无法正常启动，打开电脑主机电源后机箱报警喇叭出现长时间的短声鸣叫，或是打开主机电源后电脑可以启动但无法正常进入操作系统，屏幕出现"Error:Unable to ControlA20 Line"的错误信息后并死机。支招：出现上面故障多数是由于内存于主板的插槽接触不良引起。处理方法是打开机箱后拔出内存，用酒精和干净的纸巾对擦试内存的金手指和内存插槽，并检查内存插槽是否有损坏的迹象，擦试检查结束后将内存重新插入，一般情况下问题都可以解决，如果还是无法开机则将内存拔出插入另外一条内存插槽中测试，如果此时问题仍存在，则说明内存已经损坏，此时只能更换新的内存条。5、开机后显示如下信息:“ON BOARD PARLTY ERROR”。支招：出面这类现象可能的原因有三种，第一，CMOS中奇偶较验被设为有效，而内存条上无奇偶较验位。第二，主板上的奇偶较验电路有故障。第三，内存条有损坏，或接触不良。处理方法，首先检查CMOS中的有关项，然后重新插一下内存条试一试，如故障仍不能消失，则是主板上的奇偶较验电路有故障，换主板。6．Windows系统中运行DOS状态下的应用软件(如DOS下运行的游戏软件等)时出现黑屏、花屏、死机现象。支招：出现这种故障一般情况是由于软件之间分配、占用内存冲突所造成的，一般表现为黑屏、花屏、死机，解决的最好方法是退出windows操作系统，在纯DOS状态下运行这些程序。7．Windows运行速度明显变慢，系统出现许多有关内存出错的提示。支招：出现这类故障一般是由于在windows下运行的应用程序非法访问内存、内存中驻留了太多不必要的插件、应用程序、活动窗口打开太多、应用程序相关配置文件不合理等原因均可以使系统的速度变慢，更严重的甚至出现死机。这种故障的解决必须采用清除一些非法插件（如3721）、内存驻留程序、减少活动窗口和调整配置文件(INI)等，如果在运行某一程序时出现速度明显变慢，那么可以通过重装应用程序的方法来解决，如果在运行任何应用软件或程序时都出现系统变慢的情况，那么最好的方法便是重新安装操作系统。8．内存被病毒程序感染后驻留内存中，CMOS参数中内存值的大小被病毒修改，导致内存值与内存条实际内存大小不符，在使用时出现速度变慢、系统死机等现象。支招：先采用最新的杀毒软件对系统进行全面的杀毒处理，彻底清理系统中的所有病毒。由于CMOS中已经被病毒感染，因此可以通过对CMOS进行放电处理后恢复其默认值。方法是先将CMOS短接放电，重新启动机器，进入CMOS后仔细检查各项硬件参数，正确设置有关内存的参数值。9．电脑升级进行内存扩充，选择了与主板不兼容的内存条。支招：在升级电脑的内存条之前一定要认真查看主板使用说明，如果主板不支持512M以上大容量内存，即使升级后也无法正常使用。如果主板支持，但由于主板的兼容性不好而导致的问题，那么可以升级主板的BIOS，看看是否能解决兼容问题。设计难点高速信号多，等长线分组较多，且要求较严格；因PCB板层数较多，信号速率较高，叠层及参数平面的设计较讲究。

这款笔记本，最大支持16G内存（8G*2），不过，由于主板相对老旧，建议使用Ddr3-1333频率的，兼容性会更好

可以到当地的电脑城一类的地方批发，或者去外地找一些大型的卖电脑配件商城拿货，只要你找到好点的卖电脑配件的批发商店，会给你提供货源信息。以上就是内存条批发一般怎么拿的方法。

考察呗

存储卡、内存条、硬盘、软盘、光盘、U盘之中，内存条是内存，是动态存储的，断电后不能保存数据，而存储卡、硬盘、软盘、光盘、U盘是外存(外部存储器)，断电后能保存数据。

都是一种电脑器具

DDR2的笔记本内存条。

几百g那是硬盘，那是存储空间，不是内存，内存是运行空间，别跟手机瞎扯，骂他

内存条现在开始平谊了，电脑要不断地升级，才能赶在形势，2G的内存条也平谊了，每条大概RMB￥80.00，内存量越大电脑的速度也就越快，建议你内存要4G。内存条的牌子不同，不管容量大小都就不能混在一起用，性能指标不一至，不兼容。　　内存的性能指标　　评价内存条的性能指标一共有四个：　　(1)存储容量：即一根内存条可以容纳的二进制信息量，如目前常用的168线内存条的存储容量一般多为32兆、64兆和128兆。而DDRII3普遍为1GB到2GB。　　(2)存取速度（存储周期）：即两次独立的存取操作之间所需的最短时间，又称为存储周期，半导体存储器的存取周期一般为60纳秒至100纳秒。　　(3)存储器的可靠性：存储器的可靠性用平均故障间隔时间来衡量，可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。　　(4)性能价格比：性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容，性能价格比是一个综合性指标，对于不同的存储器有不同的要求。金士顿内存：DDR313332G，RMB￥80.00左右建议你用DDR3，优势是：　　(1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。　　(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。　　(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为16MX32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存颗粒规格多为32MX32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。　　(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。

处理器+主板：I9 9900K +技嘉Z390电镜专家套装 5208内存：海盗船 3200 16G套条 1399显卡：影驰 RTX2080TI 7999固态：三星500GB 970EVOPLus（M.2） 799机械：西部 1T蓝盘 289机箱：爱国者月光宝盒T30白 369电源：海盗船 金牌模组 650W 749散热： 华硕 360 RGB飞龙系列 1699显示器：AOC 卢瓦尔系列 LV273HQPX 27英寸2K 2399合计：20111

华硕K54HR原装2G三星条，有条件还是建议到华硕的售后站点，服务站内有卖可以兼容的三星三代本条的

你好！这个型号的笔记本只有一个内存，你可以升级内存到单条8G

好像SDR笔记本内存没有512的。。。256*2理论上倒是可以。你说的“内存有部分是集在的”，不太明白。_________________你的机器太老了,512内存不知道主板支持不支持.而且现在去买,估计都是二手货.

整机换了 显卡千元以下买AMD 如果有跟多问题 加我q 1078311875 24小时在线

好几大百近千元了。

电脑是这样，新的东西便宜，老的东西贵，因为淘汰了，库存的东西少，一少就贵市面上3带内存多，一多就便宜800 是2代内存

您好：您的戴尔电脑可以增加内存条，内存条与以前机子使用过的品牌一样最好了，建议您在购买前先做测试，保证机器能正常运行后再购买，如果您想保证稳定性与兼容性，您可以联系服务站工程师帮您升级下面是服务站的查询链接，您能查到详细地址以及联系方式dell维修站查询网址：www.dell.com.cn/cis

你提供的这个MS-7102是微星的料号，而不是微星的主板型号。但根据这个料号，查询的主板芯片组是VIA的K8M800。这个主板只支持DDR1代的内存，266 333 400这三个频率都可以。DDR400 1G的内存淘宝行货价格在200左右。组装条价格在100元左右以上全部自己码字，如有用，给个小红旗：）

DDR1 1g大概250左右，2G大概400左右DDR2 1G大概180左右，2G大概300左右DDR3 1G大概200左右，2G大概340左右

一般市场上最大的单条就是4gb，8gb可能是4gx2的。海盗船tw3x4g2000c9df类别:内存　　品牌:corsair(海盗船)本周该产品在内存中排名第11参考价格：￥7500[北京]商家报价：￥7200至￥7500内存类型：ddr3适用机型：台式机内存内存容量：2*2048mb工作频率：2000mhz接口类型：240pin

一般情况下，最大的单一市场为4GB，8GB 4G X2的可能。 海盗船TW3X4G2000C9DF 分类：内存品牌：海盗船（海盗船）本周该产品在内存价格排名第11位：[北京] 商家报价7500日元：￥72007500日元内存类型：DDR3 适用机型：台式机内存内存容量：2 * 2048MB 工作频率：2000MHz的接口类型：240 PIN

应该可以

烟台是80二手的！！

加到6g的话还要用64位的系统

好，如果仅仅考虑装一个内存条这个工作，需要5分钟左右就可以完成(*^__^*) 嘻嘻。现在笔记本后面都有相应的盖子，比如内存、硬盘上都有，为的就是方便你更换、因此不用完全拆开电脑。内存方面：我通过查询得知你的本本的内存是DDR3（频率不详），也就是俗称的三代内存。经过查询中关村产品报价，发现DDR3 1333的内存价格从85-145不等，再加上内存品牌频率的不同，价格并不好确定。因此具体价格还需要你联系售后。

和原来一样的最好，论坛上貌似acer同型号笔记本批次不一样，硬盘和内存牌子也不一样，如果不好选的话，建议果断金士顿，兼容性最好的说

可以的，不过你是在他的店买才会帮你装的

都一样，潜规则。建议还是直接去卖内存的店，让店员帮你换。1G的DDR2才150+

几百元吧，看加多少咯。

三百左右，京东有报价

270-300.

要看的呀。不同批次是不同的不过可以肯定的都是一线品牌。另外，直接在厂家升级，一方面配置比较高，还有就是还要加上其他的一些成本呀。

最贵的就不知道了。最好的应该是金士顿吧 。

第一 金士顿内存条DDR3 4G 1600频率的 中关村最低报价169元还是一个联想笔记本专用的内存条 第二 金士顿的内存条黑色的目前你只能找到一款金士顿骇客神条Impact 4GB DDR3 1600这款的报价是199并且没显示是pbc的内存条所以说你这款基本应该是假的 或者水货 就算是真的也是被阉过的内存条 建议不要买

HY5DU56822BT-D43这串编号意义： ·“HY”是现代内存。 ·“5D”是内存芯片类型为DDR。 ·“U”代表处理工艺及电压为2.5V。·“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M8K刷新。·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。·“2”指内存的bank(储蓄位)。·“2”代表接口类型为SSTL_2。·“B”是内核代号为第3代。·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。 ·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。 ·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。 ·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。 ·“D43”表示内存的速度为DDR400。

记忆科技的内存条不错。性能差距不大，海力士就是十多年前的现代，2000年那会，流行现代内存，后来似乎不做零售市场，专搞OEM内存或显存了。记忆科技的知名度比海力士还差很多，其生产的内存多见于联想，清华同方的品牌机使用。桃宝上能买到的记忆内存，多是品牌机拆机的二手旧内存。内存条是CPU可通过总线寻址，并进行读写操作的电脑部件。内存条在个人电脑历史上曾经是主内存的扩展。随着电脑软、硬件技术不断更新的要求，内存条已成为读写内存的整体。我们通常所说电脑内存（RAM）的大小，即是指内存条的总容量。内存条是电脑必不可少的组成部分，CPU可通过数据总线对内存寻址。历史上的电脑主板上有主内存，内存条是主内存的扩展。以后的电脑主板上没有主内存，CPU完全依赖内存条。所有外存上的内容必须通过内存才能发挥作用。

整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下： 1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新） 5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片） 6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代） 9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC）） 12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素） 13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度）） 由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。 常见SDRAM 编号识别 维修SDRAM内存条时，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容：厂商名称（代号）、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。 (1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下： ▲ HY HYUNDAI ------- 现代 ▲ MT Micron ------- 美光 ▲ GM LG-Semicon ▲ HYB SIEMENS ------ 西门子 ▲ HM Hitachi ------ 日立 ▲ MB Fujitsu ------ 富士通 ▲ TC Toshiba ------ 东芝 ▲ KM Samsung ------ 三星 ▲ KS KINGMAX ------ 胜创 (2)内存芯片速度编号解释如下: ★ -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns. ★ –75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns. ★ –8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns. ★ –7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns. ★ –10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns. (3) 编 号 形 式 HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj 其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D—DDR SDRAM. b表示电压,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V. CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M. dd表示带宽。 f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2. g表示版本号，B—第三代。 h表示电源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。 ii表示封装形式， TC—400mil TSOP—H. jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ; 10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3) 10—100MHZ(非PC100)。 例：1） HY57V651620B TC-75 按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ. 2) HY57V653220B TC-7 按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ 全球主要内存芯片生产厂家(掌握内存芯片生产技术的厂家主要分布在美国、韩国、日本、德国、台湾)： 序号 品牌 国家/地区 标识 备注 1 三星 韩国 SAMSUNG 2 现代 韩国 HY 3 乐金 韩国 LGS 已与HY合并 4 迈克龙 美国 MT 5 德州仪器 美国 Ti 已与Micron合并 6 日电 日本 NEC 7 日立 日本 HITACHI 8 冲电气 日本 OKI 9 东芝 日本 TOSHIBA 10 富士通 日本 F 11 西门子 德国 SIEMENS 12 联华 台湾 UMC 13 南亚 台湾 NANYA 14 茂矽 台湾 MOSEI

从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SPDinfo这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。1、PC66/100 SDRAM内存标注格式（1）1.0---1.2版本这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1.2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。（2）1.2b+版本其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。4、RDRAM 内存标注格式其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。5、各厂商内存芯片编号内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，因此我们就先来看看它们的内存芯片编号。（1）HYUNDAI（现代）现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。（2）LGS〔LG Semicon〕LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。（3）Kingmax(胜创)Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。（4）Geil(金邦、原樵风金条)金邦金条分为"金、红、绿、银、蓝"五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8ns〔147MHz〕，75A=7.5NS〔133MHz〕， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕，360或322=10ns〔PC100 CL3〕，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ，10=10NS〔100MHz〕。

记忆科技的内存条不错。性能差距不大，海力士就是十多年前的现代，2000年那会，流行现代内存，后来似乎不做零售市场，专搞OEM内存或显存了。记忆科技的知名度比海力士还差很多，其生产的内存多见于联想，清华同方的品牌机使用。桃宝上能买到的记忆内存，多是品牌机拆机的二手旧内存。内存条是CPU可通过总线寻址，并进行读写操作的电脑部件。内存条在个人电脑历史上曾经是主内存的扩展。随着电脑软、硬件技术不断更新的要求，内存条已成为读写内存的整体。我们通常所说电脑内存（RAM）的大小，即是指内存条的总容量。内存条是电脑必不可少的组成部分，CPU可通过数据总线对内存寻址。历史上的电脑主板上有主内存，内存条是主内存的扩展。以后的电脑主板上没有主内存，CPU完全依赖内存条。所有外存上的内容必须通过内存才能发挥作用。

你提供的信息看不出来是什么类型

这是一条海力士DDR2 667内存2RX16表示 双面内存有16个内存颗粒，5300S表示内存带宽5.3G5 5 5-12表示内存的延迟，第二排是序列号之类的，意义不详。

金士顿，宇瞻，芝奇，海盗船，威刚都不错

什么品牌的内存条啊．各个品牌的都不一样的

PC3就是DDR3，12800表示速度是1600的

　　网友们知道内存条真假是怎么看出来的吗?下面是我带来怎么查看内存条的真假的内容，欢迎阅读! 　　查看内存条的真假 方法 ： 　　看颗粒信息 　　内存上面最明显的就是上面的颗粒，正品的内存颗粒上面光滑平整，文字印制的比较清晰。而仿品颗粒上面我们可以看见有很多细小的摩擦痕迹，表面也不是很平整，还有文字上的错误。正品下面的文字是“KOR”，但是假货下面的文字居然写成了“KOREA”，我想可能是在校对的时候没有用心，或者是在别的产品上复制过来写到这上面了。总之拼写上存在着误差。 　　内存侧面 　　接下来我们看内存芯片的侧面，首先我们看见的区别就是，正品内存芯片下方的电容组一个不少的在那里“站岗”。但是假货的电容组呢，可以不用说组了，就那么孤单的一个，其他的都被省略了。另外正品侧面引脚的间距比较大，但是仿品的引脚间距就比较密集，暴露了是假货的真面目。 　　细节辨别 　　在内存芯片上面通过仔细观察，就是我画圈的位置。正品的下角有一个定位坑点，是用来固定颗粒用的，表面上看还比较清楚呢。而假现代内存芯片上，坑点没有了，不知道是本来就没有，还是由于表面涂了一层漆，把坑填满了的缘故，我也弄不清楚。大家在购买的时候，如果芯片上的坑点没有或者是不清楚，那么就要慎重考虑是否购买了。 　　金手指的差别 　　正品在做工方面是比较讲究的，所以没有放过一个细节。正品金手指由于用材和做工都比较好，所以表面看起来整洁，没有任何划痕。而仿品的做工比较粗糙，表面已经开始出现氧化的现象，磨损的比较严重。另外我们看正品的金手指外侧是凸出一小块的。但是仿品这边直接全是平行的，这又说明了在做工方面没有用心。 　　耐用性方面 　　购买电子产品的时候，我们除了看品牌之外，最主要的还是看耐用性，因为在使用的时候谁都不愿意不定期的更换。正品现代内存质量是没的说，耐用性非常好。但是假货的呢，由于成本廉价，做工也不是很精细，所以经常出现问题，必须要重新更换才可以。不仅浪费时间，心情也会随着变得比较糟糕。 看了“怎么查看内存条的真假”的内容的人还看： 1. 内存条怎么分辨真假 2. 金士顿内存条怎么看真假 3. 如何鉴别金士顿内存条真假 4. 怎样查看内存条的信息 5. 内存条如何检测 6. 威刚内存真假如何辨别 7. 鉴别内存卡真假的方法 8. 如何知道内存条是几代 9. 三星内存条如何看型号 10. 三星内存条假货多吗

其实是相同的，只是叫法不一样现代是以前的叫法，这是由于Hynix以前隶属韩国现代公司的关系；2005年，完全与现代集团剥离开来的Hynix内存登陆国内市场，正式命名为Hynix海力士内存。所以现在应该要叫海力士，不叫现代了很高兴为你解答，满意请采纳，谢谢！

内存条 怎么看芯片识别大小 我们在攒电脑的时候一般只是注意内存的容量和内存的性能指标，例如 DDR266 DDR333 之类的。但是你知道吗，同样的内存根据他的品牌，出厂时间以及批号不同，它具有着不同的性能和稳定性，本文将着重和您探讨不同品牌内存之间的性能和稳定性的差异以及同品牌但批号不同的内存的性能差异。另外，本文还将重点涉及内存的制假和售假的方法。将向您彻底揭露正品内存和深圳“油条”的鉴别方法。(什么是油条？这里不卖豆浆，下文中将相信向您讲授油条的做法) 鉴于SDRAM 已经走到了生命的尽头，即将完全脱出市场，RDRAM 应用不广DDRII 内存还未量产。所以本文将只涉及市场主流的DDR 内存。 我们先来说一下内存的基本知识，归纳成一句话就是：什么是内存？ 内存就是随机存贮器（Random Access Memory，简称为 RAM）。RAM 分成两大类：静态随机存储器，即Static RAM（SRAM）和动态随机存储器，Dynamic RAM （DRAM），我们经常说的“系统内存”就是指后者，DRAM。 SRAM 是一种重要的内存，它的用途广泛，被应用在各个领域。SRAM 的速度非常快，在快速读取和刷新时可以保持数据完整性，即保持数据不丢失。SRAM 内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据，为了实现这种结构，SRAM 的电路结构非常复杂，往往要采用大量的晶体管来构造寄存器以保留数据。采用大量的晶体管就需要大量的硅，因此就增加了芯片的面积，无形中增加了制造成本。制造相同容量的SRAM 比DRAM 的成本贵许多，因此，SRAM 在PC 平台上就只能用于CPU 内部的一级缓存以及内置的二级缓存。而我们所说的“系统内存”使用的应该是DRAM。由于SRAM 的成本昂贵，其发展受到了严重的限制，目前仅有少量的网络服务器以及路由器上使用了SRAM。 DRAM 的应用比SRAM 要广泛多了。DRAM 的结构较SRAM 要简单许多，它的内部仅仅由一个MOS 管和一个电容组成，因此，无论是集成度、生产成本以及体积， DRAM 都比SRAM 具有优势。目前，随着PC 机的不断发展，我们对于系统内存的要求越来越大，随着WindowXP 的推出，软件对于内存的依赖更加明显：在 WindowsXP 中，专业版至少需要180MB 内存以上，而在实际使用中，128MB 才能保证系统正常运行。因此，随着PC 的发展，内存的容量将不断扩大，速度也会不断提升。 好了，下面我们在来说一下内存的速度问题。我们选择内存的速度，决定于你选用CPU 的前端总线，例如你用的是P4A 那你不需要用DDR400 才能满足3.2G 带宽得需要因为P4A 的前端总线是400MHZ，普通得DDR266 能够提供2。1GB 的带宽，此种内存适用于ATHLONXP 低频以及毒龙等中低端配置.已经不在主流市场之内。DDR333 能够提供2.7GB 的内存带宽适用于AMD166MHZ 外频的巴顿处理器。而DDR400 内存以及DDR433 DDR450 内存将能够提供3.2GB 以上的内存带宽，主要应用在INTEL 高端的P4C P4E 上以及ATHLON64 上面。当然，上文所述的仅仅是能够满足硬件系统的最低要求，由于p4 的前端总线的提高,内存和CPU 之间瓶颈问题已经十分严重,新的内窜技术必将产生.例如我们后面简要介绍到的双通道DDR 和未来的DDR 内存.当然,如果您拥有一颗像毒龙1.6G， ATHLONXP1800+(b0 1.5V 低压版)，P41.8A ，AthlonXP2000+ ，P42.4C 巴顿 2500+这样的具有极品超品潜力的 CPU 那么我推荐您购买高一个性能档次的内存，例如Athlon2000+配合DDR333 的内存，这样基本所有的巴顿2000+都可以超到 2500+使用，市场上的假2500+就是用2000+超频而来的。 在WINXP 系统的实际应用中，我们提出一个不规范的公式 内存容量〉内存速度〉内存类型 也就是说 就算是SD256M 内存也比128M 的 DDR400 系统速度快，在选购内存的时候，我们建议XP 系统应该配备384M 以上的内存，才能保证系统的快速运行。 下面我们在来说说内存的品牌差异 熟悉电脑的朋友们都知道，我们经常用到的内存品牌有：海盗船 Kingsotne Kingmax 宇詹 南方高科 三星 HY 杂牌中用的颗粒编号较多的是EACH 的以及 KingsMAN KingRAM 等等。海盗船内存主要用于服务器，我们大家在购买电脑的时候，在资金比较宽裕的情况下，我们推荐Kingstone 的VALUERAM 盒装内存，以及宇詹盒装内存（建议购买英飞凌颗粒的）这两种内存提供内存的终身质保，大家完全可以放心使用，如果资金不是很宽裕，建议购买HY 的内存，经实践证明HY 的内存的兼容性在所有的内存中首屈一指。但是，HY 的内存假货泛滥，关于其造假及售假方法将在下文中提到。如果你要购买HY 的内存，那我建议您一定要买富豪代理或者金霞代理的盒装正品。如果贪图便宜选择散装条子，那就要考考您的眼力了。基本上，我们不推荐您购买杂牌内存，杂牌内存在使用寿命和质保上都不能令人满意，最后说一下Kingmax 内存我们之所以不推荐，就是因为Kingmax 内存与某些主板的兼容性不是很好但其自身的品质和性能绝对也是一流的。我们希望您在购买的时候一定要试试，看有没有兼容性问题。 下面我们来说一下相同品牌内存的选购。让我来为大家解读一些品牌内存的颗粒编号含义： HY XX X XX XX XX X X X X X - XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ? 12 这个是市场上流行的现代内存的标号。对应位置上1:不用我说你也看出来了当然是代表HY 生产的颗粒喽 2：内存芯片类型：5D ：DDR SDRAMS 3：工艺与工作电压V ：CMOS，3.3V U : CMOS, 2.5V 4：芯片容量和刷新速率： 64 :64m, 4kref 66 :64m, 2kref 28 :128m,4kref 56 :256m,8kref 12 :512m,8kref 5: 芯片结构（数据宽度）4：X4（数据宽度4bit 下同) 8 :x8 16 :x16 32 :x32 6：BANK 数量： 1 :2BANKS 2 :4BANKS 7：I/O 界面： 1 :SSTL_3 2 :SSTL_2 8：芯片内核版本： 空白:第一代 A :第二代 B :第三代 C :第四代 9：能量等级： 空白 :普通 L :低能耗 10：封装形式： T :TSOP Q :TQFP L :CSP(LF-CSP) F :FBGA 11：工作速度： 33 :300NHZ 4 :250MHZ 43 :233MHZ 45 :222MHZ 5 :200MHZ 55 :183MHZ K :DDR266A H :DDR266B L :DDR200 我们再来看一下Kingstone 内存的标号方法. kvr *** X ** * c* / *** 1 2 3 4 5 6 7 8 1.KVR 代表kingston value RAM 2.外频速度3.一般为X 4.64 为没有ECC；72 代表有ECC5.有S 字符表示笔记本专用内存，没有S 字符表示普通的台式机或是服务器内存6.3：CAS=3；2.5：CAS=2.5；2：CAS=27.分隔符号8.内存的容量 我们以金士顿ValueRAM DDR 内存编号为例：编号为ValueRAM KVR400X64C25/256 这条内存就是。金士顿ValueRAM 外频400MHZ 不带有ECC 校验的CAS=2.5 的256M 内存 我想通过以上的方法，更能方便大家对于内存的理解和选购。接下来我在强调一些有关内存的常见问题： 1. 内存的单面与双面，单Bank 与双Bank 的区别？ 单面内存与双面内存的区别在于单面内存的内存芯片都在同一面上，而双面内存的内存芯片分布在两面。而单Bank 与双Bank 的区别就不同了。Bank 从物理上理解为北桥芯片到内存的通道，通常每个通道为64bit。一块主板的性能优劣主要取决于它的芯片组。不同的芯片组所支持的Bank 是不同的。如Intel 82845 系列芯片组支持4 个Bank，而SiS 的645 系列芯片组则能支持6 个Bank。如果主板只支持4 个Bank，而我们却用6 个Bank 的话，那多余的2 个Bank 就 白白地浪费了。双面不一定是双Bank，也有可能是单Bank，这一点要注意。 2. 内存的2-2-3 通常是什么意思？ 这些电脑硬件文章经常出现的参数就是在主板的BIOS 里面关于内存参数的设置了。通常说的2-2-3 按顺序说的是tRP(Time of Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP 为RAS 预充电时间，数值越小越好；tRCD 是RAS 到CAS 的延迟，数值越小越好；CL(CAS Latency)为CAS 的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。 3.内存的双通道技术和单通道有什么不同？ 什么是双通道DDR 技术呢？需要说明的是，它并非我前面提到的D D R I I，而是一种可以让2 条D D R 内存共同使用，数据并行传输的技术。双通道DDR 技术的优势在于，它可以让内存带宽在原来的基础上增加一倍，这对于P 4 处理器的好处可谓不言而喻。400M H z 前端总线的P 4 A 处理器和主板传输数据的带宽为3.2G B /s，而533 M Hz 前端总线的P4B 处理器更是达到了4.3G B/s，而 P4C 处理器更是达到了 800MHZ 前端总线从而需要 6. 4 G 的内存带宽。但是目前除了I850E 支持的R ambus P C10 66 规范外，根本没有内存可以满足处理器的需要，我们最常用的DDR333 本身仅具有2.7G B/s 的带宽。DDR400 也只能提供3.2G /s 的带宽。也就是说，如果我们搭建双通道DDR400 的内存，理论上提供2 倍DDR400 的带宽。将从而根本的解决了CPU 和内存之间的瓶颈问题。 4.DDR-Ⅱ和现在的DDR 内存有什么不同？ DDR-II 内存是相对于现在主流的DDR-I 内存而言的，它们的工作时钟预计将为 400MHz 或更高。主流内存市场将从现在的DDR-333 产品直接过渡到DDR-II。 DDR-II 内存将采用0.13 微米工艺， 容量为18MB/36MB/72MB，最大288MB，字节架构为X8、X18、X36，读取反应时间为2.5 个时钟周期 (此段由于SOHU 禁词限制，发不了） 最后，我将为大家讲授内存的造假售假方法。（以下文字未经内存厂商证实，仅仅为笔者长时间的经验积累，不承担相应的法律责任，特此声明） 现在的假货内存主要集中在HY 普通条子和某些大厂内存（例如这段时间沸沸扬扬的Kingmax）上面。这里面，大厂的内存条比较容易识别，一般来讲，大厂盒装的正品内存在他的内存颗粒或者PCB 上都会有厂商的镭射防伪标签，内存标签清晰，字体规范，Kingmax 等品牌内存还带有800 免费的防伪咨询电话，现场打电话就可以辨别内存的真伪。因为大厂的内存价格相对透明，因此你在 购买内存的时候只要不贪图便宜，就应该可以买到正品大厂内存。而现在最难鉴别的就是HY 的内存，据笔者调查，现在市场上50%以上的HY 散装内存都是假货，但是，假货也分档次。比较有“良心”的假货就是我们通常所说的 REMARK（打磨）最常见的就是将HY 的内存颗粒表面用有机溶剂清洗，再标上更高内存性能的编号，例如将DDR266 的内存打磨成DDR333 的内存出售或者打磨成Kingstone， Kingmax 等大厂的内存出售，谋取利益。这样的内存在容量上没有问题，但是因为一般都是在超标准频率下使用，必然导致系统的不稳定。这种内存一般很好辨别，只要用手搓内存颗粒表面，用指甲刮，就能轻易的将表面的字迹去除，从而辨别真假。但是，一些手段比较高明的造假者，做出来的内存表面进行了特殊处理，让你不能够轻易的抹除字迹。对于这种内存，就要考考您的眼力了。一般说来，正品的内存字迹都是激光“刻”印在内存颗粒上的，会在内存颗粒上留下痕迹，打磨内存的奸商必然覆盖这些痕迹，看上去字体不是那么的规范，字的大小也不是很一致。字体的边角不够圆滑。辨别类似的内存，就需要一些久经杀场的老鸟了。下面我将告诉大家一种最为狠毒的制假方法，那就是本文开头提到的“油条”了。我先简要讲述一下此种内存的制作“工艺”。这种内存主要生长在我国南部省份，以深圳为甚。首先，不法奸商用极其低廉的价格（1000 元人民币一吨）收购国外运来的洋垃圾，或者是在中国市场上几乎可以不计成本的收购已经烧掉或者损坏的内存条，将这些内存放到一个大油锅里面煮，去掉焊锡，清除焊点和内存表面的字迹。然后用香蕉水（剧毒，有强烈刺激气味）进行清洗。然后，挑出相同的芯片重新焊在 PCB 上，再标上内存编号进行销售，这样的内存千条采购价格以256M 为例只有 120 元左右。可以说相当具有“性价比”，从而成为不法奸商们手中的“极品”以牟取暴利。这种内存可以说是性能和稳定性皆无。但是，我们不得不佩服中国人的制假方法，他们把这种内存做的和HY 内存一模一样，只是内存PCB 颜色看上去有些许的不均匀。但是，这种内存基本上还是很好辨别，大家在购买内存的时候，不要只看内存的表面字迹，应该注意一下内存颗粒右下角的内存编号一般都是数字例如56787 之类的，这种内存由于大批量处理，一般在一条内存上你会发现有2 种甚至更多种的内存颗粒只要抓住这点，基本上可以识别出这种假货内存，另外，我们还可以闻一下内存，都会有一些余味（香蕉水的味道） 最后，笔者奉劝您在购买内存的过程中，不要贪图几十元的小便宜，而为您的 系统带来不稳定甚至导致整机的故障。希望通过本文，能够对您在内存的选购方面有所帮助。希望大家都能够买到稳定性能一流的内存 不同牌子的内存看法都不一样的，我收集了一些常用品牌的内存读法供参考： DDR SDRAM： HYNIX DDR SDRAM 颗粒编号： HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14 整个DDR SDRAM 颗粒的编号，一共是由14 组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下： 1． HY 是HYNIX 的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K 刷新；66：64M 2K 刷新；28： 128M 4K 刷新；56：256M 8K 刷新；57：256M 4K 刷新；12：512M 8K 刷新；1G：1G 8K 刷新） 5． 内存条芯片结构：（4＝4 颗芯片；8＝8 颗芯片；16＝16 颗芯片；32＝32 颗芯片） 6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 8． 内核代号：（空白=第1 代；A=第2 代；B=第3 代；C=第4 代） 9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝ MCP（UTC）） 12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素） 13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85 度）；E=扩展温度（-25 - 85 度）） 由上面14 条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13 等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM 内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第 13 位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L 的产品（也就是说，它只支持DDR200） 注：有的编码没有那么长，但几个根本的数字还是有的 LGS 的内存可以说是目前市场上见到的最多，也是最广泛的内存了，所以LGS 应该首先排第一位。 LGS 的内存编码规则： GM 72 X XX XX X X X X X XXX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定义： 1、GM 代表LGS 公司。 2、72 代表SDRAM。 3、V 代表3V 电压。 4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K 刷新；17：16M，2K 刷新； 28：128M，4K 刷新；64： 64M，16K 刷新。65：64M，8K 刷新；66：64M，4K 刷新。 5、数据带宽：4：4 位，8：8 位，16：16 位，32：32 位。 6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK 7、I／O 界面：一般为1 8、产品系列：从A 至F。 9、功耗：空白则是普通，L 是低功 10、封装模式：一般为T（TSOP） 11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，CL2&3），10K （10NS[一说15NS]，PC66）， 12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ） 二、HY（现代HYUNDAI） 现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大。 HY 的编码规则： HY 5X X XXX XX X X X X－ XX XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 定义： 1、HY 代表现代。 2、一般是57，代表SDRAM。 3、工艺：空白则是5V，V 是3V。 4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K 刷新；64：64M，8K 刷新；65：64M， 4K 刷新；128：128M， 8K 刷新；129：128M，4K 刷新。 5、数据带宽：40：4 位，80：8 位，16：16 位，32：32 位。 6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK； 7、I／O 界面：一般为0 8、产品线：从A－D 系列 9、功率：空白则为普通，L 为低功耗。 10、封装：一般为TC（TSOP） 11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100， CL3），10：10NS，12： 12NS，15：15NS 三、SEC（三星SAMSUNG） 做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量 虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品。三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品种非常多，此处仅供普通SDRAM 参考。 SEC 编码规则： KM4 XX S XX 0 X X XT－XX 1 2 3 4 5 6 7 89 10 11 1、KM 代表SEC 三星，此处编码一般均为4。 2、数据带宽：4：4 位，8：8 位，16：16 位，32：32 位。 3、一般均为S 4、这个数乘以S 前边的位数就是内存的容量。 5、一般均为0 6、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK 7、I／O 界面：一般为0 8、版本号 9、封装模式：一般为T：TSOP 10、功耗：F 低耗，G 普通 11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS。 四、MT（MICRON 美凯龙） 美凯龙是美国著名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品闻名全美国，被广泛的机器所采用。美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高。 MT48 XX XX M XX AX TG－XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1、MT 代表美凯龙MICRON 2、48 代表SDRAM。 3、一般为LC：普通SDRAM 4、此数与M 后位数相乘即为容量。 5、一般为M 6、位宽：4：4 位，8：8 位，16：16 位，32：32 位 7、AX 代表write Recovery(twr)，A2 则代表twr=2clk 8、TG 代表TSOP 封装模式。 9、速度：7：7NS，75：7．5NS，8X：8NS（其中X 为从A到E：读取的周期分别是：333，323，322， 222，222，所以D 和E 较好），10：10NS 10、如有L 则为低功耗，空白则为普通。 五、HITACHI（日立HITACHI） 日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！ HM 52 XX XX 5 X X TT－ XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、HM 代表日立。 2、52 代表SDRAM，51 则为EDO 3、容量 4、位宽：40：4 位，80：8 位，16：16 位 5、一般为5 6、产品系列：A－F 7、功耗：L 为低耗，空白则为普通 8、TT 为TSOP 封装模式 9、速度：75：7．5NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3），B60：10NS（CL3） 六、SIEMENS（西门子） 西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一（另一是PHILIPS）。西门子的内存产品多为台湾的OEM 厂商制造的，产品品质还算不错。 HYB39S XX XX 0 X T X －X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、HYB 代表西门子 2、39S 代表SDRAM 3、容量 4、位宽：40：4 位，80：8 位，16：16 位 5、一般为0 6、产品系列 7、一般为T 8、L 为低耗，空白为普通 9、速度： 6：6NS，7：7NS，7．5：7．5NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10： 10NS 七、FUJITSU（富士通FUJITSU） 富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM 商，市场上仅有少量零售产品。 MB81 X XX XX X2 X－XXX X FN 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1、MB81 代表富士通的SDRAM 2、PC100 标准的多为F，普通的内存为1 3、容量 4、位宽：4：位，8：8 位，16：16 位，32：32 位 5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK 6、产品系列 7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS （CL3），100：10NS，84： 12NS，67：15NS 八、TOSHIBA（东芝） 东芝是日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等。TOSHIBA 的内存产品在市场上见到的不多。 TC59S XX XX X FT X－XX 1 2 3 4 5 6 7 8 1、TC 代表东芝 2、59S 代表普通SDRAM 3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT 4、位宽：04：4 位，08：8 位，16：16 位，32：32 位 5、产品系列：A－B 6、FT 为TSOP 封装模式 7、空白为普通，L 为低功耗 8、速度；75：7．5NS，80：8NS，10：10NS（CL3） 九、MITSUBISHI（三菱） 三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化发展，所以在IT 业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL 的PII／PIIICPU 的缓存供应商。普通 SDRAM 方面，因为较贵，所以市场上少见。 M2 V XX S X 0 X TP－XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1、M2 代表三菱产品 2、I／O 界面。一般为V 3、容量 4、一般为S，说明是SDRAM 5、位宽：2：4 位，3：8 位，4：16 位 6、一般为0 7、产品系列 8、TP 代表TSOP 封装 9、速度： 8A：8NS，7：10NS（CL2&3），8：10NS（CL3），10：10NS。 10、空白为普通，L 为低耗。

如果有电脑的话： 右键单击“我的电脑”，选择“属性”，在“属性”界面上，有一个“常规”选项，下面就会有些内存的大小。如果没有电脑的话： 看芯片上的字母 第6位和第7位 比如12 那就说明条子是512的 如果是28说名是 128的！

Hynix很少出原厂Major的内存条，通常都是ett颗粒提供给下游厂商。非常多的厂家都在用HY的内存颗粒，比较常见的有芝奇，金士顿，金邦等等（内存条所用颗粒不是固定的，同一款内存条其所用颗粒可能随时变化）Hynix最出名的也是用的最广泛的颗粒是H9C BFR/CFR颗粒没有打磨过的颗粒会在表面留下“Hynix”LOGO，颗粒编号最后三位为“BFR”或“CFR”结尾最后一行会有H9C字样（有些颗粒似乎没有该字样）要说明的是内存颗粒这个东西超频能力和CPU有点相似，有混搭的，手工挑的和挑剩的，就像CPU有雕有雷一样。所以这个颗粒的体质也是因人而异，特挑的极品颗粒超频潜力会非常高，价格同样也会很高。广泛来说H9C颗粒差不多能达到的水平：1600 7-9-81866 9-10-92000 9-10-102133（如果能上的话） 9-12-10体质好的颗粒2133 可以跑出9-10-10甚至9-10-9的成绩以上三个数字分别代表CL值，tRCD值，tRF值tRAS由于没有什么代表性就没列出

上面的图片不是很清楚,从标签看是Hynix海力士笔记本内存,以前隶属韩国现代公司korea表示该内存条是韩国封装,china表示该内存条是中国封装,后面的数字表示不同的封装厂海力士好像在无锡有加生产厂商,但市场上采用Hynix内存芯片的兼容条更多教你简单鉴别原厂条和兼容条的办法:1、从内存标签的颜色、字体等印刷质量可以简单的区分,一些做工低劣的假“海力士”内存,内存标签一般颜色暗淡,印刷内容拥挤,较模糊。正品内存标签颜色鲜艳,字体清晰。2、看PCB板。正品Hynix海力士内存采用独特的六层PCB专用设计,在PCB板的正面左上方有“Hynix”或者“Leadram” 字样。假冒的海力士内存部分使用4层PCB板,基板厚度明显比正品内存要薄,同时内存基板上的信号线比较多较多,显得凌乱,PCB板的正面左上方一般没有“Hynix”或者“Leadram” 字样。求采纳

上面的图片不是很清楚，从标签看是Hynix海力士笔记本内存，以前隶属韩国现代公司korea表示该内存条是韩国封装，china表示该内存条是中国封装，后面的数字表示不同的封装厂海力士好像在无锡有加生产厂商，但市场上采用Hynix内存芯片的兼容条更多教你简单鉴别原厂条和兼容条的办法：1、从内存标签的颜色、字体等印刷质量可以简单的区分，一些做工低劣的假“海力士”内存，内存标签一般颜色暗淡，印刷内容拥挤，较模糊。正品内存标签颜色鲜艳，字体清晰。2、看PCB板。正品Hynix海力士内存采用独特的六层PCB专用设计，在PCB板的正面左上方有“Hynix”或者“Leadram” 字样。假冒的海力士内存部分使用4层PCB板，基板厚度明显比正品内存要薄，同时内存基板上的信号线比较多较多，显得凌乱，PCB板的正面左上方一般没有“Hynix”或者“Leadram” 字样。

金士顿和Kingmax,现代分别是三个内存的品牌.至于区别是这样的:金士顿和KINGMAX在内存方面享有很高的口碑.内存品质不错.它们的内存颗粒因为生产的批次不同,而采用的颗粒也不同,有可能是三星,现代等等,出厂前会经过严格检验,而且质保时间长,买着比较放心,兼容性也不错.目前由于这两大厂商对市场打假力度较大,而且有各种仿伪手段,造假的成本也很高,所以假货不是很多.现代内存价格便宜,如果能够买到原装的,质量也是不错的,但由于打假力度小,而且散装条很多,造假利润丰厚,所以导致市场上的现代内存假货居多,所以给人以质量低劣的印象.所以买内存应该去正规的经销商那里去买,别贪图十几块钱的小便宜买到假货.

HY5DU56822BT-D43这串编号意义： ·“HY”是现代内存。 ·“5D”是内存芯片类型为DDR。 ·“U”代表处理工艺及电压为2.5V。·“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M8K刷新。·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。·“2”指内存的bank(储蓄位)。·“2”代表接口类型为SSTL_2。·“B”是内核代号为第3代。·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。 ·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。 ·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。 ·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。 ·“D43”表示内存的速度为DDR400。

　　内存条是计算机重要也是必要部件之一，买到假的劣质的内存条直接影响整个电脑工作，那么怎么辨别真假呢?有哪些技巧?下面是我收集整理的现代内存真假如何鉴别，希望对大家有帮助~~ 　　现代内存真假鉴别的方法 　　内存侧面 　　接下来我们看内存芯片的侧面，首先我们看见的区别就是，正品内存芯片下方的电容组一个不少的在那里“站岗”。但是假货的电容组呢，可以不用说组了，就那么孤单的一个，其他的都被省略了。另外正品侧面引脚的间距比较大，但是仿品的引脚间距就比较密集，暴露了是假货的真面目。 　　细节辨别 　　在内存芯片上面通过仔细观察，就是我画圈的位置。正品的下角有一个定位坑点，是用来固定颗粒用的，表面上看还比较清楚呢。而假现代内存芯片上，坑点没有了，不知道是本来就没有，还是由于表面涂了一层漆，把坑填满了的缘故，我也弄不清楚。大家在购买的时候，如果芯片上的坑点没有或者是不清楚，那么就要慎重考虑是否购买了。 　　看颗粒信息 　　内存上面最明显的就是上面的颗粒，正品的内存颗粒上面光滑平整，文字印制的比较清晰。而仿品颗粒上面我们可以看见有很多细小的摩擦痕迹，表面也不是很平整，还有文字上的错误。正品下面的文字是“KOR”，但是假货下面的文字居然写成了“KOREA”，我想可能是在校对的时候没有用心，或者是在别的产品上复制过来写到这上面了。总之拼写上存在着误差。 　　4金手指的差别 　　正品在做工方面是比较讲究的，所以没有放过一个细节。正品金手指由于用材和做工都比较好，所以表面看起来整洁，没有任何划痕。而仿品的做工比较粗糙，表面已经开始出现氧化的现象，磨损的比较严重。另外我们看正品的金手指外侧是凸出一小块的。但是仿品这边直接全是平行的，这又说明了在做工方面没有用心。 　　5耐用性方面 　　购买电子产品的时候，我们除了看品牌之外，最主要的还是看耐用性，因为在使用的时候谁都不愿意不定期的更换。正品现代内存质量是没的说，耐用性非常好。但是假货的呢，由于成本廉价，做工也不是很精细，所以经常出现问题，必须要重新更换才可以。不仅浪费时间，心情也会随着变得比较糟糕。

记忆科技的内存条不错。性能差距不大，海力士就是十多年前的现代，2000年那会，流行现代内存，后来似乎不做零售市场，专搞OEM内存或显存了。记忆科技的知名度比海力士还差很多，其生产的内存多见于联想，清华同方的品牌机使用。桃宝上能买到的记忆内存，多是品牌机拆机的二手旧内存。内存条是CPU可通过总线寻址，并进行读写操作的电脑部件。内存条在个人电脑历史上曾经是主内存的扩展。随着电脑软、硬件技术不断更新的要求，内存条已成为读写内存的整体。我们通常所说电脑内存（RAM）的大小，即是指内存条的总容量。内存条是电脑必不可少的组成部分，CPU可通过数据总线对内存寻址。历史上的电脑主板上有主内存，内存条是主内存的扩展。以后的电脑主板上没有主内存，CPU完全依赖内存条。所有外存上的内容必须通过内存才能发挥作用。

编号为HY5DU56822BT-D43　　这串编号是由14组数字组成的，这14组数字代表着14组不同的重要参数，分别如下：·“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。·“5D”是内存芯片类型为DDR，57则为SD类型。·“U”代表处理工艺及电压为2.5V。(V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)·“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。(64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新)·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)· 能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度)　　因此，通过编号“HY5DU56822BT-D43”的内存颗粒我们可以了解到，这是一款DDR SDRAM内存，容量为256MB，采用TSOP封装，速度为DDR400。　　由上面各个编号可以看出，其中最重要的是第13个编号，它明确的告诉我们这款内存实际的最高工作频率是怎样。例如你的内存的颗粒第13位编号是“J”，而又运行在DDR400的频率下，那么这款内存很可能是被超频使用，超频使用的内存不仅稳定性能大打折扣，而且其寿命也会受到影响。看编号识别现代内存

DDR 266 容量256M 8颗粒x32M 采用HY芯片

Samsung内存 具体含义解释： 例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容 量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns(CL=3)；7C为7.5ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存 条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数 据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判 定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 ·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank) ·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18) ·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代) ·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。 ·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA) ·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。 ·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。 ·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200) ·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度) 现代内存的含义： HY5DV641622AT-36 HYXXXXXXXXXXXXXXXX 123456789101112 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)； 3、处理工艺及工作电压：(空白=5V；V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V) 4、芯片容量密度和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64：64M 4K刷新；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；128= 128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；256=256Mbits、16KRef；257=256Mbits、8KRef ；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系 7、I/O界面：1:SSTL_3、 2:SSTL_2 8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新 9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片 10、内存芯片封装形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-Ⅱ，TD=13mmTSOP-Ⅱ，TG=16mmTSOP-Ⅱ 11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、L:DDR200、H:DDR266B、 K:DDR266A 现代的mBGA封装的颗粒 Infineon（英飞凌） Infineon 是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为 256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存 颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。 HYB39S128400即128MB/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如： HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即 256MB/8bits。 Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。 -7.5——表示该内存的工作频率是133MHz； -8——表示该内存的工作频率是100MHz。 例如： 1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。 1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×8片/8=128MB（兆字节）。 KINGMAX、kti KINGMAX内存的说明 Kingmax 内存都是采用TinyBGA封装（Tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全 是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。 容量备注： KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间×4位数据宽度；KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间×8位数据宽度； KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间×4位数据宽度； KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间×8位数据宽度； KSV864T4XXX——128Mbits，8M地址空间×16位数据宽度。 Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率： -7A——PC133/CL=2； -7——PC133/CL=3；-8A——PC100/CL=2；-8——PC100/CL=3。 例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造，其容量计算为：64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。 Micron（美光） 以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。 含义： MT——Micron的厂商名称。 48——内存的类型。48代表SDRAM；46代表DDR。 LC——供电电压。LC代表3V；C代表5V；V代表2.5V。 16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。 A2——内存内核版本号。 TG——封装方式，TG即TSOP封装。 -75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。 实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）。Winbond（华邦） 含义说明： WXXXXXXXX 12345 1、W代表内存颗粒是由Winbond生产 2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM 3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H； 4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装 5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ Mosel（台湾茂矽） 台 湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示 单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为4.5ns NANYA（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR 南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第 4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns。 AP、Whichip、Mr.STONE、Lei、GOLD M.tec（勤茂）、TwinMOS（勤茂） V-DATA（香港威刚）、A-DATA（台湾威刚）、VT 内存颗粒编号为VDD8608A8A-6B H0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256M容量，0327代表它的生产日期为2003年第27周 A－DATA 这是A－DATA的DDR500

这是SD内存，如果是单面8颗就是64M的，比DDR还早一代。应该是PC100内存。现代内存条 “现代”内存条应该是现时市场最受欢迎的内存，其优点是价格低廉、兼容性强。但是，目前流行的现代内存条大多数并不是现代（HYUNDAI）公司原产的，多数是使用它的内存颗粒。从它的内存颗粒看可分为7J、7K、75和T-P、T-H（见图10）。其中内存颗粒上标示的数据分为3行。下面以图11，详细说明。 第1行 第1行是内存颗粒的生产厂家和产地，“HYUNDAI”表示现代公司，“KOREA”为韩国; 第2行 ①→此处为内存颗粒的生产厂家，“GM”表示LGS公司，“HY”表示现代公司。注:原先的7J、7K和75的现代内存颗粒是由LGS公司生产的，后来LGS和现代公司合并，从此对外都称为现代内存（HYUNDAI）; ②→此处表示内存的类型，“72”、“57”均表示该内存为SDRAM。“5D”为DDR SDRAM; ③→此处为内存的额定工作电压，“V”表示3.3V电压; ④→此处为内存的内存颗粒的容量和刷新，其中16为32Mbit、4K刷新;“28”为128Mbit、4K刷新;“64”为64Mbit、8K刷新;“66”为64Mbit、4K刷新;“56”为256Mbit，8K刷新; ⑤→此处为内存的数据带宽，它表示内存颗粒的数据位宽。“4”为4bit，“8”为8bit，“16”为16bit，“32”为32bit; ⑥→此处为内存的芯片组成，“1”为1Bank，“2”为2Bank，“4”为4Bank; ⑦→此处为内存I／O接口，“0”=LVTTL，“1”=SSTL-3; ⑧→此处为内存的内核代号; ⑨→此处表示内存的功耗，空白时为普通功耗，“L”为低功耗，此处为空白; ⑩→此处表示内存的封装形式，“T”=TSOP，“Q”=TQFP，“I”=BLP，“L”=CSP;→这里表示的就是内存的工作速度，其中“75”为7.5ns（133MHz）、“7K”为10ns（PC100、CL为2、3）、“7J”为10ns（PC100、CL3）、“10K”为10ns（PC66）;在某些使用现代颗粒的显存中，6为6ns（166MHz）、65为6.5ns（153MHz）、7为7ns（143MHz）、75为7.5ns（133MHz）、8为8ns（125MHz）;需要注意的是，现在市场上出现的现代内存，T-H内存颗粒是原来75的替代型，速度为PC133;而T-P内存颗粒则是原来7J、7K的替换型，速度为PC100。 第3行 表示该内存的生产日期，如“0024”就是2000年的第24周生产的。 现代内存的特点主要是价格便宜，兼容性好。但是其速度不高，一般7J、7K的现代内存条只能在100MHz CL3下工作，而75和T-H的现代内存条相对要好些，它能在133MHz CL3下工作，但在CL为2时仍无法正常工作。